QJ 3219-2005 航天计算机抗核幅射模拟试验方法.pdf
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1、Q.J 中华人民共和国航天行业标准FL 7021 QJ 3219-2005 航天计算机抗核辐射模拟试验方法Simulation test method of nuclear radiation for on-board vehicle computer 2005一04-11发布2005-07一01实施国防科学技术工业委员会发布060508000036 本标准由中国航天科技集团公司提出。本标准由中国航天标准化研究所归口。自U昌本标准起草单位:中国航天时代电子公司第七七一研究所。本标准主要起草人:蒋轩祥、张伟功。QJ 321 9-2005 QJ 321唤一2005航天计算机抗核辐射模拟试验方法1
2、范围本标准规定了航天计算机抗核辐射模拟试验和程序。试验分为模拟电磁脉冲试验、y瞬态剂量率辐照的试验方法。中子辐照试验一般限于电路或部件级,其试验方法可参考GJB762.1一1989(半导体器件辐射加固试验方法一中子辐照试验。本标准适用于航天计算机特别是弹载计算机的研制、试验和分析,并为计算机抗核辐射环境的适应性验证及其性能评估提供依据。2 规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包含勘误的内容或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注目期的引用文件,其最新版本适用于
3、本标准。GJB 150.1-1986 军用设备环境试验方法总则GJB 548A一1996微电子器件试验方法和程序GJB 762.1一1989半导体器件辐射加固试验方法中子辐照试验GJB 762.2一1989半导体器件辐射加固试验方法y瞬时辐照试验3 术语和定义下列术语和定义适用于本标准。3.1 扰动upset 指计算机的一种功能性瞬态故障,包括逻辑状态变化、存储数据翻转和模拟信号瞬态偏移。3.2 问锁latch-up 常规体硅工艺CMOS电路中的一种寄生可控硅现象。当外部存在大的电磁干扰(EMI)、电磁脉冲(EMP)或y瞬态剂量率辐照时就可能形成问锁触发条件。电路一旦问锁并处于维持状态后,轻则
4、导致逻辑状态错误,重则引起PN结损伤甚至烧毁的永久性故障。3.3 电磁场强度electromagnetic field strength 泛指作用于计算机试品上的电压、电流、电荷或电磁场应力。其中,最大电场强度(Emax)是表征电磁脉冲能量的主要参数之一,威胁水平级模拟可达10)Y/m以上。一旦电磁场强度超过计算机试品的易损性阔值时,功能性扰动或微电子器件损伤就会发生。3.4 半幅宽度full width at half maximum amplitude(FWHM) QJ 321弘.,.2005表征电磁脉冲(EM凹的另一主要参数。电磁脉冲(EMP)的波形可用双指数函数表示,其上升时间(Ir)
5、很短,仅为10n5量级,而衰落时间(If) 较长,可达量级。相应地,通常用FWHM来表示EMP的持续时间。3.5 贯穿点point-of-ent叮电磁阻挡层(ba时er)上屏蔽被贯穿并导致EMP能量进入的部位。按贯穿类型可分为贯穿孔和贯穿导管:按结构工程学科也可分为建筑结构的、机械的、设备结构的、电气的贯穿点。减少贯穿点和贯穿点防护是EMP加固的基本技术之一。3.6 扰动(或翻转阐僵剂量率upset tbresbold dose rates (UTDR) 引起计算机功能扰动、逻辑状态变化或数据翻转的瞬态剂量率的辐照级别,是表征计算机抗y瞬态剂量率阑值中具有最小值的参数。3.7 问锁阉值剂量率J
6、atcb-up tbreshold dose rates (LTDR) 引起计算机CMOS微电路问锁的瞬态剂量率的辐照级别,LTDR通常比UTDR离出1个量级以上。3.8 损伤阎值剂量率damage thresbold dose rates (DTDR) 引起计算机微电子器件损伤的瞬态剂量率的辐照级别,DTDR通常比UTDR高出两个量级以上。4 一般要求4.1 试验方法的分类本标准规定的核辐射环境模拟试验方法包括:方法一模拟电磁脉冲试验方法二Y瞬态剂量率试验4.2试验条件按计算机技术条件要求,参照本试验方法编制试验大纲。试验的大气条件按GJB150.1-1986的3.1.1规定。按试验性质,核
7、辐射模拟试验主要分为两类:鉴定(或例行)试验和摸底试验。摸底试验的试验条件可与任务提出方协商确定。应根据理论分析和其他应用情况,合理地确定试验的初始辐射级别和后续次序辐射级别,既能充分保证试验数据的可信度和分辨率,又能有效压缩辐照试验时间和次数。4.3 注意事项试验注意事项如下:a) 应特别注意瞬态故障的记录和判别;b) 接口应具有一定的长线驱动能力,推荐采用串行通信方式,减少试验时的对外连线;c) 充分认识测试系统的重要性和复杂性,尽可能减少各种干扰的影响,以保证试验数据的可信度;d) 充分考虑模拟试验具有的破坏性特点,在试验前采取相应的预防措施;e) 试验过程中电源加电过程,应符合试品技术
8、文件规定的加电次序:f) 对于以CMOS微电路为主体器件的弹载计算机,应特别注意接口和长线通信技术的应用正确性,2 QJ 321 9-2005 以避免由它们带来的干扰甚至月锁的不良影响。5 模拟电磁脉冲试验5.1 试验目的验证或评估航天计算机对核爆电磁脉冲环境的适应性。当进行威胁水平或亚威胁水平模拟时,本方法应视作破坏性试验。5.2试验设备5.2.1 EMP模拟器典型核爆EMP模拟器的主要技术性能如下:a) EMP冲为双指数波形;b)上升时间(tr):运10ns;c) 衰落时间(咐:s级,可选择:d) 最大电场强度(Emax): 103 V/m105V/m,连续可调。5.2.2 传输电缆在电磁
9、辐射场中连接计算机试品到测量系统的电缆应具有完好的屏蔽和接地性能,并尽可能短。电缆的屏蔽程度、位置和长度对试验有很大影响,不同的接地方式也会得到不同的试验结果。如果必须使用长电缆,两端接口都要采用线驱动器。电缆对地应具有小的分布电容和低的漏电,并要求在导线之间具有低的漏电。推荐采用双屏蔽多芯同轴电缆。5.2.3 供电电源除传输电缆外,试品的供电电源及其连线是可能影响试验结果的又一主要因素。若供电电源必须置于电磁辐射场中,则供电电源应是具备EMP加固的。不论供电电源是置于辐射场中还是屏蔽测试间内,其电源连线都应是良好屏蔽的,使电磁脉冲感应的影响足够小。5.2.4 电测量系统电测量系统应具有精确测
10、量电功能和电性能所需的准确性、稳定性和分辨率。在电磁辐射场中工作的全部装置应予以适当屏蔽,并采用合理的接地方式,特别要注意减少电磁能量贯穿点,并对所有客观存在的贯穿点进行屏蔽处理,防止因测量系统本身的处理不当给试验带来的不确定性影响。5.3 试验程序5.3.1 试验大纲试验应按试验大纲规定的要求进行。该大纲应说明试品技术状态、试验时工作状态、运行程序、故障或错误判据、试验首次轰击的初始场强、后续轰击的场强或场强增量等。5.3.2 试晶技术状态只有全面满足了规定的电功能和电特性(含长线传输)的计算机产品才可进行模拟EMP试验。试品的抽选应具有充分的代表性,一般可随机抽选或协商确定。5.3.3 试
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