QJ 468-1985 镁合金化学氧化膜层技术条件.pdf

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1、q.l 中华人民共和E航天工业部部标准QJ468-85 镶合金化学氧化攘层技术条件1985-08-0l.量布1986-01一们实施中华人民共和E航天工业部批准中华人民共和国航黄尘童董事部标准镇合金化学氧化模层技术条件。468-852在标准漫定了蟹古生化学氧化革盖层的捺术要求和撞撞方法.适由于我和基本产暴与辘草草产品辈辈含金零(部恃先学载1践髦的威量验枚，I 技术要求1, 1 9j.寝飞飞1J睡毡，模捕材料成劳及化学氧化方法等因素部;事戳，零将草主化学氧化后有不同的l!I!色。具体重要色应符合工艺文件的羡定。1.2 割眩精程.喜蜜继麟、完整.-1，1.3兔许缺费;，L 零持与夹真接簸处无禁层，每

2、.轻微鹤水流镶邃sC. 由于零件麦蓝主罢工程态抱不同，在商一零拌上有不爵的孩色，& 由于含金或份的编桥事军引起德理察或震层表医局部辛苦挂灰，e. 自T存在i连氧化革草层弱引起的班商量，f. 用不同猝号的镜告盘焊接零件，臻建色浑不致，焊接区不作运验a章，由于机路工过程中过去在氧化严生前黑色斑状装先膜.1.1.4 不先许缺黯L 局努克膜层吃工艺支持规定是隙，争hL 零件过腐蚀氧化膜运存在黑愤伤hL 破部嚼事艺繁婚唱昆横吻，d. 用手指能轻轻擦掉的蕴桩膜漫i 未读串的主主类瘦迹，仁不连接的薄膜有穿透猿层约光亮自点。1.2 掠镇远氧乙膜给扰蚀繁健医材料费事号和氧化方法不同而不同.)著成糠试验t是撞撞珑

3、，卖霸蚀时闰应不小于表18的皇军定。试验温度处于表.中降锺时，爵蚀费幸周恩湾插法昔算。表主1号檀氧化膜层耐绘得阔袭22号穰氧化藐层耐蚀曹雪i可Z军:写丁nlaO2slao坦年二二jl j i一气ZM:82i;?11飞主ZjpfJi-HE-u i际TJ山川川市工IE川17年J二二HiH-NZHYE-f 露在灾工率部1985-12-1发布198章c.n-Ql熏臆 1吨)148事-85表33号槽氧化摸层醋钮ItJI哥表55号楼氧化lIII层耐独对窍壁部J|25; 26 1 tt :_: , : I : :-1-:-1 :-JiJUt-表77号槽氧化主要层iH盘时i题嗤|z512825ho1哩庭主二二

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5、80 1 a 密西 17 2 撞验方法2.1 袤应在天然散射光线或无&指光的白色透射光线下.以自视方法进行，光然度不应低于300警克黯即稳当于军件兹在邮瓦目光幻下，距离500毫米处的光照度).零件与肉眼前黯离约为3.0来，必要对，哥il!3-54毒约就大鳞检费，2.2 就辈辈健 2 QJ468-85 2.乙:检验战将受被零件表面用沾有酒精的烧脂棒球仔缀除泊，用撞纸吸子或在空气中干燥。直接从槽中取出约军iI可不必除浊。2.2.2 I君主量笔或虹兰错笔在被检表由核对中f司部位i二如HIl数个2昌、然后将点精试撞榕被捕12滴入噩内，同时开动量生茬，漠察辑草草草颜色约变t.i.l呈液滚出蕾色变为无色黯

6、需要约时泻。2.2.3 点滴试验溶该成份高运酸专串磁重量( K民4nO() (比重1.12) 0.05觅5毫7号蒸曹雪水95毫升点滴试主盘摇滚应用这学绕经试j秘配额，井应保存在棕位窘门瘾内.其有效期限为贱。3 撞收巍黯3.1 现吁有经纪学氧化的事件，EYl盹%的遂行外婆栓查，不合格者霉返修J3.2 t在德拉每批始12个零作进行就触位检查，有-于零挤不合格，隐藏双倍数量始零件进再重验，若仍在+零件丰台格时，则该批零件远修。,Jj 泪F工主fH民主户的氧t，盖层又进行苔，也拉拉.i，g) 瓦蚀佳拉直的必fi!:应毛豆豆离立件i品缘、孔押娃p._:)(，(;f元7录IiJU泣Hi.京伫未.JJ!l:J挖出注表句，之零牛11.:将2主配合炭面:R材抗拉拉检验.也比学氧化后在e澳元娃髦的本件，运渴试验远在填充处理)u进I.在在工?.稳丘3j清阮丁，可小进行峙姐tt桂主主或定期抽桂.4 吉呈装、辈革鳝事保管经!;学氧化的模告金零侍应放入专愚包装籍内保管和运输e在包装、保管租运输过程中应遂免兹街.如i伤、弄脏和受攘麟撞撞说明E本标准窑第七O!哥提出。卒标准出一二九厂起草a 3