SJ 1795-1981 50～1000mA小电流半导体闸流管（暂行）.pdf

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1、中华人民共和国第四机械工业部部标臼l(暂行)SJ1795 81 , 9 8 1 国中华人民提?.咆SJ1795 81 : . 流标50 v 1000mA小电流半行(暂一1民本产品标准适用于额定通态平均电流为501000mA的半寻体闸流管(以下简称产品).该产品主要用于无触点开关、脉冲电路等方面.产品除应符合本标准外，还应符合SJlI0l76IT (.A.V) 宽度200川OA/s c、反向电压峰值VRM-I00V(VoRM10 0.45 10.4-10 20 0.2 )20 0.4-30 岳王130 0.5-30 4二1.5)30 2.5 类别一=-同1S页第8页SJ1795 81 7、全部产

2、品均应进行工艺筛选，筛选项目z( 1 )高温贮存:将非工作状态下的产品置于T.TJ固的高温箱内，贮存一定时间.( 2 )室温贮存:将非工作状态下的产品置于室温下，贮存至少一个月.( 3 )检漏:根据具体情况，各生产厂应采用行之有效的方法进行检I111，I0 ( 4 )生产厂还应创造条件，进行其他项目的工艺筛选z女u低温贮存、湿热、温度冲击、高温加电等。8、例行试验的补充规远:(们1)试验前，测试样品的J巳5类电参数应同时符合表3、表4、表5的规定:并记录实测值作为本次试验的试前值( 2 )测试样品的LX类电参数应符合表5的规范。其中浪涌电流试验单独抽样，其抽样数量同环境试验，考核标准、合格标准

3、均同高温贮存试验.经浪涌试验后的样品，不得做正品出厂。( 3 )引出线抗拉强度试验时，按5J132878(电于元器件引出端强度试验方法的规定。9、振动强度、机械冲击、变频振动等每项试验后考核标准为:( 1 )产品不得有机械损伤，引出线不得断裂或脱藩;绝缘于不得开裂或脱情;( 2 )分别在25土50C和100土2C下测试VDRM、VRRM应不低于标称档值，IDR (AV)、IRR(AV)应符合表5的规定:( 3 )在25士50C下测试VT (AV)、VGT值应符合表5的规运;( 4 )在25土5C下测试IGT与试前值相比:包标为红、橙、黄、录者，允许变化值不超过0.01+40份试前值:值色标为兰

4、、紫、灰者，允许变化值不超过0.1十40%试前10、低温性能试验，在甲55:!:3 .C下测试，考核标准为:( 1 ) V DRM、VJRM应不低于标称档值，IDR (AV)、IRR(AV)应符合表5&. SJ1795 81 共15页第9页的规定;( 2 )与试前值相比:a、VOT值相对变化小于或等于3倍;b、IGT值相对变化:红、橙、黄、录者小于或等于5倍:兰、紫、灰者小于或等于3倍.11.低温贮存、温度冲击、交变湿热等每项试验后，考核标准为z( 1 )产品应无锈斑，表面镀层或涂层不得起泡、开裂或脱落，于不得开裂或脱情;( 2 )同第9条(2 )、( 3 )、( 4 ) 12、高温贮存试验t

5、时间规定为120小时，其考核标准为z( 1 )同第11条(1 )款( 2 )分别在25土5t和100士2t下测试VDRM、VRRM值应不低于标称档值、IDR(川、IRR(AV)不超过表5规范值的1.2倍:( 3 )在25士5C下测试VT (川、VOT值不超过表5规范值的1.2倍:( 4 )在25士5c下测试IGT与试前值相比z色标为红、橙、黄、录者、允许变化值不超过0.01+50% 试前值:色标为兰、紫、灰者，允许变化值不超过0.1十50份试前值13、热疲劳试验后考核标准为:同第12条(2 )、( 3 )、( 4 ) 14、产品使用在海拨2500;5000米高度时，应按图2所示曲线降负荷使用。

6、使用在海拨5000米以上高度时，增作低气压试验，考核标准由供需双方协商. SJ1795 81 lit-茄i寸ill-Jl hd刷万共11页第10页t来J25佣f 度负荷曲的关系曲图2态平均电流与环远15、产品的线)见图3.To. (C) 100 1r ( yJ 100 111tt 。一55图316、说明E( 1 )表5中的C类参数为参考参数，生产厂应每年测试相当数量的产品，并在产品手册上给出典型值供用户参考.如用户有要求时，由供需双方协商.( 2)生产厂在产品手册(或说明书)上应给出下列典型曲线zA伏安特性曲线:b、控制极触发电流、触发电压与环湿度(-55.100 t: )的关时间与触发电流的

7、关系曲线。开极止用控.,FLW 系10 SJ1795 81 共1&页第11页附录名词术语及有1.半导体闸流管一类以半导体单晶为主要材料制成的，包括三个或更多的错，能够由断态转入通态或由通态转入断态的双稳态半导体器件的泛2.反向阻断型半导体闸流管一种对正阳极电压有开关作用，对负阳极电压没有开关作用，而呈现反向阻断状态的半导体闸流管3.反向阻断型高频半导体闸流管在规寇条件下，额寇工作导体阐流管.4.伏安特性于或大于loKH霉的反型半以控制极触发电流为参变量的阳一阴极间电压与电流之函数关系的特性。一般用囹示法表示-5.转折点伏安特性曲线之微分电阻为霉，且主电压到6.断态值的点.对应于半导体闸流管伏安

8、特性曲线的原点与转折点之阔高阻小电流部分的状态。7.通态对应于半导体闸流管伏安特性曲线之低电压、低阻部分的状态.8.反向阻断状态反向阻断型半导体闸流管处于负阳极电压下的状态，即对应于其伏安特性曲线原点与反向击穿点之间的部分的状态，9.主电压阳极对于阴极间的电压.10.主电流对应于主电压rH的阳极与阴极间的电流二111.正向电压11 共1&页第12页SJ1795 81 阳极对阴极为正值时的电压(正阳极电压) 12.反向电压阳极对阴极为负值时的电压(负阳极电压) 13.断态电压一-VO半导体闸流管处于断态的主电压.14.通态电压一-VT半导体闸流管处于通态时的主电压.15.正向转折电压一-V(BO

9、) 管由断态转向通态之瞬间主电压，即转折点的主电压.16.反向击穿电压一-V(BR) 反向阻断型半导体闹流管的反向电流比某一规定值显著大时的反向电压，即反向特性曲线急剧变弯处的反向电压.17.断态重复峰值电压一-VDRf半导体闸流管所能重复承受的断态电压包括所有的重复瞬态电压，而不包括任何的不重复瞬态电压)的最大瞬时值。18.反向重复峰值电压一一VRRM半导体闸流管所能重复承受的反向电压(包括所有的重复反向瞬态电压，而不包括任何的不重复瞬态电压)的最大瞬时值。19.断态不重复峰值电压-VOS:II半导体闸流管能够不重复的承受的，断态瞬态电压的最大瞬时值.20.反向不重复峰值电压一-VRSM反向

10、阻断型半导体闸流管能够不重复的承受的，反向瞬态电压的最大瞬时值.注z重复电压一放出电路引起，是电路的函数，并使器件的功耗增加.不霆复瞬态电压一般由外界因素引起，并假定其效应在引起下次瞬电压之前已经完全消失.中所规定的VDRM和VRRM两值是相等的.是在Ta为25土5c和Tjm土30下分别测试.取其最低值为半导体闸流管出广时的标称额定电压值.且有如下规定21.2VDRM=VDSMV (80) 1. 2VRRM=VRSMV (8R) 21.遇态平均电压一-VT(.W) 在规寇条件下，半导体闸流管通以额定通态平均电流，其结温稳寇12 SJ1795 81 共1&页时主电压的平均值-22.通态峰值电压，

11、-VTM在规定条件下，半导体闸流管通以倍额寇通态平均电瞬时主电压(峰值) 值.23.控制极电压一一V控制极与所规定的电极之间的电压.24.控制极触京电压一-VGT产生控制极触发电流所需要的控制极电压.25.控制极不触京电压一-VGD不导致半导体闸流管从断态转向通态的最大的控制极电压.26.控制极正向峰值电压一-VFGM控制极正向所允许的电压(包括所有的正向瞬态电压的最大瞬时27.控制极反向峰值电压，-VRGM极所允许的反向电压包括所有的反向解态电压)的最大瞬时28.通态电流一一IT半导体闸流管处于通态时的主电流.29.通态平均电流-IT(.wl通态电流在整个周期内的平均值.30.额走通态平均电

12、流在规定条件下，当半导体闸流管结温稳定且不超过额定结温时，阳极和阴极间允许连续通过的最大正向半波电流的平均僵.31.断态重复平均电流一-IDR(AV) 半导体闸流管对应于额定结温时断态重复峰值电压下的平均电流.32.反向重复平均电流一一IRR(Avl 反l句阻断型半导体闸流管对应于额寇结温时反向重复峰值电压下的平均电1IIIu33.控制极触发电流一-IGt使半导体闸流管由断态转入通态所需的最小控制极电流.13 共11页第14页SJ1785 81 34.控制极不触发电流一一IGD体闸流管处于断态所允许的最大控制极电流.3-5.控制极正向峰值电流IFGM控制极正向允许的电流(包括所有的正向瞬态电流

13、)的最大串串时值，36.维持电流一IH使半导体闸流管维持通态所需妥的最小通态电流，37.浪涌电流一一ITSM一种持续时间短，且其:后紧跟一定反向电压的，具有规克波形的不重复最大通态电流。注2通过浪漏电流后将引起结ia升高并受浪漏电流的次数是有限的.主卢温.在半号体闸流管的寿命期内，承最38.控制极峰值功率-PGM在规定条件下，控制极正向时所允许的控制极电流与控制极电压的 39.控制极平均功率-PG (AV) 在规定条件下，控制极正向所允许的最大平均功率e40.控制极控制开遇时间一一t用控制极触发脉冲使半导体闸流管从断态转入通态所需要的时间间隔.注:控制极控制汗遇时间，一般纯称为开渥时间，开通对

14、i可般从搜刮目E咏冲前沿的规定点起，到主电压从初始值降低至规定值止的时间间隔，其为延迟与上多|时间之和.41.换向美断时间一-tQ在主电路换自时，从半导体闸流管主电流降至零值的瞬间起到规定的断态电压能够开始加上的瞬间止的时间间隔。42.断态电压!脂界上升率.d 旷dt在规定条件下，半导体闸流管从断态转入通态的电压上升卒的最低值，43.通态电流I脂界上升在规定条件下，半导升丰的战大值。14 ijdt 流管能够承受而平不或损坏的通态电流上SJ1795 81 共16页第u页44.额定结温一-TJ皿半导体闸流管在正常工作条件下，允许的最高PN结温度。注:半导体闸流管的p-N绪处于额定结温时，其一切有关的额定值都应得到保证.45.环境温度-一-T.在规定条件下测得半导体闸流管周围介质的温度.46.参数符号中部分下标的意义D一一第一个下标时表示断态，第二个下标时表示不触发.R-一镇一个下标时表示反向，第二个下标时表示T一一第一个下标时表示通态，第二个下标时表示触友.F一一表示正向。S一一第二个下标时表示不重复.M一一表示最大值、峰值.(AV)一一表示平均值.(BO)一一表示转折。(BR)一一表示击穿.G一一表示控制极.gt-一表示控制极控制开通.q一一表示换向美断。H一一表示维持.15