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    GB T 13151-2005 半导体器件 分立器件 第6部分;晶闸管 第三篇 电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范.pdf

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    GB T 13151-2005 半导体器件 分立器件 第6部分;晶闸管 第三篇 电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范.pdf

    1、ICS 31.080.20 K 46 道国中华人民共和国国家标准G/T 13151-2005/IEC 60747-6-3: 1993 代替GBjT13151-1991 半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第三篇电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范Semiconductor devices-Discrete devices一Part 6 : thyristors一Section three-lank detail specification for reverse blocking triode thyristors, ambient and case皿rated,fo

    2、r currents greater than 100 A (lEC 6074 7-6-3/QC 750113: 1993 , IDT) 2005-03皿23发布中华人民共和国国家质量监督检验检瘦总局中国国家标准化管理委员会2005-10-01实施发布中华人民共和国国家标准半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第三篇电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范GB/T 13151-2005/IEC 60747-6-3:1993 * 中国标准出版社出版发行北京复兴门外三里河北街16号邮政编码:100045 网址电话:6852394668517548 中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷

    3、各地新华书店经销当岳开本880X12301/16 印张1字数25千字2005年6月第一版2005年6月第一-次印刷祷书号:155066 1-22494 定价12.00元如有印装差错由本社发行中心调换版权专有侵权必究举报电话:(010)68533533GB/T 13151-2005/IEC 60747-6-3: 1993 前言本标准是晶闸管空白详细规范系列国家标准之一,这一系列国家标准现包括:-GB/T 6352半导体器件分立器件第6部分z闸流晶体管第一篇100 A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范-一-GB/T6590半导体器件分立器件第6部分:闸流晶体管第二篇100 A以下

    4、环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范一-GB/T13150 半导体器件分立器件电流大于100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范-GB/T 13151半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第三篇电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范-GB/T 13153 5A以上环境或管壳额定可关断晶闸管空白详细规范本标准等同采用IEC60747-6-3 :1993(半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第三篇:电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范(英文版)。本标准代替GB/T13151-199110USL; 或IRRM1100USL 另有规定

    5、除外 检验要求极限引用标准检验或试验符号GB/T 4937一1995Trunb/T, =25C,另有规定除外最小值| 最大值(见总规范第4章)B1分组GB/T 4589. 1-1989, 尺寸4.2.2,附录B见本标准第1章6 GB/T 13151-2005/IEC 60747-6-3: 1993 续表引用标准条件检验要求极限检验或试验符号GB/T 4937-1995 Tomb/Tca臂=25.C,另有规定除外(见总规范第4章)最小值最大值B3分组端子强度适用时弯曲(D)II. 1. 2 力=见GB/T4937 1995 , 不损坏和(或)II. 1. 2 转矩(D)II. 1. 4 B4分组

    6、可焊性适用时1II . 2. 1 按规定,最好用焊槽法润湿良好B5分组快速温度变化皿.1. 1 10个循环a) 空腔器件继之:电测试密封,细检漏皿.7.3或囚.7.4按规定和密封,粗检漏GB/T 2423.23-1995 , b) 非空胶和环氧密封试验Q按规定空腔器件继之:外部目检GB/T 4589. 1-1989 , 4. 2. 1. 1 稳态湿热皿.5c应规定严酷度,24h 电测试见A2和A3按A2b和A3B8分组电耐久性(168h) GB/T 15291-1994, V 高温交流阻断或工作寿命工作寿命时:IT(AV) (80% 100%) IT(AV)max 最后测试:通态峰值电压V T

    7、M 按A2b1. 1 USL 反向重复峰值电流IRRM1 按A2b2 USL 断态重复峰值电流IDRM1 按A2b2 USL CRRL分组B3、B4、B5和囚的属性资料7 G/T 13151-2005/IEC 60747-6-3: 1993 C组周期LSL=规范下限值1j按A组USL=规范上限值j标有(D)的试验是破坏性试验(3.6.6)检验或试验|符号Cl分组尺寸C2a分组维持电流擎住电流C2b分组反向重复峰值电流断态重复峰值电流C2c分组通态i良涌电流最后测试:通态峰值电压反向重复峰值电流断态重复峰值电流电路换向关断时间(仅快开关型)C2d分组热阻如适用C4分组耐焊接热(0)最后测试:8

    8、通态峰值电压反向重复峰值电流断态、重复峰值电流VTM RRMl ORMl 按A2b按A2b按A2b检验要求极限最小值| 最大值见本标准第1章 USL USL USL USL USL USL GB/T 13151-2005/IEC 60747-6-3: 1993 续表引用标准条件检验或试验符号GB/T 12560-1999 Tamb/T.叩=25C,另有规定除外(见总规范第4章)C7分组稳态湿热a) 空腔器件GB!T 4937一1995,严酷度:II类和皿类56d 皿.5A, 1类21d b) 非空腔和环氧密GB/T 4937-1995 , 严酷度1封空腔器件III.5B 偏置:详细规范应规定持

    9、续时间,II类和田类1000h I类500h 最后测试:通态峰值电压VTM 按A2b反向重复峰值电流IRRM1 按A2b断态重复峰值电流IORM1 按A2bC8分组电耐久性(最少1000 h) GB/T 15291-1994, V 高温交流阻断或工作寿命C工作寿命时:IT AVJ = (80%-100%)h(A响maxJ最后测试:通态峰值电压VTM 按A2b反向重复峰值电流IRRM1 按A2b断态重复峰值电流IORM1 按A2bC9分组高温贮存(0)GB/T 4937-1995 , 在T阴阳时,最少1000 h 最后测试zIII.2 通态峰值电压VTM 按A2b反向重复峰值电流IRRM1 按A

    10、2b断态重复峰值电流IORM1 按A2bCRRL分组C4,C7、C8和C9的属性资料9 D组一一鉴定批准试验当要求时,本试验应在详细规范中规定(仅对鉴定用)oJIVD=各个器件的初始值1i按A组USL=规范上限值j 检验要求极限最小值|最大值1. 1USL 2USL 2USL 1. 1USL 2USL 2USL 1. 1USL 2USL 2USL ggdEEh守hoUM嗣同OON-巴的FH阁。GB/T 13151-2005/IEC 60747-6-3: 1993 条件检验要求极限检验或试验符号引用标准T,mb/T,e=25C ,另有规定除外(见总规范第4章)最小值最大值D1分组电耐久性仅对环境

    11、额定GB/T 15291 1994 , V 工作寿命:按C8J器件J(注2)最后测试:同C8同C8同C8D2分组热循环负载试验仅对管GB/T 15291 1994 , 循环次数:应规定壳额定器件N.4 最后测试:通态峰值电压V TM 按A2b1.lUSL 反向重复峰值电流IRRM1 按A2b2USL 断态重复峰值电流IDRM1 按A2b2USL D3分组恒定加速度仅对空腔器GB/T 4937-1995 , 按规定件n.5 最后测试:通态峰值电压V TM 按A2b1. 1USL 反向重复峰值电流IRRM1 按A2b2USL 断态重复峰值电流IDRM1 按A2b2USL 一一一L一一一二一注2:如此试验在C8己完成,则在此不再要求。附加资料(不作检验用)只要器件规范和应用需要,就应给出附加资料,例如:一-有关极限值的温度降额曲线;测量电路或附加方法的完整说明;一-详细的外形图。10 侵权必究书号:155066 1-22494 定价:12.00元¥版权专有


    注意事项

    本文(GB T 13151-2005 半导体器件 分立器件 第6部分;晶闸管 第三篇 电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范.pdf)为本站会员(livefirmly316)主动上传,麦多课文档分享仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对上载内容本身不做任何修改或编辑。 若此文所含内容侵犯了您的版权或隐私,请立即通知麦多课文档分享(点击联系客服),我们立即给予删除!




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