SJ 50033 95-1995 半导体分立器件.3DG144型NPN硅高频低噪声小功率晶体管详细规范.pdf

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1、中FL 5961 SJ 50033/95 95 11、目国 J Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3DG 144 NPN silicon high-frequency Low-noise Low-power transistot 1996-06-14发布1996-10-01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半体分立器件3DG144型NPN硅高频低小功率晶体1范详细规范Semiconductor discrete device Detail specification for ty

2、pe 3DG 144 NPN silicon high-freguency Low-noise Low-power transistor 1. 1 主题内容日50033/9595 本规范规定了3DG144型NPN硅高频低噪声小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。1. 2 适用范围本规范适用于器件的研制、生产和采啊。1. 3 分类本规范根据器件质量保证等级进行分类。1 .3. 1 器件的等级按GJB33(半导体分立器件总规范)1.3条的规定，特军三级，分别用字母GP，GT和GCT表示。2 引用文件GB 4587 84 双极型晶体管测试方法GB 7581 87 半导体分立器件外形尺寸GJB 33

3、 85 半导体分立器件总规范GJB 128 86 半导体分立器件试验方法3 要求3. 1 详细要求各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸的产品保证等级为普军、特军和超器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2. 1 引出端材料和涂层中华人民共和国电子工业部1996-06-14发布1996 10-01实1一SJ 50033/95 95 引出端材料应为可伐或其它金属。引出端表面涂层应为镀金、镀锡或浸锡。引出端材料和涂层要求选择或另有要求时，在合同或订单中应明确规定(见6.3)3.2.2 器件结构采用NPN硅外延平面型结构。3.2.3 外形尺寸外形尺寸

4、按GB7581(半导体分立器件外形尺寸的A4-OlB型及如下规定，见图1: 化、 45 甸国、J 一2 一;D 1D、国1-l ,1b2, 外形尺寸叫i1.发射极2.基极3.集电极4.地SJ 50033/95 95 符号A 如;b1 ;b2 1D 1Dl 3 k L Ll 3.3 最大额定值和主要电特性3.3. 1 最大额定值P ,1) P ,2) 号TA =25C Tc=25C (W) (W) 3DG144 0.1 0.3 m 4.32 0.407 5.31 4.53 0.92 0.51 12.5 VCllO (Y) 15 注:1) T A 25C .按0.57mW/C的速率线性降棚。2)T

5、c25C.按1.7mW/C的速率线性降棚。3.3.2 主要电特性(TA=25C) A4-01B nQm 2.54 1. 04 Vcro (Y) 12 在1口1自lax5.33 1. 01 0.508 5.84 4.95 1. 16 1. 21 25.0 1. 27 VEOO Ic T啕和Ti(Y) (mA) (C ) 3 20 -65- +200 3一SJ 50033/95 95 参型号符号(单位)测试条件hFE1 VCE=6V IC=0.2mA hFE2 VCE=6V Ic= lmA h FE3 V=6V Ic=2mA h FE4 VCE= 6V Ic=5mA h(GHz) VcE=6V I

6、E=2mA f=400MHz 3DG144 A-C Co阳pF)VCB=6V IE= 0 f= lMHz VBE(副)(V) IC= 5mA IB= lmA VCE(酬)(V) Ic=5mA IB= lmA Gp(dB) Vcr:=6V I F. = 2mA f=600MHz Rg= 50n F(dB) VcE=6V 3DG144A IE=2mA 3DG144B f=600MHz Rg=50n 3DG144C 3.4 电测试要求电测试应符合GB4587及本规范的规定。3.5 标志器件的标志应按GJB33的规定。4 质量保证规定4. 1 抽样和检验抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2

7、鉴定检验一4一最l最大值20 40 40 200 30 2 1. 5 0.95 0.25 12 3 2 1. 5 SJ 50033/95 95 鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级)筛选应按GJB33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1进行，超过本规范表1极值的器件应予剔除。选(见GJB33表2)7、中间参数测试8、功率老化9、最后测试4.3. 1 功率老化条件功率老化条件如下:TA=25士3CV臼=8VPtot= 100mW 注:不允许器件上加散热器或强迫风冷。4.4 质量一致性检验则试和试ICB01和hFF.3见4.3.1按本规m:表1的A2分组;ICB01=

8、初始值的100%或15nA.取其较大者;hFE)= :t 20% 一致性检验应按GJB33的规定进行。4.4.1 A组A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组检验B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量(Ll)要求应按本规范表4的步骤进行。4.4.3 C组检验C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量(Ll)要求应按本规范表4的步骤进行。4.5 检验和试验方法检验和试验方法按本规范相应的表和下列规定。4.5. 1 脉冲测试脉冲测试应按GJB128的3.3.2.1的规定。5一SJ 50033/95 95 表1A组检验一一GB 458

9、7 极限或试验LTPD I符号单位方法条T ,AI 最小最大Al 分组I GJB 128 外观和机械检验I2071 5 A2 5 集电极.基极2.9.2.1 发射极，基极开路V(BRlCBO 15 v 击穿电压IC= 50A 集电极-发本范发射极基极开路V(BRlCEOl 12 V 击穿电压附录AIc= 50A 集电极，发本规范发射极-基极开路V(BRlCE02 10 V 击穿电压附录AIc= 1mA 脉冲法(见4.5.1)集电极-基极2. 1 发射极，基极开路IcEo1 0.08 A 电流VCB= 15V 发射极基极2.2 集电极-基极开路hoo 0.08 A 止电流VF.B= 3V 正向电

10、流比2.8 VCE= 6V、Ic=0.2mAI h FE1 20 正向电流传输比I2.8 I VCE= 6V, Ic= lmA I h FF.2 40 正向电流传输比2.8 VcE=6V、IC=2mAI hFE3 40 I 200 正向电流比2.8 VcE=6V、IC=5mA I hFF.4 30 集电极，发射极2.3 Ic=5mA、IB=1mA V( . tl I 0.25 V 压降基极-发射极2.4 Ic= 5mA、IB=1mAVBE(削)I 0.95 V 饱和压降A3 分组5 高温工作:TA = 150C 集电极基2.1 发射极-基极开路Ic&丑20 A 截止电流V= 10V 低工作:T

11、A = - 55 C 正向电流传l比2.8 VCE= 6V、Ic=2mAI h FE5 20 A4 分组5 特征频率2.11.2 VCE= 6V、Ic=2mAh 4 GHz f=400MHz 开路出电容2.11. 3 VcB=6V、IE=OCobo pF f= lMHz 噪户系VcE=6V、IE=2mA2.12.5 f=600MHz R.= 50n 3DG144A F 3 dB 3DG144B 2 dB 3DG144C 1. 5 dB 一6一SJ 50033/95 95 续表1GB 4587 极限值LTPD 符号单位方法条件最小最大功率增益A3 VcE=6V、IE=2mAGp 12 dB j=

12、600MHz、Rg= 500 寸A5、A6和A7分组不适用表2B组检验GB 128 检验或试验LTPD 方法条件Bl 分组15 可焊性2026 受试引出数4标志的耐久性1022 B2分组10 热冲击(度循环)1051 试验条件C-l密封1071 a细试验条件Hb粗试验条件C最后测试见表4，步1.3和4B3 分组5 稳态工作寿命1027 VCB=8V、Ptot=100mW、TA=25土3C不允许器件加散热器或强迫风冷最后测试见表4，步2和5B4 分组开内部吕检2075 目检标准按鉴定时的设计.每批个器件、(设计。失效合强度2037 试验条件A20(C= 0) B5 分组不适用B6 分组7 I岛温

13、寿命(不工作)1032 TA =200C 最后测试见表4，步2和5 7一或试验Cl 分组尺寸C2分组热冲击(玻璃应力)引出端强度密封a细b粗检.综合温度/湿度周期试验外观及机械检最后测试C3 分组冲击变频加速度最后测试c4分组盐气(适用时)C5 分组不适用分组稳态工作寿命最后测试步检试验1 I ;集电极.基极截止电流2 电极-基极截止电流3 |集电极发射极饱和压4 i正向电流比5 |正向电流传比8一SJ 50033/95 95 表3C组检验方法2066 1056 2036 1071 1021 2071 2016 2056 2006 1041 1026 GJB 128 见图1A 试验条件E见表4

14、H C 条件1、3和4.见表4步骤1、3和4TA=25土3C、V=8VP,= 100mW 不允许器件加散热器或强迫风冷见表4步骤2和5表4B组和C组的最后的测试GB 4587 极值符号方法条件最小最大2.1 |发射极，基极开I VCB01 I /VCB= 15V 5 2.1 发射极开l C002 I V，= 15V 2.3 Ic=5mA I V CE( . ,) I I 0.25 IB= lmA 2.8 V=6V、Ic=2mAh陀340 I 200 2.8 IV(E=6V、Ic=2mAI t.h民3I 初始值的:!:25 % LTPD IS 10 10 15 = 10 单位A A V SJ 5

15、0033/95 95 注:1)对于本试验，超过A组极限值的器件不应接收。5 交货准备5. 1 包装要求求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB33的规定。5.3 运输要求应按GJB33的规定。6 说明事项6. 1 预定用途符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有的后勤保障用。6.2 订货资料合同或订货单应规定下列内容:a. 本规范的名称和编号;b. 等级(见1.3.1);c. 数亘;d. 需要时，其它要求。6.3 对引出端涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定(见3.2.1)。如使用单位需要时，典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。9一Al 目的SJ 50033/95 95

16、 附录A电极发射极击穿电压的测试方法(补充件)本测试的目的是为了在规定的条件下确定晶体管的击穿电压是否大于规定的最低极限值。A2 测试电路测试电路见Al。S、_Rl 1十VCE -Ic 国Al集电极-发射极击穿电压测试电路A3 电阻器Rl为限流电阻，应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表。在发射极.基极开路的条件下，增加电压值到达到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加电压大于V(BR)CEO的最低极限值，则晶体管为合格。附加说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所和中国华晶电子集团公司起草。本规范主要起草人:孙勤、谢佩兰。计划项目代号:B31003o一10一