SJ 50597 27-1994 半导体集成电路.JC4067型CMOS16选1模拟开关详细规范.pdf

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1、中FL 5962 , -，、叼t8J 50597/27 94 型Semicomductor integrated circuits Detail specification for type JC4067 of CMOS single 16-channel analog switches 1994-09-30发布1994-12-01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用1 范围 1. 1 主题内容半导体集成电路JC4067型CMOS16选1拟开关详细规范Semiconductor integrated circuits Detail specification for ty

2、pe JC4067 of CMOS single 16-channel analog switches 回50597/2794 本规范规定了半导体集成电路JC4067型CMOS16选1要求。(以下简)的详细1. 2 本范围范适用1. 3 分类、生产和。本规范给出的器件按器件型号、器1.3. 1 器件编号封装形式分类。号应按GJB597(微电路总规范第3.6.2条的规定。1. 3. 1. 1 器件型号器件型号如下:件型号JC 4067 1. 3. 1. 2 器件等级件型号CMOS 16选1模拟开关为GJB597第3.4条所规定的B级和本规范规定的B11. 3. 1. 3 封装形式封装形式应按GB

3、/T7092 -93(半导体集成电路外形尺寸的规定。封装形式如下:类型D F H 中华人民共和国电子外形代号m:4S3 (陶瓷双列封装)F24X2 (陶瓷扁平封装)四4X2(陶愁熔封扁平封装)J24X3 (陶瓷熔封双列封装)1994-09-30发布1994-12-01 一1一SJ 50597/27 94 值定值如下:项目符号最小最大电电压v - ().5 18 输入电压V , -0.5 V+0.5 入电流(11 10 功耗Po 200 贮存范围T . -65 175 引线耐(10s) Th 300 + TJ 175 1. 5 推荐工作条件作条件如下:数项目符号最最大电电压V 3 15 工作度T

4、A -55 125 2 引用文件GB 3431. 1 - 82 半导体集成电路文字符号电参数文字符号GB 3431.2一86半导体集成电路文字符号引出端功能符号GB 3439-82 半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理GB 3834-83 半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本GB 4590-84 半导体集成电路机械和气候试验方法GB 4728.12 - 85 电气图用图形符号二进制GB/T 7092 - 93 半导体集成电路外形尺寸。GJB 548-88 微电子器件试验方法和GJB 597-88 微电路总规范GJB 1649 - 93 电子产品防静电放电控制大纲3 3. 1 详细要求

5、各项要求应按GJB597和本规范的规定。本规范规定的Bl级器件仅在产品保证规定的筛选、鉴定和要求不同于B级器件。3.2 设计、结构和外形尺寸设计、结构和外形尺寸应符合GJB597和本规范的规定。2一单位v v mA 十mW 单位V 检验的某些项目和SJ 50597/27 94 3.2. 1 逻辑符号、逻辑图和引出端排列逻辑符号、逻辑图和引出端排列应符合图1的规定。逻辑符号和的规定。引出端排列为俯视图。引出端排列生!.JoMUX 13 EN 符合GB4728.12 D型3一SJ 50597/27 94 图，町、4幽椭品需A。vh礁窜攒Al C 1 AI.All 试分组D组终点Al. A2.A3

6、Al. A2.A3 . 注:1)该分组要求PDA计算(4.2条)。2)老化和寿命试险要求AA变化量极限按本规表3电4.5.2 。始分组|符号!用GB 3834 条件 Vss=OVo TA=25t 规范值若变E单位最小|最大Vr.撞地.Vss开阳。开路.输出川同。VI)开路.Vss接地。入开路，输出开阳。入IIK= lmA.非入Al 1 1 1 V1K+ - 1. 5 1 V V1K-入I眠=-lmA.非一.1 - 6 v 11) 2.15 1 VI)= 15V. V1L = OV. V1H= 15V.输出开阳。12 A .VOf( 12.7 V= 15V.被所有其它V1L=OV.输出开弱; 出

7、I佣=0014.95 v OL I 2.8 VI)= 15V. 其它非入V1H=15V.输出开ft;.被测输出IoL=OoI 0.05 v V1H 2.1 I VI)=5V. 进行预置。出VOH=4.SV.入按功3.5 -VOO= 10V.被进行预置。出V佣=9V.非被测输入按功能表17一v V= 15V. 表进行预量。出V佣=13.5V.非入按功能111一一7一臼50597/2794 38剖表3条件定，Vss=OVoT.=2St 分组|符号(若施值最小量大单位Al I Iv=SV，被出VOL=O.SV，司在测入按功目画稠I 1.S 。VIL r-.甲 = 10V, 出VOL=lV，非.拥葡八

8、tJC例阳农用13 V= ISV, 置。出Vo嚣l.SV，人v 一4 IIH2) I 2.9 Voo= ISV. 一测VIH=ISV，其VIL =OV，其I 10 IIL2) I 2.10 . IV= ISV. nA -10 I 2.17 lVoo= SV, Vss= OV I 10S0 I 。Al IR倒= 10V, Vss=OV 4 = lSV, Vss=OV 240 A2 I T. = 12St , VIK+ VIK-外.所有Al 10 、A3 T.= -sst, VIK+ VIK-外，所有件Al分组.范值按褒1 A4 CI 3.1 v= OV, f= lMHz, Vss之间的I 7.S

9、 I pl誓A7 试.按功3.2.2条)Voo= 10V I!()-+O!I A, INH o -一m-m AIO I T. = 12St，参数、条件的分组。范All I T.=由sst，、条件A9分组。范值按表1注:1)引用GB 3439-82 2.1条。2)对2St条件IIH、IIL5V v. 。DUT 一8町50597/2794测试10.% tw , 入.t. 1 50 图2开关时间注:RL= 200kO. CL = 50士5pF(脉:中发生器具有下列特性g脉冲幅度:V町，=Vm士1%及央具电容。占空比:q=50% 脉宽:tw=1.0土0.1问:上升、下降时间:tr=t=10士2.0ns

10、;:f=0.2-1MHz。3.6 标志器件标志应按GJB597第3.6条的规定。3.6. 1 总剂量辐射强度标志 t. ITHL 披形图总剂量辐射强度等级标志应按GJB597第3.6.2.6条和本规范第4.5.5条的规定。3.6.2 标志的正所有器件在标上器件编号后，应经受表2规定的最终电测试，也可以经受特殊设计经认可的电测试，以验证器件编号标志的正确性。3.7 微电路组的划分本规范所涉及器件应为第39微电路组(见GJB597附录)。4 .量保证规定4.1 抽样和检EE若无其它规定，抽样和检验程序应按GJB597和GJB548方法5005的规定。4.2 在鉴定性检验之前，全部器件应按GJB54

11、8方法5005和本规范表4的。9一, SJ 50597/27 94 4 若无其官规定，表中引用的试验方法系指GJBS48件和耍 中间(老化后) 允许不合格产品(PDA)及其计算电测试2010 1010 1014 -10一C 1008 I (lSOt.24时c 。Bt 方法|条件2010 8 CAm-C J一件一条到一段。一试。咀-nvnv-hu 自检12009 量一致性tU5叫第3.5条晶Al 和表10596.本规范Al分组。当不合格品率不超过2096时.可重新化.但只允许一次范A2、A3、A7、A9件:Al或A2Cl或Al分组和表101096 .本规范|周老化失效数包括超过Al分组。当不1A

12、l分组规拖值和A合格品惑不起|值的混件)除以提交老化过2096时.可重变老化，但只允许一次本规范A2、A3、A7，A9分组1014 件gAl或A2Cl或29 551第3.5条明可用A 1011试碰条件的合格器件数即为PADo不大于规定的PAD时收。，咽1111件的引返工，则应再进行Al。 町50597/2794 Voo 2 SI VIlO MUX O 1 l,_ 0 2 (- 15 3 。1 岛/乞Voo/201234S剧，。血AA蝇A且图3态老化注z静态老化1:所有输入端接OV，即开关乌置1。富态老化11:所有输入端接Voo，即开关置2。除Voo和Vss捕外，每个引出端应通过一个211-47

13、kO的电阻相连接，由于工作.受热和老化.用电阻的实测值应不超过其标称值的土2096出峭开关50可以置1或2。( Voo=15V-18V, Vss=OV。一11-回50597/2794 Go 1 |几lcz.I1. Gz .J1. Gt .rL JG工s l A。A1 A. 图4动态老化和Voo MUX 。I 。G 1-5 2 EN 注:除V和Vss外.每个引出端应通过一个2kO-47kO的电阻电阻的实测值应不超过其标称值的土2096入情号的要求za方波:占空比q= 5096 b频率:10、14=25kHz-IMf也;ldd3分为10的二、四、八分棚。C trlS; tf运1S;d 幅度V，最小

14、值为(Vss-0.5V)+ Voox 1096; 最大值为(V+0.5V)- Voox 1096。V= 15V, Vss= OV。4.3 鉴定检验0/1 Voo/2 ，由于使用、老化，鉴定检验应按GJB597的第4.4条的规定。所进行的检验应符合GJB548方法5005和本规范A、B、C、D、E组检验(见本规范4.4.14.4.5条)的规定。4.4 一咽E性检验应按GJB597的第4.5条和本规范的规定。所进行的检验应符合GJB 548方法5005和本规范A、B、C、D、E组检验(见本规范4.4.14.4.5条)的规定。4.4.1 A组检验一12一SJ 50597/27 94 A组检验应按本规

15、范表5的规定。各分组的电测试按本规范表3的规定。各个分组的测试可用同一个样本进行，当所要求的样本大小超过批的大小时允许100%检验。各分组测试可按任意顺序进行。全格判定数(C)最大为20表5A组检验LTPD 试验B 牛Bt 件A1分组25C下静态测试2 2 A2分组125C下静态测试3 3 A3分组-55C下静态测试5 5 A4分组25C下动态测试(C1)112 2 A7分组25C下功试2 2 A9分组25C下开关试2 2 A10分组125C下开关测试3 -_. -喃自All分组甲55C下开关测试5 注:1)仅在初始鉴定或工艺、设计改进时才进行时该分组测试。(IlP在1MHz频率下测量指定输入

16、端和Vss间的电容。)4.4.2 B组检验B组淦验应按本规范表6的规定。BI-B5分主H可用同一检验批中电性能不合格的器件作为样本。表6B组检验若无其它规定，表中引用的方法系指GJB548的试验方法。条件和要求样品数/(接收数)町-分组B级器件BI级说明或LTPD方法条件方法条件Bl分组2016 按规定2016 按规定2/(0) 尺寸B2分组2015 按规定2015 按规定4/(0) 抗溶性B3分组2022 焊接温度:2022 焊接温度:15 LTPD系对引线可焊性245土5C或245 :t 5C 数言，被试件应不少于32003 2003 个。B4分组20 i. 4 按规定2014 按规定1/

17、(0) 内部目检和机械性能13一分组B5分组分组(a)电测试(b)静电放电灵度度等级(c)电测试B9分组入高电压( v ZAP)试验4.4.3 C组检臼50597/2794 续表6条件和要求B 方法|条件2011 件CD 本规范Al分组本规范第4.5.3条Bt级器件方法|条件2011 C 或D本规范4.5.3条C组检验应按本规范表7的规定。表7B组若无其它规定，表中引用的方法系指GJB548 条件和要求分组B级器件BI级方法|条件条件Cl分组态寿命1005 D 1005 试验条件D温度:125C 度:125C 时间:1000h 时: 1000h 终点试Al，A2，A3分Al，A2，A3分组和表

18、10限和表lQ极限分组环1010 条件C11010 1试C 恒定加速度2001 条件E2001 试件DYl方向Yl方向密封1014 条件:1014 试验条件:(1) Al A2 Al或A2(2)粗检Cl或口Cl C2 14一样品数/(LTPD 15 15/(0) 15 。样品数/(接收数LTPD 说明可在密封前的内部自检，问机抽取样品进行本分。韧始鉴定或产品重进行。初始鉴定或工艺设计改变时进行。说明5 I采用本规范围15 3线路或其等效Al 试并计算A值(见本规范4.5.2条)、臼50597/2794 续表7条件和要求样品数/(收数)分组B 器件Bt级说明或LTPD十方法条件方法条件 自检按方

19、法1010按方法1010的自检判据的目检判据终点试Al、A2、A3Al、A2、A3分组(见本范分组(见本范表2和表3表2和表3c3分组不要求AI0分组(见本规3 125C 格表2和表3)开CA分组不要求Al1分组见本规5 - 55C 范表2和表3)试4.4.4 D组D组检验应按本规范表8的规定。D1、四、D5、D6、D7和I览分组可用同一批检验批中电性能不合格的器件作为样本。表8D组若无其它规定，表中引用的方法系指GJB548的试验方法。条件和要求分组B级器件方法|条件B)级样品数/接收数)说 。1分组尺寸2016 I按规定件一条一定一规一按法-M方-m或LTPD15 四分组引线牢固性2004

20、 牛B2, 2004 , B2 15 密封1014 件:I 1014 I队也宋11: (1) Al或A2Al A2 (2)粗检Cl c2 Cl或D3分组冲击1011 件B1011 A 15次15次15 环11010 1 C. 1010 C 100 环、10次按规定|乌级1004 ，按规定1004 可用GB4590 1S一分组密封(1) (2) 终点电测试四分组机械冲击变频振动恒定加速度密封(1) (2)粗目检终点电测试D5 盐雾密封(1)细(2)粗检目检时分组内部水汽含量一16一SJ 50597/27 94 续表8条件和要求B 件方法条件I 1014 I试条件:Al或A2Cl或按方法1004和

21、1010的自IA1.A2和A3分组(见表2和表3)I 2002 I试验条件B2007 2001 1014 1009 试验条件A试验条件已Yl方向 Al A2 Cl或C2|按方法2002或2007的自检判据Al.A2. A3分组(见表2、表3)A 条件:1014 Al或A2Cl或C2按方法1009的自检判据1018 1100t:时最大水汽含量为:5000p.PffiB1级件方法条件1014队挫宋1，: Al或A2Cl或按方法1004和1010的目检Al.A2和A3分组(见表2和表3)I 2002 I试验条件A2007 试验条件A2001 试验条件D.Yl方向1014 f牛:Al或A2ICl或按方

22、法2002或2007的目检Al. A2.A3分组(见表2、表3)适用时间B级器件不要求样品数/(接收数)说明LTPD 第3.6条严格度D(即56d)替代可在抗潮温后密封试验前进行终点电测试。i用作D3分组的15 样品可用在D4分组15 ., 当试验33/(0)或|出现1个失效5/ (1) I时，可加试2件并且不失效，若第一次 可在可的另一实验室进行第二次实验若试验通过，贝。该批应被l3(忱。s.J 50597/27 94 续表8条件和要求样晶分组B 件B1 器件(接收数)说明方法条件方法条件或LTPDD7分组LTPD系指用于引线覆2025 按方法2025第3条2025 按方2025第315 的

23、引线数而粘度的失效判据条的失效判言。四分封釜扭距2024 仅适用于瓷熔封2024 仅适用于甏5/(0) 外壳。封外壳。4.4.5 E组有辐射强度保证等级要求的器件还应进行E组检验(见本规范3.6.1条)。E组检验应按本规范表9的规定。表9E组检若无其它规定，表中引用的方法系指GJB548 条件和要求分组B级B1级器件方法条件方法条件四分组试电测试稳态辐照1019 TA = 25C 1019 TA = 25C 总剂量Doo= 10V Doo= 10V (a)鉴定(b)质量致性终点电试A7分组及表14A7分组及表144.5 检验方法检验方法应按下列规定。 4.5.1 电压和电流。样品数/(接收数)

24、说明或LTPD按本范4.5.5条15/0 3个晶体片批，每批5个器件11/0 按品片批按本范4.5.5条若无其它规定，所有给出电压以器件的Vss端为基准，电流约定以流入器件引出端为正。4.5.2 老化和寿命试验(DUT)在完成试验之后，应先冷却到25土3t才能去掉偏置电压，然后进行电数终点测试。并按要求计算变化量(t.)，见表100一17一臼50597/2794 表10变化量A极限(TA=25t) . 串数1)V DI) 变化量()极限IDD 15V 士100nAIOL 5V 士20%100 5V 士20%注:1)老化和寿命试验前后，应记录每个参数，以确定变化量()。4.5.3 输入保护电路的

25、高压(VZAP) 被试器件(DUT)的所有输入端(每次最多4个)应经受由充电到400V的100pF电容器所产生的电压脉冲。该破坏性试验采用图5试验线路，按下列规定进行。a. 25t下测量选定输入端的1IL和1m;在最大VOD下每个被试输入端的试验规范值为主100nA。在25t下测量被i式器件(DUI)的100:在最大VOO下100的试验规范值最大增加到表3规定的100规范值的20%。b. 高压试验方式见表11。每种试验方式要求首先将S1置于1，使G冲电到VZAP然后将，S1置于位置2将VZAP加到被试器件(DUT)。c. 在24h内按上述操作重复测量同一引出端的1IL、1m和100。如果VZA

26、P试验后被测试器件(DUT)的漏电流超过规定的试验规范值，则该器件视为失效。+ R, 1 2 Rz + 高压、审理震-$, C, 。UTIVZAP 甲, 图5高压(VZAP)试验线路注:lMnR，50Mn.R2=1.5kn C, = 100pF. S.为水银无回跳继电怖。表11高压试验方法方式且一。，-tJ正V端负端入, 4.5.4 电源电流(Ioo)的测试进行电源电流测量时，电表的安置应使用全部电流流过该电表。4.5.5 辐射强度保证(RHA)试验RHA试验应按GJB548方法5005表V和本规范表9规定的试验程序和抽样进行，并应符合如下的规定。a. 辐射前，抽取的样品应经过.25t:下的A

27、1分组电测试合格;并进行阔值电压(VTN 一18一SJ 50597/27 94 , 辐射后阔值电压变化量(llVT)。样品应放置在合格的包装中。试线路按图6和表12的规定。试也可采用GJB548中1022测试方法。在实测静态电流Ioo的基础上增VTP)测试，以便b. 周值电值加10A(电流增量法)，分别测出VTN、VTP。C. 对被试的RHA等级，器件应经受GJB597(第3.4.1.3条)规定的总剂量辐射。辐射期间，器件应按表13的规定加偏置电压，且在整个试验过程中，始终保持偏置。d. 辐射后，器件应进行原位测试或移地测试(按本规范表14和A7分组)。作移地测试时，器件应使用可动偏置加具，并

28、按规定保持其温度和偏置。移动偏置装置时，偏置的中断时间不得超过1分钟。e. 辐射后器件在25t下的终点电测试，电参数应符合表14的规定A7分组的功能测试按本规范表3的规定。终点电测试应在辐射盾2小时内完成。N沟测试l 24 2 23 3 22 接规定的引出端4 21 10V 5 20 接规定的引出一10A6 19 7 1 8 17 9 16i ( v 10 15 11 14 12 13 地P沟测试AL哼i句，1晶。49JVA丛YFhJnO勺uonwuA咱4A一432币。9876543丽。，旬，町，缸OKU咱E&咱自哩，.、 , . 电咽e接规定的引出接规定的引出端+WA叫什川叫i、V 地图6阔

29、值电压试验线路表12阔值电压测试方接连、山川同VTN 试试号地JC 4067 15 10V 10、11、13、14、24-10AI地-10V 10A 24 12 15 10、11、13、14、12一19一SJ 50597/27 94 表13辐射期间的偏置连接方刮引出出飞10V(通过30-60kO电阻)I V ss接地JC 4067 2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、13、14、12 15、16、17、18、19、20、21、22、23注:来标出的引出端为开路，或通过30-60kO的10V。表14辐射强度终点电参数(TA=25t) 参数Voo 范VTN 10V 最小0.3VVyp 10

30、V 最大2.8Vl!. V -r 10V 最大1.4V100 15V 1最大规范值tPLH 5V 1.35X最大规范tPHL 5V 1.35 x最规范L-4.6 数据报告当采购方需要时，应提供下列数据的副本:a. Jl)f何师m;试验的特征数据(见本规范4.2条)和所有老化及稳(见本规拖3.5条); b. 质量一致性检验数据(见本规范4.4条); C. 老化期间的电参数分布数据(见本规范3.5条); d. 最后电测试数据(见本规范4.2条)。5 交货5. 1 包装要求应按GJB597第5.1条的规定。6 说明事项6. 1 订货资料订货合同应规定下列内容:a. 完整的器件编号(见本规范第1.3.

31、1条); Voo= 10V 24 围变b. 需要时，对器件制造厂应提供与所交付器件相应的C. 南安时，对合格证的要求:一致性数据的要求:d. 需要时，对产品或工艺更改时应通过通知采购单位的e. 需要时，对失效分析(包括GJB548方法5003要求的一20一 , 验条件)、纠正和结 臼50597/2794 供报告的要求:f. 对产品保证选择的要求;g. 需要时，对特殊载体、引线民度或引线形式的要求zh. 对订证标志的要求:i. 需要时，对总剂量辐射试验要求:j. 需要时，其他要求。6.2 缩写词、符号和定义本规范所用的缩写词、符号和定义符合GB3431.1、GB3431.2和GJB579的规定。6.3 替代性本规范规定的器件其功能可替代普通工业用器件。但不允许用普通工业用器件替代军用器件。6.4 操作器件必须采取防静电措施进行操作。推荐下列操作措JJ(: a. 器件应在防静电的工作台b. 试验设备和器具应接地;c. 不能触摸器件引线; , d. 器件应存放在导电材料或容器中;e. 生产、测试、使用以及流转过程中，MOS器件区域内避免使用能引起胶或丝织物;f. 相对温度尽可能保持在50%以上。附加说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由北京市半导体器件三厂负本规范主要起草人:谷70计划项目代，号:B21046。电的塑料、一21一