ITU-T V 31 BIS SPANISH-1988 ELECTRICAL CHARACTERISTICS FOR SINGLE-CURRENT INTERCHANGE CIRCUITS USING OPTOCOUPLERS《使用光耦原件的单流交换电路的电气特征》.pdf

《ITU-T V 31 BIS SPANISH-1988 ELECTRICAL CHARACTERISTICS FOR SINGLE-CURRENT INTERCHANGE CIRCUITS USING OPTOCOUPLERS《使用光耦原件的单流交换电路的电气特征》.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《ITU-T V 31 BIS SPANISH-1988 ELECTRICAL CHARACTERISTICS FOR SINGLE-CURRENT INTERCHANGE CIRCUITS USING OPTOCOUPLERS《使用光耦原件的单流交换电路的电气特征》.pdf（6页珍藏版）》请在麦多课文档分享上搜索。

1、UNIN INTERNACIONAL DE TELECOMUNICACIONESUIT-T V.31bisSECTOR DE NORMALIZACINDE LAS TELECOMUNICACIONESDE LA UITCOMUNICACIN DE DATOSPOR LA RED TELEFNICACARACTERSTICAS ELCTRICAS DE LOSCIRCUITOS DE ENLACE PARATRANSMISIN POR CORRIENTE SIMPLEUTILIZANDO OPTOACOPLADORESRecomendacin UIT-T V.31bis(Extracto del

2、 Libro Azul)NOTAS1 La Recomendacin UIT-T V.31bis se public en el fascculo VIII.1 del Libro Azul. Este fichero es un extractodel Libro Azul. Aunque la presentacin y disposicin del texto son ligeramente diferentes de la versin del Libro Azul,el contenido del fichero es idntico a la citada versin y los

3、 derechos de autor siguen siendo los mismos (Vase acontinuacin).2 Por razones de concisin, el trmino Administracin se utiliza en la presente Recomendacin para designar auna administracin de telecomunicaciones y a una empresa de explotacin reconocida. UIT 1988, 1993Reservados todos los derechos. No p

4、odr reproducirse o utilizarse la presente Recomendacin ni parte de la misma decualquier forma ni por cualquier procedimiento, electrnico o mecnico, comprendidas la fotocopia y la grabacin enmicropelcula, sin autorizacin escrita de la UIT.Fascculo VIII.1 - Rec. V.31bis 1Recomendacin V31bisCARACTERSTI

5、CAS ELCTRICAS DE LOS CIRCUITOS DE ENLACEPARA TRANSMISIN POR CORRIENTE SIMPLE UTILIZANDO OPTOACOPLADORES(Mlaga-Torremolinos, 1984)1 Consideraciones generalesEn general, las caractersticas elctricas especificadas en esta Recomendacin se aplican a los circuitos de enlaceque funcionan a velocidades bina

6、rias de hasta 75 bit/s, tratados en la Recomendacin V.31, y tambin a los circuitos deenlace que funcionan a velocidades binarias de hasta 1200 bit/s.Se especifican las caractersticas elctricas para facilitar la compatibilidad con los equipos existentes conformes ala Recomendacin V.31 que satisfacen

7、los valores de tensin y corriente indicados en el cuadro 1/V.31 bis. Los valoresde resistencia definidos en la Recomendacin V.31 se han convertido en valores de corriente y tensin para cumplir losrequisitos de los optoacopladores.Cada circuito de enlace est formado por dos conductores (conductores d

8、e ida y de retorno), aisladoselctricamente uno de otro, as como de los dems circuitos de enlace. Puede asignarse un conductor de retorno comn avarios circuitos de enlace de un grupo.2 Circuito equivalente de interfazLa figura 1/V.31 bis muestra el circuito de enlace equivalente, as como las caracter

9、sticas elctricas establecidasen esta Recomendacin. Algunas caractersticas elctricas dependen del lugar de recepcin de la seal, es decir, de quelas seales se reciban en el equipo de terminacin del circuito de datos (ETCD) o en el equipo terminal de datos (ETD).Este problema se trata especialmente en

10、los puntos pertinentes.3 Fuente de sealesLa fuente de seales, tanto cuando est en el equipo de terminacin del circuito de datos como cuando est en elequipo terminal de datos, debe estar aislada de masa o de tierra.Si el lado receptor de seales est en el equipo de terminacin del circuito de datos, la

11、 resistencia de aislamientoen el estado CERRADO o el ABIERTO, medida entre cada extremo y tierra o entre cada extremo y cualquier otrocircuito de enlace, no podr ser inferior a 5 MW , y la capacidad medida entre los mismos puntos no podr ser superiora 1000 pF.Independientemente de lo que precede, la

12、s siguientes especificaciones rigen para la fuente de seales:3.1 Resistencia interna de la fuente de seales (R1, R0)En el estado CERRADO (o 1 binario), la resistencia en corriente de la fuente de seales, R1, depende de Vs, VreI1(vase la figura 1/V.31 bis). En el estado ABIERTO (o 0 binario), la resi

13、stencia en corriente continua de la fuente deseales, R0, depende de Vre I0(vase la figura 1/V.31 bis).3.2 Corriente en el interfaz (I0)La corriente (I0), que representa la corriente inversa de optoacopladores en el estado ABIERTO, no deberexceder de 10 A (vase la figura 1/V.31 bis).3.3 Capacidad de

14、la fuente de seales (Cg)La capacidad de la fuente de seales (Cg), incluyendo la capacidad del cable de interfaz, medida en el interfaz(vase la figura 1/V.31 bis), no ser superior a 2500 pF.2 Fascculo VIII.1 - Rec. V.31bis4 Lado recepcin de seales4.1 Lado recepcin de seales en el ETCDEl lado receptor

15、 de seales en el ETCD puede estar a potencial flotante o conectado a tierra en un puntocualquiera.4.1.1 Tensin en circuito abierto del lado recepcin de seales (Vr)La tensin en circuito abierto (Vr) en el lado recepcin de seales del ETCD, medida en el interfaz (vase lafigura 1/V.31 bis) no ser inferi

16、or a 3 V ni superior a 25 V. La polaridad de Vrtiene que escogerse para el sentido decorriente del ETD al ETCD por el conductor de ida y del ETCD al ETD por el conductor de retorno.4.1.2 Corriente en el interfaz (I1)La corriente I1suministrada por el lado recepcin de seales en el ETCD, no deber ser

17、inferior a 0,1 mA nisuperior a 5 mA, cuando se mide en el interfaz en el estado CERRADO (o 1 binario).Fascculo VIII.1 - Rec. V.31bis 34.1.3 Tensin en el interfaz (Vs)La tensin en el interfaz (Vs), medida entre los conductores de ida y de retorno en el estado CERRADO (o 1binario), no deber ser superi

18、or a 1 V.4.1.4 Resistencia interna del lado recepcin de seales (Rr)La resistencia interna (Rr) del lado recepcin de seales del ETCD es la que corresponde a los lmites de latensin en circuito abierto Vrdel lado recepcin de seales y de la corriente I1en el interfaz; estos valores se especificanen los

19、4.1.1 y 4.1.2.Aunque Rrtenga una componente inductiva, la tensin en el interfaz no deber exceder del mximo de 25 Vespecificado en el 4.1.1.4.1.5 Capacidad del lado recepcin de seales (Cr)La capacidad del lado recepcin de seales (Cr) del ETCD, incluyendo la capacidad del cable hasta el interfaz(vase

20、la figura 1/V.31 bis), no est especificada. Slo es necesario asegurar que el lado recepcin de seales funcionasatisfactoriamente, habida cuenta de la capacidad de la fuente de seales (Cg).4.2 Lado recepcin de seales del ETDEl lado recepcin de seales del ETD puede conectarse a tierra en un punto cualq

21、uiera.4.2.1 Tensin en circuito abierto del lado recepcin de seales (Vr)La tensin en circuito abierto (Vr) en el lado recepcin de seales del ETD, medida en el interfaz (vase lafigura 1/V.31 bis), no ser inferior a 3 V ni superior a 25 V. La polaridad de Vrtiene que escogerse para el sentido decorrien

22、te del ETD al ETCD por el conductor de ida y del ETCD al ETD por el conductor de retorno.4.2.2 Corriente en el interfaz (I1)La corriente (I1), suministrada por el lado recepcin de seales del ETD, no deber ser inferior a 0,1 mA nisuperior a 15 mA, cuando se mide en el interfaz (vase la figura 1/V.31

23、bis) en el estado CERRADO (o 1 binario).4.2.3 Tensin en el interfaz (Vs)La tensin en el interfaz (Vs), medida entre los conductores de ida y retorno en el estado CERRADO(o 1 binario), no deber ser superior a 1,5 V.4.2.4 Resistencia interna del lado recepcin de seales (Rr)La resistencia interna del l

24、ado recepcin de seales (Rr) del ETD es la que corresponde a los lmites de la tensinen circuito abierto (Vr) del lado recepcin de seales y de la corriente en el interfaz (I1), valores que se han especificadoen los 4.2.1 y 4.2.2.4.2.5 Capacidad del lado recepcin de seales (Cr)La capacidad del lado rec

25、epcin de seales del ETD (Cr) incluyendo la capacidad del cable, no est especificada.Slo es necesario asegurar que el lado recepcin de seales funcione satisfactoriamente, habida cuenta de la capacidad dela fuente de seales (Cg).4 Fascculo VIII.1 - Rec. V.31bis5 Atribucin de sealesEl cuadro 1/V.31 bis especifica las atribuciones para las seales digitales en los circuitos de datos, de control y detemporizacin.CUADRO 1/V.31 bis0,1 mA I1 5 mA(15 mA)VS 1 V (1,5 V)I0 10 ACircuitos de datos Estado 1 Estado 0Circuitos de control y de temporizacin Estado CERRADO Estado ABIERTO