SJ 50033 88-1995 半导体分立器件.CS6760和CS6762型硅N沟道增强型场效应晶体管详细规范.pdf

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1、FL 5961 SJ 50033/88一1995口口型向晶挝曰主吕Semiconductor discrete device Detail specification for type CS6760 and CS6762 silicon N-channel enhacement mode field-effect transistor 1995-05-25发布1995-12-01实施中华人民共和国电子工业部批准1范中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件CS6760和CS6762型硅N沟道增强型场效应晶体管详细规范Semiconductor discrete device Detail s

2、pecification for type CS6760 and CS6762 silicon N-channel enhacement mode field-effect transistor 1. 1 主题内容SJ 50033/88 1995 本规范规定了CS6760和CS6762型硅N沟道MOS增强型功率场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。1. 2 适用范围本规班适用于器件的研制、生产和采购。1.3 分类本规范根据器件质量保证等级进行分类。1. 3. 1 器件的等级按GJB33(半导体分立器件总规班)1.3条的规定，提供的质量保证等级为普军、特军和超特军三级，分别用字母GPGT和GC

3、T表示。2 引用文件GB 4586 84 场效应晶体管测试方法GB 6571 86 小功率信号二极管、稳压及基准电压二极管测试方法GB 7581 87 半导体分立器件外形尺寸GJB 33 85 半导体分立器件总规范GJB 128 86 半导体分立器件试验方法3 要求3. 1 详细要求各项要求应按GJB33和本规范的规定。中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布1995-12-01实施SJ 50033/88 1995 3.2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2. 1 引出端材料和涂层引出端材料应为可伐或铜。引出端表面涂层应为镀金、镀锡或浸锡

4、。对引出端材料和涂层要求选择或另有要求时，在合同或订单中应明确规定(见6.3)。3.2.2 器件结构采用硅N沟道MOS增强型外延平面。不允许多个芯片结构。3.2.3 外形尺寸外形尺寸按GB7581的B2-OlC型及如下规定，见图1。sl R R2 q. (管壳)U 1D -2 一2一D 引出端极性:1.栅极2.源极SJ 50033/88 1995 尺代号B2-01C l丑寸最标=主bA t/b1 t/b2 0.966 1D d 5.46 F L 8.0 L1 1P 3.84 q 29.90 R1 R2 S 16.89 U1 U2 图1外形尺寸3.3 最大额定值和主要电特性3.3. 1 最大额定

5、P 10 1 ) Pwt Vos v V 01 2) 02 型号Tc = 25C Tc = 25C Tc = 25CiTc = 100 (W) (W) (V) (V) (V) CS6760 400 400 75 4 士20CS6762 500 500 注:1) Tc 25C时，按0.6W/C的速率线性降酬。2)超过Tc= 25C时的降额按公式:0= 式中:P(额定值)= (75 - ( T c - 25) (0.6) W; K = rOS(on)的最大值(在TZ=150下)。 (A) (A) 5.5 3.5 4.5 3 -称最大8.63 12.19 1. 52 1.092 22.86 3.50

6、 13.9 1. 52 4.21 30.40 寸13.58 4.82 40.13 27.17 I s Z OM TOP和1Vos、VTstg (低气压)(A) (A) (C ) (V) 5.5 22 -55-400 4.5 18 + 150 500 3一SJ 50033/88 1995 3.3.2 主要电特性(TA = 2St ) V(BRJOSS V GSl th )1 Ir洛因VGS = OV VDS VGS VGS = OV 型号ID = 1mA ID = 0 25mA VDS = 80%的VDS额定值(V) () (A) L . :.巧。; 400 2-4 主豆25、5协762三江气。

7、-m斗11 l)H.i-冲法(见4) 1)。3 4 电测试要求电测试应符合GB4586及本规范的规定。3.5 标志器件的标志应按GJB33的规定。3.6 静电放电保护本规范规定的各种器件要求静电保护(见6.4)。4 原量保证规定4. 1 抽样和检验抽样和检验应按GJB33和本规范的规定4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级)1) 凶(，)VGS = 10V (0) T) = 25C T) = 150C 在ID1下在1m下骂王10 骂王2.5十1 5 骂王375 / R向c(C /w) 骂王167 选应按GJB33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1进

8、行，超过本规范表1极限值的器件应予剔除。筛选测试或试(GJB 33表2)3 试验条件F.但低温为-55C和20环外1) 2) 见45 4 1 ) 见4531) 见4556 1042方法的试验条件B7 IGSS1、IOSSl、rDS(oo)1、VGS(th Jl 8 1042方法的试验条件A9 本规范表1的A2分组:t.I GSSl =土20nA或初始值的:tlOO%.取较大者;t.Ioss1 =士25A或初始值的土100%.取较大者;AYDStm1=初始值的:t20% ; t. V GS(由)1=初始值的:t20%。 一4一SJ 50033/88 1995 注:1 )应在筛选6以前的任何时间内

9、进行。2)本试验方法决不意味着重复雪崩能量值，而是为了确保产品质量。4.4 质量一致性检验一致性检验应按GJB33的规定进行。4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组检验B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量(.1 )要求应按本规范表4的步怖1J。4.4.3. C组检C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行。最后测试和变化量(.1 )要求应按本规范表4的步骤进行。4.5 检验和试验方法试验方法应按本规范相应的表和下列规定:4.5. 1 脉冲测试脉冲测试应按GJB128的3.3.2.1的规定。4.5.2 热阻抗热阻抗测量应按G

10、B4586方法18进行。R邮(m8X)= 1. 67t /W。测试条件如下:a. 测量电流1M为10mA;b. 隔极加热电流1H为2.5A;C. 加热时间tH为稳态:d. 漏一惊加热电压VH为20V;e. 测量时间延迟tMD为10至80S;1 瞬间脉冲时间tsw为10s(max)。4.5.3 热响应(VSD测量)(暂不做)VSD测量应按GB4586方法18进行。测量VSD的条件1H和VH的最大极限，应根热响应曲线的每个读数导出，并应符合鉴定前的一致性证书的规定。测试条件如下za. 测量电流1M为10mA;b. 漏极加热电流1H为2.5A;C. 加热时间tH为100ms;d. 漏一源加热电压VH

11、为20V(min); e. 测量时间延迟tMD为10至80S;f. 瞬间脉冲时间tsw为10s(max)。4.5.4 非黯位感性开关(暂不做)测试条件如下:a. 峰值电流10为3.1A;b. 峰值栅极电压VGS为10V;C. 栅一源电阻RGS按规定;d. 初始壳温为十25!Ot; 5一SJ 50033/881995 e. 电感为100H:tl0%;f. 施加的脉冲数为1次:g. 脉冲重复率为零。4.5.5 栅极应力试验(暂不做)测试条件如下:a. VGs=30V b. t = 250s (min) (min)。表1A组检验GB 4586 检验或试方法条件Al分组GJB 128 外观和机械207

12、1 A2分组1漏源击穿电压G2 Vcs = OV 10 = l mA CS6760 CS6762 栅源电压6 V凶二Vcs 10 = 0.25mA 栅极泄电流2.2 Vcs= :t 20V Vos = OV 漏1泄电流4 Vcs = OV Vos = 80% Vos 稳态漏态电阻15 Vcs = lOV 脉冲法(4.5.1)CS6760 10 = 3.5A CS6762 10 = 3.0A |漏源通态电压15 Vcs = 10V 脉冲法(4.5.1)CS6760 10 = 5.5A CS6762 10 = 4.5A |漏源一极管的正向电压GB6571 Vcs = OV 2. 1. 2 法(4.

13、5.1)CS6760 Is = 5.5A CS6762 Is = 4.5A 正向跨导10 Vos = 15V 脉冲法(4.5.1)CS6760 10 = 3.5A CS6762 10 = 3.0A 斗A3分组6一LTPD 5 5 5 极值符号单位最小值VCBR)OSS 400 v 500 v Vcsc由)12.0 4.0 V Icss1 土100nA Ioss1 25 A rOSCon)l 1. 0 。1. 5 。VOSCon) 6.7 V 7.7 v Vso 0.75 1. 5 V 0.7 1. 4 V 3.0 9.0 s 2.5 7.5 s SJ 50033/88 1995 续表1GB 4

14、586 极限检或试LTPD 符号 单位方法条件最小值最大值禹-温工作:T c = Tj = + 125C 栅极泄电流2.2 VGS =士20VI 1 G四!土2001 nA Vos = OV 1 , . 源漏泄电流I VGS = OV V路=100% Vos 1. 0 1 mA 定值)V凶=80% Vos 1 0.25 1 mA 值)通态电阻I V GS = 10V iDS(on)2 脉冲法(4.5.1)(CS6760 10 = 3.5A 2.2 10 CS6762 10 = 3.0A 3.3 10 源阂电压6 I Vos VGS I V GS( .h)2 1. 0 IV 10 = 0.25m

15、A 低温工作:I T c = Tj = - 55C 电压IV凶VI V GS(州5.0 IV 10 = 0.25mA 一7一SJ 50033/88 1995 续表1GB 4586 极限值检或试验LTPD 符号单位方法条件小信号共源短路输出电容9 Vos = 25V Co圈VGS = OV f = 1MHz CS6760 50 300 pF CS6762 25 200 pF 小信号共源短路反馈电容11 Vos = 25V C睛VGS = OV f = 1MHz CS6760 20 80 pF CS6762 15 60 pF 反向恢复时间GB6571 djd, = 100A/s t町2.14.2

16、Voo 30V CS6760 IF = 5.5A 700 ns CS6762 IFF = 4.5A 900 ns A5分忽10 安全工作区19 Tc = 25oC t = 1 s ，见图2试验iCS6760 Vos = 200V 10 = O.37A CS6762 Vos = 200V 10 = O.375A 试2 CS6760 Vos = 13.6V 10 = 5.5A CS6762 Vos = 16.6V 10 = 4.5A 最后测试见表4，步骤1、2、3、4，5、6和7A6和A7./JJi 不适用表2B组检验GJB 128 检或试验LTPD 方法条件B1分组15 |可焊性2026 标志的

17、耐久性1022 8一SJ 50033/88 1995 续表2GJB 128 检验或试LTPD 方法条件B2分组10 热冲击(温度循环)1051 试验条件矶，但低为-55C除外。密封1071 a细检条件Hb.粗条件C最后试:见表4，步1，2、3、4、5、6和7B3分组5 间工作寿命1042 试验条件D，2000个环，每个循环至少lmino最后测试:见表4，步骤1，2、3、4、5、6、7和8B4分组15 开帽内部臼检验(设计验证)2075 每批个件，零失效。合强度2073 试验条件人20 每个器件所有的内部引线分别进行拉力试验(C=O) B5分组15 热阻扰见4.5.2(仅进行鉴定试B6分组7 禹

18、温寿命(不工作)1032 TA=150C 最后测试:见表4，步1-2、3、4，5、6和7表3C组检验GJB 128 检或试验LTPD 方法条牛Cl分组115 外形尺寸I 2066 I见1 C2分组110 热冲击(玻璃应力)1056 试条件A引出端(引线拉力)2036 条件A密封1071 a.骂H恒主击事、试验条件Hb.粗试验条件C综合温度/度周期1021 试外观及机械1 2071 9一SJ 50033/881995 续表3GJB 128 检验或试 LTPD 方法条件最后测试:见表4.步骤1，2、3、4，5、6和7C3分组10 冲击2016 变频振动2056 f亘定加速度2006 最后测试;见表

19、4.步骤1，2，3、4，5、6和7c4分组15 盐气1041 (适用时)C5分组15 低气压1001 条件C.I (1&) O. 25mA CS6760 Vos = 400V CS6762 Vos = 500V c6分组= 10 问歇工作寿命1042 * 条件D.6000个循环.每个循环至少lmin。最后测试:见表4.步骤1、2、3、4、5、6、7和8表4A组、B组和C组的最后测试GB 4586 极限值单回步检验符号方法条件最小值最1 源击穿电压G2 VGS = OV VCBR)DSS Io = lmA 400 V CS6760 500 V CS6762 2 栅惊阂电压6 Vos二三VGS V

20、 GSC由)12.0 4.0 V 10 = 0.25mA 3 栅极漏泄电流2.2 Vcs =土20V1 GSSl 士100nA Vos = OV 4 泄电流4 Vcs = OV IDSSl 25 A Vos = 80% Vr回(额定5 稳态源远态电阻15 VGS = lOV rOSCon)I 脉冲法(4.5.1)CS6760 10 = 3.5A 1.0 a CS6762 10 = 3.0A 1. 5 a 一10一SJ 50033/88一1995续表4GB 4586 极限值步检验符号、方法条件最小值最大谊6 态电压15 VGS = 10V V 05(,) 脉冲法(4.5.1)CS6760 ID

21、= 5.5A 6.7 V CS6762 ID = 4.5A 7.7 V 7 -极管的正向电压GB 6571 VGS = OV Vso 2. 1. 2 脉冲法(4.5.1)CS6760 Is = S.5A 0.75 1. 5 V C6762 Is = 4.5A 0.7 1. 4 V 8 热响应见4.5.3l1 Vso 1) 低lO%.C组允许降低30%。20 眈iim200 100 50 10 Tc=2St: 5 ,2 注:1) B组允许o. 1 1. 0 0.5 0.2 2 1. 0 ,10 5 (MRa聪11 电压(V)一CS6760安全工作区图图2aSJ 50033/88 1995 T=2

22、St o. 2 2 5 10 o. )键时背崽oc 100 50 10 5 2 0.1 1. 0 6. 1 预定用途符合本规范的器件供新设备设计使用和供现有的后勤保障用。6.2 订货资料合同或订货单应规定下列内容:本规范的名称和编号;等级(见1.3.1);电压(V) CS6762安全工作区图图、2b5. 1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB33的规定。5.3 运输要求运输要求应按GJB33的规定。6 交货准备说明5 a. b. c. 置1写主;d. 需要时，其他要求。6.3 对引出端涂层有特殊要求时，应在合同或订货单中规定(见3.2.1)。如使用单位时，

23、典型特性曲线等可在合同或订货单中规定。要12 一SJ 50033/88 1995 6.4 操作作MOS型器件必须采取必要的预防措施，以免因静电累积而损坏器件。推荐以下操作方法:a. 器件应在表面导电并接地的工作台上操作。b. 操作器件的人员及有关试验设备、工具等均需接地。C. 手持器件时不要触及引线。d. 在导电泡沫或截体中贮存器件。e. 在MOS区域内应避免使用塑料、橡胶或丝刑。f. 若有可能，应保持相对温度大于50%。g. 在试验和排除故障期间，应住意对任何引线施加的电压不得超过最大额定值。h. 漏一源施加偏置电压时，栅源之间必须接R小于100kn的电阻。附加说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所和八七七厂负责起草。本规范主要起草人:王民福、张滨、王保棋。计项项目代号:B21016。13一