GB T 20228-2006 砷化镓单晶.pdf
《GB T 20228-2006 砷化镓单晶.pdf》由会员分享,可在线阅读,更多相关《GB T 20228-2006 砷化镓单晶.pdf(6页珍藏版)》请在麦多课文档分享上搜索。
1、ICS 29.045 H 83 GB 中华人民共和国国家标准GB/T 20228-2006 呻化镣单晶Gallium arsenide single crystal 2006-04-21发布中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员去2006-10-01实施本标准由中国有色金属工业协会提出。本标准由信息产业部(电子)归口。目自昌本标准起草单位:北京有色金属研究总院。本标准主要起草人:王继荣、武壮文、于洪国、张海涛。GB/T 20228-2006 I GB/T 20228-2006 呻化嫁单晶1 范围本标准规定了呻化嫁单晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装等。
2、本标准适用于各种方法生长的呻化镣单晶,产品主要用于光电器件、微波器件、集成电路、传感元件和窗口材料等的制作。2 规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法GB/T 4326 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法GB/T 8760 碑化嫁单晶位错密度的测量方法GB/T 14264 半导体材料术语GB/T 14844 半导体材
3、料牌号表示方法GJB 1927 碑化嫁单晶材料测试方法3 术语、定义GB/T 14264确立的以及下列术语和定义适用于本标准。3. 1 单晶single crystal 指各种方法生长的碑化嫁体单晶。3.2 晶提ingot 指各种方法生长的碑化嫁单晶晶链。4 要求4.1 产品分类4. 1. 1 产品按导电类型分为SI型、n型和p型。4. 1. 2 产品按生长方法分为液封直拉法(LEC)、垂直梯度凝固法(VGF)、垂直布里奇曼法(VB)、水平布里奇曼法(HB)等。4.2 单晶牌号单晶牌号参照GB/T14844。4.3 单晶链的表示方法示例:HBGaAs-Te表示水平布里奇曼法生长的掺磅砰化嫁单晶
4、。LECGaAs-no口e表示液封直拉法非掺碑化嫁单晶。VGFGaAs-Si表示垂直梯度凝固法掺硅呻化嫁单晶。VBGaAs-Zn表示垂直布里奇曼法掺铮网化嫁单晶。G/T 20228-2006 5 技术要求5.1 单晶链5. 1. 1 单晶生长方向为:(11)和(00)。所需特殊的方向由供需双方协商确定。5. 1.2 单晶掺杂剂、载流子浓度范围、电子迁移率见表1;所需特殊的掺杂剂和对非掺半绝缘呻化嫁单晶电子迁移率的要求由供需双方协商确定;SI(半绝缘)呻化嫁单晶退火前、后值及退火条件由供需双方协商确定。表1LEC呻化镣单晶掺杂剂、载流子浓度范围、电子迁移率导电类型n p SI(半绝缘)5.2 单
- 1.请仔细阅读文档,确保文档完整性,对于不预览、不比对内容而直接下载带来的问题本站不予受理。
- 2.下载的文档,不会出现我们的网址水印。
- 3、该文档所得收入(下载+内容+预览)归上传者、原创作者;如果您是本文档原作者,请点此认领!既往收益都归您。
下载文档到电脑,查找使用更方便
5000 积分 0人已下载
下载 | 加入VIP,交流精品资源 |
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- GB 20228 2006 砷化镓单晶
