GB T 9530-1988 电子陶瓷名词术语.pdf
《GB T 9530-1988 电子陶瓷名词术语.pdf》由会员分享,可在线阅读,更多相关《GB T 9530-1988 电子陶瓷名词术语.pdf(44页珍藏版)》请在麦多课文档分享上搜索。
1、中华人民共和国国家标准Terms ror electronic ceramics 电子陶瓷名词术语本标准规定了电子陶名词术语的定义.包括基础理论、配料种类、性能与测试、设备和工艺及其它,共五部分。1 基础理论,. , 电子陶资electronic ceramics 在电子技术中用于制造电子元件和器件的陶资材料,一般可分为结构陶瓷和功能陶毒e1- 2 电子结构陶瓷electronic structural ceramics 用于制造电子元件、器件、部件和电路中的基体、外壳、固定件和绝缘零件等的陶怪材轩,又称装置瓷。它大致可分为电真空瓷、电阻基体资和绝缘零件资等。.3 功能陶瓷functional
2、 cramics 用于制造电容器、电阻器、电感器、换能器、滤波器、振荡器、传感器等并在电路中起一种或多种作用的陶提材料。它又可分为电容器臣、铁电、压电资、半导体程、导电陶瓷以及磁性瓷等。.4 多相系统polyphase system 在热力学中把所研究对象的物质总体称为系统。系统中具有相同的物理、化学性质的部分称为相。当系统达到热力学平衡时,按相的数目可分为单相系统和多相系统。前者又称均匀系统.后者又称非均匀系统。陶资材料一般是由晶相、玻璃相和气相组成的多相系统。1- 5 晶相crystal phase 在多相系统中由晶体构成的部分。.6 晶粒crystal-grain 在显微镜下观察到的有形
3、的晶体的通称。1- 7 玻璃相glass phase 在多相系统中由玻璃态构成的部分。它是由主要组分、添加物和杂质等熔融后凝结而成的。.8 气相gas phase 在多相系统中.由气体构成的部分。.9 气孔pore ff.在于陶克体中的小孔。与大气连通的称开口气孔,封闭的称闭口气孔.包在晶粒内部的时:品内气fL.处在lil1较之间的称品问气孔。,. 10 U费结构tl1lcrstructure 1l:显微镜1察到的瓷体内各相的种类、形状、大小、数挝、分布、取向以及晶界、显尚缺陷等.总的;陶陀材料的1&惯结构。显陆结构的研究范围通常在100mO.201,从O.2m10气的范围问:哑fJ.做ffi
4、的.10A以下的物质结构的:陆现结构。,. 1 品界cry叫albU lndary .grain boundary 不l,jJ月ropert y 州体LH卷入少1,刊号IrJt1M 改变tlfi休:!-lljt!J I生物用化学饨质的现象31.64 11 III惨kI卜t1pedoping l3 GB 9530-88 高价杂质掺入到低价基质中提供附加施主能级的现象。.65 p型掺杂p-type doping 低价杂质掺入到高价基质中提供附加受主能级的现象。.66 固溶体solid solution 一种物质(溶质的质点(原子、离子或分子溶于另一种物质溶剂)所形成的均匀固体.一般分为置换固溶体、
5、间隙固溶体和缺位固榕体.1.67 置换固榕体substitutional solid solution 溶剂晶格格点上的部分质点被溶质质点取代而成的固溶体.1.68 间隙固溶体interstitial solid solution 榕质质点进入溶剂晶格格点间的间隙位置而成的固溶体.69 缺位固溶体vacancy solid solution 晶格格点上出现空位的一种固溶体。2 瓷料种类2. 装置链mounting ceramics 用于制造电子元件、部件和电路中各种基体、结构件、绝缘零件(如各种线圈骨架、绝缘子、高频资轴、半导体器件和集成电路基片、电子管绝缘结构零件等)的陶瓷,通称装置嚣。其特
6、点是绝缘电阻高、电容率小、介质损耗小、机械强度高、热膨胀系数小、化学稳定性好等。主要瓷有滑石捷、氧化铝资、镜橄榄石毒、刚玉-莫来石毒、氧化镀宦、氮化硅臣、氮化棚瓷等。2.2 电真空黯electrovacuum ceramics 用于制作电真空器件中密封零件和绝缘零件的陶墅,称为电真空哇。属于这一类的陶瓷材料有氧化铝瓷、氧化镀捷、镜橄榄石臣、滑石瓷和氮化棚资等。电真空资的特点是真空气密性好、高温下蒸气压低、低的介质损耗角正切值、小的电容率、高的绝缘强度和机械强度、适当的导热系数和膨胀系数,热稳定性和化学稳定性好。2.3 氧化铝资alumina ceramics 以氧化铝为主要成分的陶瓷,称为氧化
7、铝嚣,如A啕75毒、A-95捷、A-97捷、A-99.9瓷等。其主晶相是-AlzOao氧化铝瓷具有机械强度高、高温下介电性能优异、真空气密性好、介电损耗低、硬度犬、导热性好、耐高温、耐磨、耐腐蚀、抗氧化等特点,主要用于制作超高频、大功率电真空器件绝缘结构零件,厚膜、薄膜和微波集成电路基片,硅整流器的壳体和支架、天线罩等.2.4 氧化镀资beryllia ceramics 主晶相氧化镀具有纤怦矿结构,吹晶相为镜铝镀化合物。按氧化镀的含量不同,可分为B-95程和B-99窍。其特点是具有很高的导热性,导热系数几乎与纯铝相等。它有优越的抗热震性,其电性能近似于氧化铝瓷。用于制作晶体管的管壳、管座、散热
8、片、功率较大的集成电路和微波集成电路基片、微波窗以及用于空间技术、原子能中子减速器等。2. 5 氧化埋陶i:lithia ceramics 仨要成分为LizO、Alz03、SiOz的陶i:材料。同1t饵陶瓷主晶相主要有樱霞石ri向J包容器。2. 23 J: i ;l rlltile clranics i以I正1:马1川ihV川1/ht飞f4飞2金E红百卫均I主;f:tiU日t/f忡H的陶览材料!陀t;f屯也梓斗韦(纠只沟I7川O8O.电与矜容斗¥.率的站削A度系数为一(750f 11仆川川川旧(仆川)、v二:1刊()/ ( J古7刊;i川,E巳什l也l!.?古巨2悴,U屹t内J王矿功)力If率
9、守守字:注.1屯包7衍F器 2, 24 lj! (i 11! f手指陀nlOlolithic capacitor tTralllllS 111 J二:lil吐出iJ包容器的l均由材料。到Ui屯在;:g,I:f( 111 p;可iE材料布介lJ. JlI也械与陶边生l:f事腰片GB 9530-88 按一定的方式迭合起来,经高温烧成一个整体,因此要求陶程和电极相互匹配,并具有相同的烧成温度.烧成温度在1200.C以上的称高温烧结姐石电容器毡,采用银-钮或金-银-钮电板,具有较好的稳定性和可靠性.烧成温度在1150C以下,为中温烧结独石电容器瓷。烧成温度在850.C左右的称低温烧结独石电容器嚣,其主
10、要组成为镜模酸铅、鸽钱酸铅、镜铅铸系及锯锦镜系化合物,采用银电极,其特点是制成的独石陶瓷电容器比容高,体积小.2.25 晶界层电容器怪boundary layer capacitor ceramics 这是一种半导体陶捷材料(BaTiO.和SrTiO.等),其晶拉是半导体性的,其晶界是绝缘性的,故名晶界层电容器植.这种陶瓷材料具有非常高的视在电容事(100甘.10.000的,较小的电容率的温度变化率(1%-20%),高可靠性,可作3类黯介电容器.2.26 阻挡层电容器瓷Am田layerqlpacitQr. ceramics 当n型BaTi03的烧结体表面被覆一层银或铜,并在氧化气氛中烧渗成电极
11、时,电极与BaTi03半导体界面间形成阻挡层,利用阻挡层的电容效应可以获得很大的电容量。有适当的绝缘电阻和扰电强度,适用于3类低压陶瓷电容器.2.27 铁电毒ferroelectric ceramics 具有自发极化的陶资材料.其主晶相以钙铁矿型居多,此外,还有鸽青铜型,烧绿石型及含锦层状化合物等。由于存在自发极化和电畴结构,其电容率随温度和外加电场呈非线性变化。在居里温度下,常常可观察到电滞困线。经极化处理后,可呈现压电效应,热释电效应,电光效应等,这类材料除作2类黯介电容器外,还可制造许多功能器件,如换能器、红外探测器、电光器件、介质放大器和移相器等。2.28 反铁电器anti-ferro
12、electric ceramics 具有自发的反相平行极化的陶资材料。在居里温度以下,往往可以观察到双电滞回线。错酸铅是典型的反铁电材料。掺氧化搁(LaZ03)和氧化锯(NbzOs)的错酸铅-锡酸铅-钦酸铅系陶瓷材料.可用作储能电容器、换能器和微位移发生器等。2.29 钦酸错系瓷zirconium titanate system ceramics 铁酸错系陶瓷,其主晶相(ZrTiO.)和TiOz-ZrOz-SnOz固溶体及其液相玻璃。电容率变化范围在30-55.电容率温度系数的变化范围在(-470-+33)X 10-6/C,介质损耗角正切值小。是用于制造1类提介电容器的较好陶瓷材料之一。2.3
13、0 铁酸镜系暨magnesium titanate ceramics 以钦酸镜(2MgO TiOz , MgO TiOz、MgO.ZTiOz)为主晶相的陶瓷材料。电容率在20左右,其主要特点是介质损耗角正切值小。可作1类低压提介电容器及高功率陶瓷电容器。2. 31 模糊铁系在magnesia-lanthana-titana system ceramics 以偏铁酸楼(MgTi03)、二铁铺(La203、2TOz)和少量TiOz为主晶相的陶瓷材料,其电容率为30-40 ,tgbium magnesium-zirconate-titanate 以Pb(MgNbz/3)z Ti,.Zr .03固禧体
14、为主晶相的陶资材料.属复合钙铁矿结构.其特点儿值和Qm值高,电容率高,时间稳定性好,温度稳定性好.可用于压电陶暨滤披嚣、变压器和延迟器等.2.49 锯铮-错铁酸铅陶资niobate-zincate lead zirconate ceramics 以Pb(Zn/3Nb的)zTi,.Z.r.03固榕体为主晶相的陶瓷材料.属复合钙铁矿结构.调节分子式中Ly.z的值,可得到一系列优良的压电陶瓷材料。例如x=50.5% ,y=26% ,z=23. 5%(摩尔比掺入少量添加物时,kp=0.760可用于压电陶磕滤波器、变压器和电声器件等.2.50 复合陶资composite ceramics 陶程与陶哇,或
15、陶瓷与其它材料所组成的非均质的复合材料。主要有陶资与金属的复合,陶瓷与塑料的复合。又称陶瓷复合材料。如,PZT陶段与PVF2塑料复合,压电常数可提高一个数量级。主要用于宇航、军工等部门作为高温结构材料,此外用于机械、化工、电子技术等领域。2. 51 云母陶臣mica ceramics 以合成云母粉和电性能良好的玻璃粉混合烧制而成的一种耐高温绝缘材料。使用温度可达800C。具有一定的韧性,可加工性和耐热震性好,兼有陶瓷和塑料两者的优点,又称陶瓷塑料。用于要求尺寸精度高和机电性能要求不太高的装置陶琵零件.2.52 鸽青铜怪tungsten brone ceramics 主晶相为鹊青铜结构的陶瓷材料
16、,如镜酸锁纳陶瓷、镜酸顿锤、陶程等。经极化处理后具有优良的压电性。可作热释电探测器,军带陶瓷滤波器等。2. 53 金属陶瓷cermet 由陶程相和粘结金属相组成的非均质复合材料。这种材料既有金属的韧性,高导热性,又兼有陶边的耐高温性,是良好的高温结构材料。又称陶暨金属。.在航空、机械、化工、冶金、原子能和电子技术等领域中应用。2. 54 玻璃陶瓷g lass-cera mics 由品相和吨余破璃相组成的质地致密、无孔、均匀的混合体,通常l1Lm到数m大小的晶粒数量达50%90%。具有高的机械强度、电阻率和介电常数,可作薄模电路基体。又称微晶玻璃。按组成分布:1g0-AI2(, -SiOz系、L
17、iOi-Alz03-SiOz系玻璃陶瓷02.55百J陶?i:graphitl clramics _j :陶仨品相是碳的同质多象变体,立方品系。有良好的导热、导电性。可作微波吸收休、高温电报、对f圳、帆械铸模及防锈涂料等。2.56 f,按比陶咒microwave Ceramlcs 快沈阳r1.Ht是:在做;皮频率FQfI在7OOO 13 000,电容水30200.在一50+ 100 C iMl J(范11;11 J、J.Il!京削!芷系较的民小。可用于Xi皮段微波器件、微波电路毕片段介质谐振器等IIt:这l9 GB 9530-88 一类陶资材料有四铁酸顿、九铁酸顿及钮辞酸顿-锡镇酸锁等系陶瓷。2
18、.57 四铁酸顿晓barium tetratitanate ceramics 主品相为四铁酸顿的微披陶瞿材料。在4GHz时,=38 , tg84 X 10一电容率的温度系数约一50X10-6/,C。用作介质谐振器时,频率温度系数为(2.15)X 10-6/,C.用于陶密电容器、微波集成电路基片、集成电路基体、微波介质、滤波器振子等.2.58 九铁酸顿瓷barium nonatitanate 主晶相为九铁酸锁的微波陶毒材料。在4GHz时它的E:,= 40,电容率的温度系数约为一24X10rc。用作介质谐振器时,频率温度系数为2XI0-6/C,品质因数大于8000.它是典型的微波介质谐振器材料。2
19、.59 导电陶在conductive ceramics 在一定温度、压力条件下具有电子(或空穴)电导或离子电导的陶怪材料。导电陶资根据具体材料不同,可用于燃料电池、陶怪高温发热体、销硫电池等。属于这一类的陶怪有碳化物陶酱、氧化错陶资、冉AlzOJ陶瓷等。2.60 氧化铝硅AlzOJ ceramics 主晶相为-Alz03的陶庵,有NaAlz03、K-Alz03等。属六方晶系层状结构,由较致密的尖晶石型的铝氧层和较松散的铀氧层交叠堆积而成,铀离子可以在制氧层平面内迁移,因而具有离子电导性。Na-Alz03陶瓷不透过锅、硫或硫化销溶体,且具有优良的离子电导性和电子绝缘性,所以可作为纳硫电池中分隔纳
20、极和硫极的隔膜,并在电池反应过程中起传导纳离子的电解质作用。可用于燃料电池、显示装置、计时器等。2.61 透明陶瓷transparent ceramics 俗的:光学陶瓷。能透过可见光的陶瓷材料的总称。主要品种有Al,03、MgO、YZ03、CaFz、BeO、GdZ03、CaO、Th02、PLZT(错铁酸铅搁)、PBZT(错铁酸铅挝、)等透明陶瓷。它们在电子、光学、高温装桂、电光源、冶金等科学技术方面都有着广泛的应用。2.62 透红外陶瓷infrared transmitting ceramics 是用陶臣制备工艺制造的具有透红外线特性的多晶材料,如MgFz,SnS、CaFz、MgO、Alz0
21、3GaAs、SrFz、BaFz,ZnSe、LaFi等。此类材料透红外性能良好,强度高、透光范围宽、且可制备大尺寸及较复杂形状的产品,广泛用于红外透过窗、导弹整流罩等方面。2.63 透明氧化铝瓷transparent alumina ceramics 又称透明多晶氧化铝陶晓或半透明氧化铝陶嚣。主晶相是-Alz03属三方晶系.其特点是透光字高(40%70%).在高温下耐碱金属蒸气的腐蚀,且致密性好,电气性能优异。被广泛用于制造商压饷订的发光管、微波集成电路的基片、轴承材料及红外光学元件等。2. 64 透明氧化忆陶transparent yttria ceramics 透H月氧化纪陶程主品阳为六方晶
22、系,是透明多晶聚合体。边Yt,军大r80%;其特点是透光性好,恪点i商、电气性能优异,是一种优良的高m.红外材料和电子材料。=t哇m于红外导弹的窗口和整;AL IR、天言是、i槌波基棍、绝缘支架、红外发生器管壳、红外透镜皮Jct也f再也窗等。也可供激光技术!-.J:UIJ e 2.t5 i;il的制铅铁电陶资leadlanthanum zirconate-titanatl ferr川leltnc Ctramics 阳的;PLZT。是一种组成为Pbll_x)La,ZrTiO认其11Zr/Ti f(J沟0.6;0. 35;.1=0. 02.0.12)的透1I1J铁l.陶泣。付定组成的凹,ZT材料.
23、外bll屯场tJT11 起极化状态变化旦旦中t1变.并伴随有光学性Ji非变(l,(创I:(折射、散射、表面形变歧,包现象等)c 人(r,f 11111; t 11无(帕格热闪光护H镜及立H:吧察wn、!叮咬11:、以后皮感光坡等t哼。2. 66 注明恍如尖,11,i f句咒I ransparent m刊llesium -alll l1ini 1I11刊pillll川tl l Il刊GB 9530-88 又称半透明烧结MgAI204其透光性能良好,在0.3-6.5m范围的线性光透射大于10%。口J见光范围的总透射光率为67%-78%。可用作天线窗、红外透射装置、密封外壳等.2.67 电光陶硅el
24、ectro-optic ceramics 具有电光效应的陶程.它是根据透明铁电陶瓷在相变过程中折射率随电场而变化的特点,即所谓电控双折射效应而发展起来的。常用的有掺倒错钦酸铅(PLZT)、掺制的错铁酸铅(PLHT)等。用于光调制器、光存储、光F电传感器、光谱滤波器、光开关、电激励多色显示器、光阅和记忆元件等。2.68 光电陶怪potoelectric ceramics 半导体陶瓷受到光照会发生某些电性能变化,这种陶瓷称为光电陶臣。如半导体硫化铺电池,光照射后发生光生伏特效应。2.69 热释电陶琵pyroelectric ceramics 具有热释电效应的陶在材料。包括铁酸铅、错酸铅、镜酸智、顿
- 1.请仔细阅读文档,确保文档完整性,对于不预览、不比对内容而直接下载带来的问题本站不予受理。
- 2.下载的文档,不会出现我们的网址水印。
- 3、该文档所得收入(下载+内容+预览)归上传者、原创作者;如果您是本文档原作者,请点此认领!既往收益都归您。
下载文档到电脑,查找使用更方便
5000 积分 0人已下载
下载 | 加入VIP,交流精品资源 |
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- GB 9530 1988 电子陶瓷 名词术语
