GB T 20229-2006 磷化镓单晶.pdf
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1、ICS 29.045 H 83 gB 中华人民共和国国家标准G/T 20229-2006 磷2006-04-21发布化镣单Gallium phosphide single crystal E3 日日中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员全2006-10-01实施本标准由中国有色金属工业协会提出。本标准由信息产业部(电子)归口。目U1=1 本标准起草单位:中国电子科技集团公司第十三研究所。本标准主要起草人:孙聂枫、周晓龙、孙同年。GB/T 20229-2006 I 磷化镣单1 范围E3 日日GB/ T 20229-2006 本标准规定了非掺杂、掺S、掺Te的n型磷化嫁单晶链
2、及单晶片的牌号、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于高压液封直2 规范性引用文件GB/ T 43 GB/ T 66 3 要求3.1 牌号磷化嫁单HPLEC 示例:HPLEC-GaP-N(S) -( 3. 2 磷化鲸单晶链特性3. 2. 1 磷化嫁的导电类型为n型。的引用文件,其随后所有准达成协议的各方研究(111)晶向磷化嫁单晶。3.2.2 磷化嫁单晶链的掺杂剂、霍耳迁移率和电阻率应符合表1的规定。表1磷化嫁单晶的导电类型、掺杂剂、电学参数掺杂剂载流子浓度/迁移率/电阻率/导电类型cm -3 cm2 /C V. s)J CO cm) S 2 X 1017 8
3、X 1017 二主100101103 掺杂n型Te 2 X 1017 8 X 1017 二三100101103 非掺n型o. 5 X 1017 2 X 1017 二:;,110GBjT 20229-2006 3.2.3 磷化嫁单晶链的晶向为011。3.2.4 磷化嫁单晶链的直径为50.8mm。3.2.5 磷化嫁单晶链的表面应元裂纹、无孪晶线、无夹杂、无微孔等。3.3 磷化嫁单晶片特性3.3. 1 磷化嫁单晶片的电学参数应符合表I的规定。3.3.2 磷化嫁单晶片的位错密度应不大于5X105cm2。3. 3. 3 磷化嫁单晶片的表面应无裂纹、无孪晶线,无微孔、无桔皮、无白雾等。3.3.4 磷化嫁单
4、晶片的几何参数应符合表2的规定。表2磷化鲸单晶片的几何参数直径/mm直径偏差/mm厚度/m50.8 :1: 0.5 285 注:其他要求由供需双方商定。4 试验方法4. 1 磷化嫁单晶导电类型测试方法按GB/T1550规定的方法进行。4.2 磷化嫁单晶电学参数测试方法按GB/T4326规定的方法进行。4. 3 磷化嫁单晶晶向测量方法按GB/T1555规定的方法进行。厚度偏差/m土154.4 磷化嫁单晶外形尺寸测量方法用精度为0.02mm的游标卡尺和精度为0.005mm的千分尺测量。4.5 磷化嫁单晶位错密度测量方法按GJB3076规定的方法进行。4.6 磷化嫁单晶片厚度和厚度变化测量方法按GB
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