GB T 15870-1995 硬面光掩模用铬薄膜.pdf
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1、GB!T 1 5870 1 995 前主口本标准非等效采用SEMI标准Semip286(硬面光掩模用铅薄膜。本标准第4章要求中4.6按Semip 2 86(硬面光掩模用锚薄膜制定,其余均按我国国情制定。本标准对国家标准GB7237一87(铅版中3.2的内容进行补充。与GB7237中3.2的重要技术改变之处为:增加磁溅射方法制作的错膜有关技术指标。本标准由中华人民共和国电子工业部提出。本标准由电子工业部标准化研究所归口。本标准起草单位:长沙韶光微电子总公司、电子工业部标准化研究所。本标准主要起草人:吴保华、王亦林、赵雨生、谈仁良。中华人民共和标硬面光用Chrome thin films for
2、hard surface photomasks 1 范围本标准规定了硬面本标准适用于硬面2 引用膜的要求、检验规则等内容。模用铅薄膜(以下简称铅C/T 15870 1995 下列标准所包含的条文,通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。本标准出版时,所示版本均为有效。所有标准都会被修订,使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性。GB 191 90 包装储运图示标志GB 2828一87逐批检查计数抽样程序及抽样表(造用于连续批的检查)GB 2829 87 周期检查计数抽样程序及抽样表(适用于生产过程稳定性的检查)GB 7239 87 铅版锚膜和肢膜厚度的测试方法GB 7240 87 锚
3、版锚膜表面反射率的测试方法GB 7241 87 铅版光密度的测试方法GB/T 15871一1995硬面光掩模基板S1/T 10584 94 微电子学光掩蔽技术术语3 定义本标准采用S1/T10584中的定义。4 要求4. 1 锚薄膜光密度a)铅薄膜的光密度为2.5土0.3(白光hb)特殊要求,由供需双方商定。4.2 锚薄膜厚度a)真空蒸发成膜的低反射率(LRC)锚b)磁控溅射成膜的低反射率(SLRC)恪c)特殊要求,由供需双方商定。4.3 锚薄膜反射率a)高反射:R40%; b)中等反射:15%R40% ; c)低反射:R15%。4. 4 锚薄膜蚀刻时间国家技术监督局1995-12-22批准为
4、145nm士15nm;厚度为95nm土10nm;1996-08-01实GB/T 1 5870 1 995 a)真空蒸发成膜的低反射率恪膜蚀刻时间小于50s;b)融控溅射成膜的低反射率锚膜蚀刻时间小于70s。4.5 铅薄膜蚀刻均匀性a)蒸发铅膜:同板内为士3s,不同板间为士5s;b)溅射铅膜:同板内为士5s,不同板间为土10s。4.6 锚薄腰缺陷外观质量区内缺陷的大小和每种类型所允许的缺陷数量见表1和表2。圆形质量区范围见GB/T15871 1995(硬方形质量区范围见GB/T15871 1995(硬面光表l圆形质中图4所示。中图5所示。区内的缺陷缺陷尺基板错膜m 尺寸等级15. 0 5.110
5、 100mm AA 。(4in) A(主掩模2 。B 3 1 C( 127mm AA 。( 5in) A(主掩2 。B 4 1 C(试验)152mm AA 。(6in) A(主掩模)3 。B 6 2 C(试验)表2方形区内的缺陷缺陷尺基板错m 尺寸等级15. 0 5.110 100mm AA 。(4in) A(主掩模)2 。B 4 1 C(试验)127mm AA 。(5in) A(主掩模)3 。B 6 2 C( ) 152mm AA 。(6in) A(主掩模)4 。B 8 2 C(试革命)寸寸10以上。10 。15 。20 10以上。10 。15 。?n 5 试验方法5. 1锚GB/T 158
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