GB T 13151-2005 半导体器件 分立器件 第6部分;晶闸管 第三篇 电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范.pdf
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1、ICS 31.080.20 K 46 道国中华人民共和国国家标准G/T 13151-2005/IEC 60747-6-3: 1993 代替GBjT13151-1991 半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第三篇电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范Semiconductor devices-Discrete devices一Part 6 : thyristors一Section three-lank detail specification for reverse blocking triode thyristors, ambient and case皿rated,fo
2、r currents greater than 100 A (lEC 6074 7-6-3/QC 750113: 1993 , IDT) 2005-03皿23发布中华人民共和国国家质量监督检验检瘦总局中国国家标准化管理委员会2005-10-01实施发布中华人民共和国国家标准半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第三篇电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范GB/T 13151-2005/IEC 60747-6-3:1993 * 中国标准出版社出版发行北京复兴门外三里河北街16号邮政编码:100045 网址电话:6852394668517548 中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷
3、各地新华书店经销当岳开本880X12301/16 印张1字数25千字2005年6月第一版2005年6月第一-次印刷祷书号:155066 1-22494 定价12.00元如有印装差错由本社发行中心调换版权专有侵权必究举报电话:(010)68533533GB/T 13151-2005/IEC 60747-6-3: 1993 前言本标准是晶闸管空白详细规范系列国家标准之一,这一系列国家标准现包括:-GB/T 6352半导体器件分立器件第6部分z闸流晶体管第一篇100 A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范-一-GB/T6590半导体器件分立器件第6部分:闸流晶体管第二篇100 A以下
4、环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范一-GB/T13150 半导体器件分立器件电流大于100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范-GB/T 13151半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第三篇电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范-GB/T 13153 5A以上环境或管壳额定可关断晶闸管空白详细规范本标准等同采用IEC60747-6-3 :1993(半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第三篇:电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范(英文版)。本标准代替GB/T13151-199110USL; 或IRRM1100USL 另有规定
5、除外 检验要求极限引用标准检验或试验符号GB/T 4937一1995Trunb/T, =25C,另有规定除外最小值| 最大值(见总规范第4章)B1分组GB/T 4589. 1-1989, 尺寸4.2.2,附录B见本标准第1章6 GB/T 13151-2005/IEC 60747-6-3: 1993 续表引用标准条件检验要求极限检验或试验符号GB/T 4937-1995 Tomb/Tca臂=25.C,另有规定除外(见总规范第4章)最小值最大值B3分组端子强度适用时弯曲(D)II. 1. 2 力=见GB/T4937 1995 , 不损坏和(或)II. 1. 2 转矩(D)II. 1. 4 B4分组
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