GB T 15120.6-2012 识别卡 记录技术 第6部分：磁条-高矫顽力.pdf

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1、ICS 35.240.15 L 64 /.f?_,.:,.:.:,. f!ij!.，:，:.!.，!.!.，!.!E! 也.量，J/!.!，川，:，:.:.:.:.，:，:品-.理.圄.:.:-,.:.:.:._ -:.-，:，酒-胃、且.:. :E 、U-隘吕立飞.飞.:.:-:.川w. . : . : . -.!.iI_ 一中华人民共和国国家标准GB/T 15120.6-2012 识别卡记录技术第6部分:磁条一高矫顽力Identification cards-Recording technique一Part 6: Magnetic stripe-High coercivity (lSO/I

2、EC 7811-6:2008 ,MOD) 2012-12-31发布2013-06-01实施/:1? ,;, _J/沾吨踞在ZFE)ic全层茸茸切中华人民共和国国家质量监督检验检瘦总局中国国家标准化管理委员会发布GB/T 15120.6-2012 目次前言.皿1 范围2 符合性-3 规范性引用文件.4 术语和定义5 识别卡的物理特性.3 5.1 磁条区域翘曲.3 5.2 表面变形.36 磁条的物理特性46. 1 磁条区域的高度和表面轮廓.4 6.2 表面粗糙度.6.3 磁条与卡的粘合.6 6.4 读/写磁头对磁条的磨损.6 6.5 耐化学性.6 7 磁性材料的性能特性.6 7.1 总则.6 7.

3、2 测试和操作环境.6 7.3 对磁介质信号幅度的要求.7 8 编码技术.89 编码规范总则.9 9.1 记录角.9 9.2 标称位密度.10 9.3 第1、第2和第3磁道的信号幅度要求.10 9.4 位构成. 11 9.5 记录方向.11 9.6 前导零和后导零. . . . . . . . . . . . 11 10 编码规范. . . . 11 10.1 字母数字磁道一一第1磁道.1110.2 数字磁道一一第2磁道1410.3 数字磁道一-第3磁道.15 11 差错检测.15 11. 1 奇偶校验.16 11. 2 纵向冗余校验(LRC)MM 编码磁道的位置.16 附录A(资料性附录磁条

4、的读兼容性(GBjT15120.2和GB/T15120.6) . . 17 附录B(资料性附录磁条的研磨性.18 附录C(资料性附录)静态磁特性.19 GB/T 15120.6-2012 前GB/T 15120(识别卡记录技术分为以下几个部分z-一第1部分z凸印p一一第2部分z磁条一低矫顽力;一一第3部分:ID-1型卡上凸印字符的位置z一一第6部分z磁条一高矫顽力。本部分为GB/T15120的第6部分。本部分按照GB/T1. 1-2009给出的规则起草。本部分使用重新起草法修改采用ISO/IEC7811-6 :2008(识别卡记录技术第6部分z磁条高矫顽力。本部分与ISO/IEC7811-6:

5、2008相比，存在如下技术性差异za) 根据目前源标准和二级标准的迁移情况，将源标准定义为一套由德国物理技术研究院(PTB)建立，并且目前在美国Q-Card保存的基准卡，代表RM7811-2指定的UR和IR的数值(见4. 1) ; b) 根据ISO/IEC10373-2的最新版本，删除了ISO/IEC7811-6: 2008的附录B(规范性附录)信号幅度测量。本部分还做了下列编辑性修改zd 删除了国际标准前言zb) 删除了文本中大部分的英制单位，对于工业界的习惯用法，某些部分的英制单位仍保留。本部分由全国信息技术标准化技术委员会(SAC/TC28)提出。本部分由中国电子技术标准化研究所归口。本

6、部分起草单位z中国电子技术标准化研究所、云南南天电子信息产业股份有限公司、中国乐凯胶片集团公司。本部分主要起草人z金倩、段霞、冯敬、高林、耿力、袁理、王文峰、乔申杰。皿GB/T 15120.6-2012 识别卡记录技术第6部分:磁条一高矫顽力1 范围GB/T 15120的本部分是描述在第4章中定义的识别卡的特性和国际交换中使用识别卡的标准之一。本部分规定了识别卡上高矫顽力磁条(包括任何保护涂层的特性、编码技术、编码磁道的位置和字符集。根据人、机两者因素规定了最低要求。矫顽力影响到本部分中许多量值的规定，但本身未作规定。高矫顽力磁条的主要特性是它提高了抵抗擦除的能力。这使它实现了在与GB/T15

7、120. 2中规定的磁条保持读出兼容性的同时，把与其他磁条接触时被损坏的可能性降到了最小。本部分适用于提供卡应遵循的准则。在本部分中没有考虑使用次数，如果需要，则根据之前卡测试的经验。如果卡不符合规定准则，则应在涉及到的各方中进行协商。ISO/IEC 10373-2规定了检查卡符合本部分规定参数的测试规程。注=在本部分中用到的公制和/或英制测量体系中的数值可能已经被换算，但相互间并不完全相等.两种制式都被使用，但两者不宜被混杂或被再转换.最初的设计是使用英制测量体系.2 符合性符合本部分的前提条件是符合GB/T14916.当识别卡符合此处规定的所有强制性要求时才能声称符合本部分。如果其他方面未

8、作规定，则使用默认值。3 规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单适用于本文件。GB/T 3505 产品几何技术规范(GPS)表面结构轮廓法术语、定义及表面结构参数(GB/T 3505-2009, ISO 4287: 1997 ,IDT) GB/T 14916识别卡物理特性(GB/T14916-2006 ,ISO/IEC 7810:2003 , IDT) GB/T 17554. 1识别卡测试方法第1部分z一般特性测试(GB/T17554.1一2006，ISO/IEC 10373-1

9、: 1998 , MOD) ISO/IEC 10373亿识别卡测试方法第2部分:带磁条的卡(ldentificationcards-Test meth ods-Part 2 :Cards with magnetic stripes) 4 术语和定义GB/T 14916界定的以及下列术语和定义适用于本文件。1 GB/T 15120.6-2012 4. 1 谭标准prim町ystandard 一套由德国物理技术研究院(PTB)建立，并且目前在美国Q-Card保存的基准卡，代表RM7811-6指定的UR和lR的数值。4.2 4.3 二摄标准S民ondarystandard RM7811-6指定的基准

10、卡，它和源标准的关系在与每张卡一起提供的校准证书中说明。注z二级标准目前可以从美国Q-Card订购，地址为:301Reagan Street , Sunbury, PA17801 , USA.二级标准源将至少保存到2020年。未编码未使用的卡unused un-encoded card 具有预期用途所要求的全部组件，未进行过任何个人化或测试操作，并且被保存在清洁的环境中，在5C30 c的温度和10%90%的湿度条件下并且暴露在日光下的时间不超过48h，也未遭受过热力冲击的卡。4.4 4.5 4.6 4. 7 己编码未使用的乍unused encoded card 根据4.3，为了将来的应用，只

11、是进行了数据编码(倒如磁条编码、凸印、电子编码)的卡。返回的卡retnmed card 根据4.4，在它被发放给持卡人后为了测试的目的又被返回的卡。磁通翻转flux transition 磁化距离变化率最大的位置。基准电流reference current I g 在给定测试条件下的最小记录电流幅度，它使得基准卡上在密度为每毫米8次磁通翻转的情况下，读出的信号幅度为基准信号幅度U且的80%，见图604.8 4.9 4. 10 2 基准磁通水平reference flux level Fg 与基准电流lR相对应的测试磁头内的磁通水平。测试记录电流test recording currents 两

12、个记录电流定义如下zlmin=对应于2.8倍FR的记录电流1m皿=对应于3.5倍FR的记录电流单个信号幅度individual si伊alamplitude U. 单个读出电压信号的基-峰值幅度。4. 11 平均信号幅度average signal amplitude UA GB/T 15120.6-2012 一个磁道上覆盖整个磁条区域的每个信号峰值(Ui)的绝对值相加后的总和，再除以信号峰值的总个数后得到的数值。4. 12 4. 13 4. 14 4. 15 基准信号幅度reference signal amplitude UR 基准卡校正到源标准后得到的平均信号幅度的最大值。物理记录密度p

13、hysical recording density 记录在一个磁道上的每单位长度内的磁通翻转数量。位密度bit density 单位长度内存储的数据位的数量(单位为bits/mm或bpi)。位单元bit cell 两个时钟磁通翻转间的距离，见图11.4. 16 4. 17 子间距subinterval 两个时钟磁通翻转间的距离的一半，见图11.退磁电流demagnetization current Id 在二级基准卡(密度为20ft/mm(500 ftpi) ，用电流Imin编码上，把平均信号幅度减少到基准信号幅度(UR)的80%的直流电流值。5 识别卡的物理特性识别卡应符合GB/T14916

14、中给出的规定。警告z发卡者应注意保存在磁条上的信息可能会因为与不洁物质或化学物品接触后受污染而失效。还应注意任何放置在磁条表面的印刷或遮盖物不得使磁条功能有所威弱。5. 1 磁条区域翘曲在与磁条相对的卡的正面均匀施加2.2 N的力，引起的整个磁条在刚性平面上的偏离应不超过0.08mm. 5.2 表面变形卡上如图1所示区域内的正、反两面均不得有变形、不规则和突起的部分，否则会影响磁头和磁条的接触。3 GB/T 15120.6-2012 单位为毫米/上基准边缘?晴22无变形区域磁条卡的无变形区域如果突起的签名条位于卡的正面或反面，它距离上基准边缘的距离不得小于19.05mm。注2卡上其他区域的突起

15、和变形可能会影响卡在磁条处理设备上的传送，从而导致读写失败。圄1磁条的物理特性6 磁条区域的高度和表面轮廓6. 1 磁条区域位于如图2所示的卡背面。单位为毫米Mh咽43.国/上基准边缘. -t-磁条区域是4、磁条宽度/w2.但是大82.55最小飞使用第1和第2磁道:a=11.89最小使用第1、第2和第3磁道:a =15.95最小注2对于使用第1、第2磁道的磁条区域，如图2所示的磁介质a的尺寸可小于图12所示的卡上第2磁道位置b的最大值.磁条区域超出编码磁道的边界是合理的.ID-1型卡上磁性材料的位置固24 GB/T 15120.6-2012 6. 1. 1 磁条区域的表面轮廓磁条区域截面轮廓的

16、最大垂直偏差(a)如图3、图4和图5所示。表面轮廓曲线的斜率应限定为2-4a/W一共14个字符用作硬件控制，不能作为信息数据内容使用。 GB/T 15120.6-2012 字符 共3个字符保留在需要附加国家字符时使用，它们不能在国际间使用。字符#保留为选择添加图形符号用。字符%A?作用如下z% 起始符域分隔符? 结束符表47位字母数字编码字符集二进制二进制字符字符P 2S 24 23 2 2 20 P 2S 24 23 space 1 。 。1 。1 A 1 1 。,. 。1 。B 1 1 。# 1 。1 1 C 。1 。$ 。1 。D 1 1 。% 1 。1 。1 E 。1 。& 1 。1

17、1 。F 。1 。 。1 1 1 G 1 1 。1 。H 1 1 。1 1 。1 。1 I 。1 。1 * 1 。1 。1 。J 。1 。1 + 。1 。1 1 K 1 1 。1 , 1 。1 1 。L 。1 。1 。1 1 。1 M 1 1 。1 。1 1 1 。N 1 1 。1 / 1 。1 1 1 1 。1 。1 。1 。P 1 1 1 。1 1 。1 。1 Q 。1 1 。2 1 。1 。R 。1 1 。3 。1 。1 1 S 1 1 1 。4 1 。1 。1 。T 。1 1 。5 。1 。1 。1 U 1 1 1 。6 。1 。1 1 。v 1 1 1 。7 1 。1 。1 1 1

18、w 。1 1 。8 1 。1 1 。x 。1 1 1 9 。1 1 。1 Y 1 1 1 1 = 。1 1 。1 。Z 1 1 1 1 ; 1 。1 1 。1 1 。1 1 1 1 。1 1 1 1 。 。1 1 1 ? 。1 1 1 1 1 1 1 1 1 注z本编码字符集与GB/T15120. 2的编码字符集来自ASCII)相同.二10. 1.4 ID-1型卡的最多字符数22 2 20 。1 。1 。1 1 1 。1 。1 1 1 。1 1 1 。1 。1 。1 1 1 。1 。1 1 1 。1 1 1 。1 。1 。1 1 1 。1 。1 1 1 。1 1 1 。1 。1 。1 1 1

19、。1 。1 1 1 。1 1 1 包括数据字符、控制字符、起始符、结束符及纵向冗余校验字符等全部字符数量总和不能超过GB/T 15120.6-2012 79个。10.2 数字磁道一一-第2磁道10.2. 1 平均位密度当沿着与卡的上基准边缘平行的纵向进行测量时，平均位密度应该为2.95bits/mm(75 bpi) 士5%。10.2.2 磁通翻转间距变化已编码未使用的卡的磁通翻转间距变化见表5，返回的卡的差异见表6.同时见图11.表5巴编码未使用的卡的磁通翻转间距变化一一第2磁道术语描述要求变化B. 时钟磁通翻转间的平均长度322m共3个字符用作硬件控制，不能作为信息(数据内容使用。字符;=7

20、作用如下z起始符域分隔符? 结束符14 G/T 15120.6-2012 表75位数字编码字符集二进制二进制字符字符P 23 22 21 20 P 23 22 21 20 。1 。8 。1 。1 。9 1 1 。1 2 。1 。: 1 1 。1 。3 1 。1 。1 。1 1 4 。1 。1 1 1 。7 。1 ? 1 1 1 1 1 户一)-一+注z本编码字符集与GB/T151ro. 2的编码字符集来自Ascm相同.10.2.4 ID-1型卡的最多字符数包括数据字符、控制字符、起始符、结束特及纵向冗余校验宇符等全部字符数量总和不能超过40个。10.3 数字磁道一一第3磁道10.3. 1 平均

21、位密度当沿着与卡的上基准边缘平行的纵向进吁测量时，平均位密度应该为8.27bits/mm(210 bpi) 土8%。10.3.2 磁通翻转间距变化已编码未使用的卡的磁通翻转间距变化见表2，返回的卡的差异见表3。同时见圄11.10.3.3 编码字特集第3磁道的编码字符集应是5位数字码，见表7.字符:共3个字符用作硬件控制，不能作为信息数据内容使用。宇符;=?作用如下z起始符域分隔符? 结束符10.3.4 ID-1型卡的最多字符数包括数据字符、控制字符、起始符、结束符及纵向冗余校验字符等全部字符数量总和不能超过107个。11 差错检测如下所述的两种差错检测技术应被编码。在这两种技术中，前导零和后导

22、零均不作为数据字符进行考虑。15 GB/T 15120.6-2012 11. 1 奇偶校验每个编码字符都应使用奇偶校验位。奇偶校验位的值定义为每个字符所记录的1的总数(包括奇偶校验位在内)应为奇数。11.2 纵向冗余校瞌(LRC)每个数据磁道都应有纵向冗余校验(LRC)字符。LRC字符应被编码，以便按起始符、数据和结束符的顺序方向读卡时，LRC字符紧跟在结束符的后面。LRC数据的位构成与数据字符的位构成相同。LRC字符应用下列步骤计算zLRC字符中每一位(不包括奇偶校验位)的值规定为z它使数据磁道上所有字符相应位位置上的编码为1的总数包括起始符、数据、结束符和LRC字符)为偶数。LRC字符的奇

23、偶校验位不是对相应数据磁道的各个校验位的那种校验位，而是仅按11.1中描述的对被编码的LRC字符使用的奇偶校验位。12 编码磁道的位置每个编码磁道应位于图12所示的两条线之间。编码应开始于起始符第一个1数据位的中心线，结束于纵向冗余校验码的最后一位的中心线(最后一位是奇偶校验位)。钳制醺眩曝上基准边缘单位为毫米符号第1磁道第2磁道第3磁道最IJ、8.33最小11.63a 最大9.09最大12.65最大5.79b 最具l、8.33最小11.63 是小15.19最大9.09最大12.65最大15.82c 7.44:1:1. 00 7.44土0.507.44士1.00 d 最小6.93最小6.93注

24、2所有磁道都有最小宽度2.54mm. 圄12编码磁道的位置16 GB/T 15120.6-2012 附录A(资料性附录)磁条的读兼容性(GB/T15120.2和GB/T15120.6) 本附录的目的是向使用者说明E在采用GB/T15120. 2和GB/T15120.6时，在本部分范围内提到的术语读兼容性的局限性。在理论上，高矫顽力磁条应该具有较高的抗擦除能力，但在读出信号特性方面又希望其与低矫顽力磁条(这些磁条符合GB/T15120.2的规定)相同。然而在实际上，高、低矫顽力磁条在磁特性方面的差别会产生读出信号幅度的差异，该差异在很大程度上取决于相关测量设备。一般而言，期望读出子系统对较短的记

25、录被长有较高的灵敏度，以产生相对于低矫顽力磁条读出信号幅度更高的高矫顽力磁条读出信号幅度。因此，GB/T15120.6的使用者应注意这样的事实，要获得与符合GB/T15120. 2的磁条可比较的读出信号幅度依赖于在ISO/IEC10373-2中给出的精确的测试环境的重建，17 GB/T 15120.6-2012 附录B资料性附录)磁条的研磨性本附录的目的是解释为什么磁条的研磨特性和与之有关的磁头寿命不在本部分的物理特性中规定。对研磨特性的省略反映了定义研磨参数和设计准确的、可重复的测量研磨特性的测试方法的困难。尽管没有可以重复的测试方法可用，但已知一些延长磁头寿命的技术，如改良磁头材质、磁条配

26、方添加剂、或在磁条上加保护层。量化磁条研磨性似乎成为了尝试预测磁头寿命的先决条件。然而，正如不同的磁条其研磨性有很大的变化一样，这种情况同样存在于大量的磁条读写器环境中。即便指定了环境、机械和磁条的条件，由于影响研磨性的众多复杂因素的变化，预测磁头寿命仍然是极其困难的事情。当前，使用专门设备进行的相对比较基本的研磨性测试已经完成。它比较耗时，而且需要使用大量的卡，戚本较高。如此测试的结果也只能仅显示在规定的测试条件下某张卡比其他卡研磨程度多一点或少一点进行简单排序。在这方面没有一个准确的绝对数值，而且排序也可能因为条件的不同而改变。要进行一次成功的读出或写入操作，要求磁条和磁头在整个操作过程中

27、都要保持接触。磁条和磁头间的相对运动对两者都有磨损。开始的时候，磁条的研磨随磁头经过次数的增加下降很快，所以一个新的没有使用过的磁条的研磨性可能会比只写过一次的磁条高很多，但是随着磁头经过次数的增加，磁条研磨性的改变率就降低了。已知的影响磁条研磨性的因素包括温度、湿度、磁头材料和它的磨损和耗尽的状态、磁头压力、卡速度、与磁头接触时磁条表面的特殊物理特性、表面粗糙度以及磁条的污染等。在开放环境中堆积在磁头/磁条表面的灰尘、污物和袖脂经常会导致与在实验室环境下测量出的研磨磨损产生很大的差异，而这是实际存在的。所以可以看出，不仅在涉及研磨性测试如何达到一个可以接受的测量水平上存在困难，而且对于在实验

28、室环境下测试出的研磨性结果如何预测在其真实环境中的表现也存在很大的疑问。除非这些问题都得到解决，否则就没有可用的标准规范和测试。18 C.1 介绍附录C(资料性附录)静态磁特性GB/T 15120.6-2012 本附录给出了对高矫顽力磁条的某些静磁特性的定义和数值。这些参数对在制造磁性材料时有用，但与表1中给出的卡的磁性能特性没有直接联系。在此不能保证具有本资料性附录给出的数值的磁条会符合在表1中给出的强制要求的规定。然而，不符合在此建议的静态磁性数值的磁条很可能不满足表1的规定.C.2 定义C. 2.1 最大磁场强度maximum field H, 如ISO/IEC10373-2中所述的最大

29、绝对磁场强度。C.2.2 静态M(H)团结static M(H) loop 磁场强度以足够慢的速率在极限值-Hmax和+Hmax之间循环变化时，回线不再改变，此时的正常磁滞回线就是静态M(H)回线(见IEC50(221)。C.2.3 矫顽力coercivity Hd咀连续作用的磁场把磁材料从先前的饱和磁化状态沿相反方向减小到零时，在与磁条纵轴平行的方向测量到的磁场强度见IEC50 (221). H叫=HoJ. C.2.4 剩磁remanence Mr 在磁场强度从最大值(Hmax)沿指定方向减小到零(H=O)时，在相同方向上的磁化强度值(M)。C.2.5 剩磁矫顽力remanence coer

30、civity Hr 取消外加磁场后，磁性材料从饱和磁化状态返回到零时所需的反向外加磁场强度，可以从与磁条纵轴平行的方向测量到。C.2.6 奥斯特O.oersted 磁场强度高斯cgs制的单位，通常用在磁记录行业，约等于79.587A/m(相关资料参见ISO31-5: 1992附录A)19 G/T 15120.6-2012 C.2.7 静态退磁static dema伊etizationS160 在相反磁场强度的影响下，剩余磁化的减小。以(Mr- M+ ( -160) ) / M，描述。C.2.8 纵向矩形比longitudinal squaren四SSQ 沿磁条纵轴方向测量到的剩磁(M，)与磁场

31、强度最大值(Hma，.)对应的磁化强度(M)的比值。SQ=M，/M(当Hmax)0 C.2.9 jlJ磁比remanenceratio RM 沿与磁条表面相垂直的方向测量到的剩磁(Mrp)与沿与磁条表面平行的纵向测量到的剩磁(M的比值。RM=(Mrp/M，。C.2.10 开关场斜率switch field by slope SFs 在静态磁化M(H)回路上截取M(H)=0.5M，和M(H)=一0.5M，时的磁场强度的差值，除以矫顽力。表示如下:SFs=(1 H21一IH11)/H砚，其中M(一IH11)=0.5M,. M(一IH21)=一0.5M，oC. 2. 11 开关场分布switch f

32、ield by derivative SFD 静态磁化曲线M(H)的微分曲线的半高宽度除以同一曲线上矫顽力的值。C.3 推荐特性高矫顽力磁性材料的推荐静态特性见表C.1.表C.1高矫顽力磁性材料的推荐静态特性序号参数符号数值一二矫顽力HcM 最大335kA/m(4 200 0.) 1 最小200kA/m(2 500 0.) 2 静态退磁S160 最大0.203 纵向矩形比SQ 最小0.804 剩磁比RM 最大0.355 开关场斜率SFs 最大0.306 开关场分布SFD 最大0.5020 NFON|.ONFEH阁。华人民共和国家标准识别卡记录技术第6部分z磁条一高矫顽力GB/T 15120.6

33、-2012 国中* 中国标准出版社出版发行北京市朝阳区和平里西街甲2号(100013)北京市西城区三里河北街16号(10004日网址总编室:(010)64275323发行中心:(010)51780235读者服务部:(010)68523946中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷各地新华书店经销 印张1.75 字数43千字2013年5月第一次印刷开本880X12301/16 2013年5月第一版香书号:155066. 1-46946 27.00元如有印装差错由本社发行中心调换版权专有侵权必究举报电话:(010)68510107定价G8/T 15120.6-2012 打印H期:2013年5月22日F002A