CNS 13059-8-2002 Photovoltaic devices Part 8 Measurement of spectral response of aphotovoltaic (PV) device《光电伏打组件(第八部:光电伏打组件光谱响应之量测)》.pdf
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1、1 光電伏打元件(第八部:光電伏打元件光譜響應之量測) 印行年月 94 年 10 月 本標準非經本局同意不得翻印 中華民國國家標準 CNS總號 類號 ICS 621.385.5 13059-8 C6346-8 經濟部標準檢驗局印行 公布日期 修訂公布日期 91 年 12 月 5 日 年月日(共 5 頁) Photovoltaic devices Part 8 : Measurement of spectral response of a photovoltaic (PV) device 1. 適用範圍 本標準規定線性及非線性光電伏打元件相對光譜響應之量測指引,本標準僅適用於單接面( singl
2、e-junction)元件。 2. 參考 本標準參考 CNS 13059光電伏打元件等系列標準,尤其是第一部的光電伏打電流電壓特性量測、第二部的基準太陽電池之要求條件及第三部的具光譜照射光基準數據之陸上光電伏打( PV)太陽元件量測原理。 3. 薄膜元件之特定要求條件 3.1 穩定度之預先評估 在量測薄膜元件之光譜響應前,此待測元件應穩定化,如光浸染( light soaking)測試程序之規定(參照 CNS_IEC 61646)。 3.2 白色偏移光下之量測 此光譜響應量測應在類同 AM1.5 相對光譜分布之白色偏移光( white bias light)下完成,在此位準時以致於當偏移位準減
3、少 50%時,光譜響應應無明顯地變化。 3.3 電壓效應 由於電壓之效應,須規定下述專有名詞: (1) 有負載下之光譜響應(vs ) 在特定負載電壓下之電流密度,由在特定波長( A W-1)之單位照射光所產生,繪出之曲線為波長的函數。 (2) 有負載下之相對光譜響應( k1vs ) 於歸一正規化負載在最大響應之波長下的光譜響應。 k1vs vs vsmax對薄膜元件,光譜響應量測應在意圖使用之電壓下完成,而此電壓對光譜響應資料應為適確的,故而此電壓情況需與資料一併註明。 4. 相對光譜響應量測 光電伏打元件之相對光譜響應的測量係藉由連續不同波長(包含其響應範圍)之窄頻光源照射其上而測量在此波長
4、時的短路電流密度與照射光。 備考:本標準中所用之光與陽光係為廣義,泛指含紫外線、紅外線與可見光。 2 CNS 13059-8 , C 6346-8 光源應均勻地照射待測元件且元件之溫度係可被控制,電流密度除以照射光或比例參數並以之繪出的曲線為波長的函數。另外,使照射光保持固定(如變動單色分光儀之輸出切縫長度)可直接從電流密度讀數得到相對光譜響應。 照射光監測器可為真空熱電偶、熱電輻射計或其他合適的檢光器。另外替代方式是使用先前已校正過的基準光電伏打元件而其相對光譜響應包含所需之範圍,在此種方式測試樣本之相對光譜響應依下式計算 : k22s k11s mrmtJJ其中: k11s 在波長為之基準
5、光電伏打元件相對光譜響應。 k22s 在相同波長之測試樣本相對光譜響應。 mrJ 在波長為之基準光電伏打元件測量到的短路電流密度。 mtJ 在波長為之測試樣本測量到的短路電流密度。 測試之組裝及設定與履行測量,須特別考量下述事項: (1) 在測試平面上照射光之均勻度(當測試樣本與基準光電伏打元件尺寸不同時均勻的照射光非常重要)。 (2) 濾波器傳輸曲線應定期檢驗以測出任何“高諧波”傳輸。 (3) 負載電阻應校正與接點阻抗應檢驗。 (4) 元件短路電流響應之線性與在全波長、全照度位準下的光強度之比較。 (5) 負載電阻應保持實際上的最低以儘量維持於真正的短路狀況。 圖 1 及圖 2 為二個測試安
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