DIN EN 62416-2010 Semiconductor devices - Hot carrier test on MOS transistors (IEC 62416 2010) German version EN 62416 2010《半导体器件 MOS晶体管的热载流子试验(IEC 62416-2010) 德文版本EN 62416-2010》.pdf
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1、Dezember 2010DEUTSCHE NORM DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik im DIN und VDEPreisgruppe 11DIN Deutsches Institut fr Normung e. V. Jede Art der Vervielfltigung, auch auszugsweise, nur mit Genehmigung des DIN Deutsches Institut fr Normung e. V., Berlin, gestattet.ICS
2、 31.080.30!$jxk“1718572www.din.deDDIN EN 62416Halbleiterbauelemente Hot-Carrier-Prfverfahren fr MOS-Transistoren(IEC 62416:2010);Deutsche Fassung EN 62416:2010Semiconductor devices Hot carrier test on MOS transistors (IEC 62416:2010);German version EN 62416:2010Dispositifs semi-conducteurs Essaidepo
3、rteurchaudsurlestransistorsMOS(CEI 62416:2010);Version allemande EN 62416:2010Alleinverkauf der Normen durch Beuth Verlag GmbH, 10772 Berlin www.beuth.deGesamtumfang 12 SeitenB55EB1B3E14C22109E918E8EA43EDB30F09DCEB7EE8CD9NormCD - Stand 2010-12 DIN EN 62416:2010-12 2 Anwendungsbeginn Anwendungsbeginn
4、 fr die von CENELEC am 2010-06-01 angenommene Europische Norm als DIN-Norm ist 2010-12-01. Nationales Vorwort Vorausgegangener Norm-Entwurf: E DIN IEC 62416:2007-08. Fr diese Norm ist das nationale Arbeitsgremium K 631 Halbleiterbauelemente“ der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Info
5、rmationstechnik im DIN und VDE (www.dke.de) zustndig. Die enthaltene IEC-Publikation wurde vom TC 47 Semiconductor devices“ erarbeitet. Das IEC-Komitee hat entschieden, dass der Inhalt dieser Publikation bis zu dem Datum (maintenance result date) unverndert bleiben soll, das auf der IEC-Website unte
6、r http:/webstore.iec.ch“ zu dieser Publikation angegeben ist. Zu diesem Zeitpunkt wird entsprechend der Entscheidung des Komitees die Publikation besttigt, zurckgezogen, durch eine Folgeausgabe ersetzt oder gendert. B55EB1B3E14C22109E918E8EA43EDB30F09DCEB7EE8CD9NormCD - Stand 2010-12 EUROPISCHE NORM
7、 EUROPEAN STANDARD NORME EUROPENNE EN 62416 Juni 2010 ICS 31.080 Deutsche Fassung Halbleiterbauelemente Hot-Carrier-Prfverfahren fr MOS-Transistoren (IEC 62416:2010) Semiconductor devices Hot carrier test on MOS transistors (IEC 62416:2010) Dispositifs semi-conducteurs Essai de porteur chaud sur les
8、 transistors MOS(CEI 62416:2010) Diese Europische Norm wurde von CENELEC am 2010-06-01 angenommen. Die CENELEC-Mitglieder sind gehalten, die CEN/CENELEC-Geschftsordnung zu erfllen, in der die Bedingungen festgelegt sind, unter denen dieser Europischen Norm ohne jede nderung der Status einer national
9、en Norm zu geben ist. Auf dem letzten Stand befindliche Listen dieser nationalen Normen mit ihren bibliographischen Angaben sind beim Zentralsekretariat oder bei jedem CENELEC-Mitglied auf Anfrage erhltlich. Diese Europische Norm besteht in drei offiziellen Fassungen (Deutsch, Englisch, Franzsisch).
10、 Eine Fassung in einer anderen Sprache, die von einem CENELEC-Mitglied in eigener Verantwortung durch bersetzung in seine Landessprache gemacht und dem Zentralsekretariat mitgeteilt worden ist, hat den gleichen Status wie die offiziellen Fassungen. CENELEC-Mitglieder sind die nationalen elektrotechn
11、ischen Komitees von Belgien, Bulgarien, Dnemark, Deutschland, Estland, Finnland, Frankreich, Griechenland, Irland, Island, Italien, Kroatien, Lettland, Litauen, Luxemburg, Malta, den Niederlanden, Norwegen, sterreich, Polen, Portugal, Rumnien, Schweden, der Schweiz, der Slowakei, Slowenien, Spanien,
12、 der Tschechischen Republik, Ungarn, dem Vereinigten Knigreich und Zypern. CENELEC Europisches Komitee fr Elektrotechnische Normung European Committee for Electrotechnical Standardization Comit Europen de Normalisation Electrotechnique Zentralsekretariat: Avenue Marnix 17, B-1000 Brssel 2010 CENELEC
13、 Alle Rechte der Verwertung, gleich in welcher Form und in welchem Verfahren, sind weltweit den Mitgliedern von CENELEC vorbehalten. Ref. Nr. EN 62416:2010 DB55EB1B3E14C22109E918E8EA43EDB30F09DCEB7EE8CD9NormCD - Stand 2010-12 DIN EN 62416:2010-12 EN 62416:2010 Vorwort Der Text des Schriftstcks 47/20
14、41/FDIS, zuknftige 1. Ausgabe von IEC 62416, ausgearbeitet von dem IEC TC 47 Semiconductor devices“, wurde der IEC-CENELEC Parallelen Abstimmung unterworfen und von CENELEC am 2010-06-01 als EN 62416 angenommen. Es wird auf die Mglichkeit hingewiesen, dass einige Elemente dieses Dokuments Patentrech
15、te berhren knnen. CEN und CENELEC sind nicht dafr verantwortlich, einige oder alle diesbezglichen Patentrechte zu identifizieren. Nachstehende Daten wurden festgelegt: sptestes Datum, zu dem die EN auf nationaler Ebene durch Verffentlichung einer identischen nationalen Norm oder durch Anerkennung be
16、rnommen werden muss (dop): 2011-03-01 sptestes Datum, zu dem nationale Normen, die der EN entgegenstehen, zurckgezogen werden mssen (dow): 2013-06-01 Anerkennungsnotiz Der Text der Internationalen Norm IEC 62416:2010 wurde von CENELEC ohne irgendeine Abnderung als Europische Norm angenommen. 2 B55EB
17、1B3E14C22109E918E8EA43EDB30F09DCEB7EE8CD9NormCD - Stand 2010-12 DIN EN 62416:2010-12 EN 62416:2010 Inhalt SeiteVorwort .2 1 Anwendungsbereich.4 2 Akronyme und Symbole .4 3 Teststrukturen 5 4 Beanspruchungsdauer .5 5 Beanspruchungsbedingungen .5 6 Stichprobenumfang 6 7 Umgebungstemperatur.6 8 Ausfall
18、- und Fehlerkriterien 6 9 Lebensdauer-Schtzverfahren.7 9.1 Gleichstrom-Beschleunigungsmodell (DC-Modell) 7 9.2 Schtzung ber Wechselstrom-Modell (AC-Modell) 8 10 Festlegungen zur Lebensdauer .8 11 Prfaufzeichnungen .9 Literaturhinweise 10 3 B55EB1B3E14C22109E918E8EA43EDB30F09DCEB7EE8CD9NormCD - Stand
19、 2010-12 DIN EN 62416:2010-12 EN 62416:2010 1 Anwendungsbereich In diesem Dokument ist ein Prfverfahren auf heie“ Ladungstrger (Hot-Carrier) auf Waferniveau fr NMOS- und PMOS-Transistoren festgelegt. Das Prfverfahren wurde erarbeitet, um zu ermitteln, inwiefern die Einzeltransistoren eines bestimmte
20、n (C)MOS-Prozesses der geforderten Hot-Carrier-Lebensdauer entsprechen. 2 Akronyme und Symbole In diesem Dokument werden die folgenden Akronyme und Symbole verwendet. MOS Metall-Oxid-Halbleiter (MOS; en: metal oxide semiconductor) NMOS n-Kanal-MOS-Halbleiter PMOS p-Kanal-MOS-Halbleiter (C)MOS Komple
21、mentr-MOS-Halbleiter L m Lnge des Polysilizium-Gates eines MOS-Transistors W m Breite des Polysilizium-Gates eines MOS-Transistors Lnominalm nach den Entwurfsregeln eines Prozesses zugelassener kleinster Wert von L Wnominalm nach den Entwurfsregeln eines Prozesses zugelassener kleinster Wert von W U
22、gsV Gate-Source-Spannung eines MOS-Transistors UdsV Drain-Source-Spannung eines MOS-Transistors UbsV Bulk(Backgate)-Source-Spannung eines MOS-Transistors IdsA Drain-Source-Strom eines MOS-Transistors IbA Substratstrom eines MOS-Transistors IgnA Gatestrom eines MOS-Transistors Ugs, stressV Ugs-Spannu
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