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    GB T 9530-1988 电子陶瓷名词术语.pdf

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    GB T 9530-1988 电子陶瓷名词术语.pdf

    1、中华人民共和国国家标准Terms ror electronic ceramics 电子陶瓷名词术语本标准规定了电子陶名词术语的定义.包括基础理论、配料种类、性能与测试、设备和工艺及其它,共五部分。1 基础理论,. , 电子陶资electronic ceramics 在电子技术中用于制造电子元件和器件的陶资材料,一般可分为结构陶瓷和功能陶毒e1- 2 电子结构陶瓷electronic structural ceramics 用于制造电子元件、器件、部件和电路中的基体、外壳、固定件和绝缘零件等的陶怪材轩,又称装置瓷。它大致可分为电真空瓷、电阻基体资和绝缘零件资等。.3 功能陶瓷functional

    2、 cramics 用于制造电容器、电阻器、电感器、换能器、滤波器、振荡器、传感器等并在电路中起一种或多种作用的陶提材料。它又可分为电容器臣、铁电、压电资、半导体程、导电陶瓷以及磁性瓷等。.4 多相系统polyphase system 在热力学中把所研究对象的物质总体称为系统。系统中具有相同的物理、化学性质的部分称为相。当系统达到热力学平衡时,按相的数目可分为单相系统和多相系统。前者又称均匀系统.后者又称非均匀系统。陶资材料一般是由晶相、玻璃相和气相组成的多相系统。1- 5 晶相crystal phase 在多相系统中由晶体构成的部分。.6 晶粒crystal-grain 在显微镜下观察到的有形

    3、的晶体的通称。1- 7 玻璃相glass phase 在多相系统中由玻璃态构成的部分。它是由主要组分、添加物和杂质等熔融后凝结而成的。.8 气相gas phase 在多相系统中.由气体构成的部分。.9 气孔pore ff.在于陶克体中的小孔。与大气连通的称开口气孔,封闭的称闭口气孔.包在晶粒内部的时:品内气fL.处在lil1较之间的称品问气孔。,. 10 U费结构tl1lcrstructure 1l:显微镜1察到的瓷体内各相的种类、形状、大小、数挝、分布、取向以及晶界、显尚缺陷等.总的;陶陀材料的1&惯结构。显陆结构的研究范围通常在100mO.201,从O.2m10气的范围问:哑fJ.做ffi

    4、的.10A以下的物质结构的:陆现结构。,. 1 品界cry叫albU lndary .grain boundary 不l,jJ月ropert y 州体LH卷入少1,刊号IrJt1M 改变tlfi休:!-lljt!J I生物用化学饨质的现象31.64 11 III惨kI卜t1pedoping l3 GB 9530-88 高价杂质掺入到低价基质中提供附加施主能级的现象。.65 p型掺杂p-type doping 低价杂质掺入到高价基质中提供附加受主能级的现象。.66 固溶体solid solution 一种物质(溶质的质点(原子、离子或分子溶于另一种物质溶剂)所形成的均匀固体.一般分为置换固溶体、

    5、间隙固溶体和缺位固榕体.1.67 置换固榕体substitutional solid solution 溶剂晶格格点上的部分质点被溶质质点取代而成的固溶体.1.68 间隙固溶体interstitial solid solution 榕质质点进入溶剂晶格格点间的间隙位置而成的固溶体.69 缺位固溶体vacancy solid solution 晶格格点上出现空位的一种固溶体。2 瓷料种类2. 装置链mounting ceramics 用于制造电子元件、部件和电路中各种基体、结构件、绝缘零件(如各种线圈骨架、绝缘子、高频资轴、半导体器件和集成电路基片、电子管绝缘结构零件等)的陶瓷,通称装置嚣。其特

    6、点是绝缘电阻高、电容率小、介质损耗小、机械强度高、热膨胀系数小、化学稳定性好等。主要瓷有滑石捷、氧化铝资、镜橄榄石毒、刚玉-莫来石毒、氧化镀宦、氮化硅臣、氮化棚瓷等。2.2 电真空黯electrovacuum ceramics 用于制作电真空器件中密封零件和绝缘零件的陶墅,称为电真空哇。属于这一类的陶瓷材料有氧化铝瓷、氧化镀捷、镜橄榄石臣、滑石瓷和氮化棚资等。电真空资的特点是真空气密性好、高温下蒸气压低、低的介质损耗角正切值、小的电容率、高的绝缘强度和机械强度、适当的导热系数和膨胀系数,热稳定性和化学稳定性好。2.3 氧化铝资alumina ceramics 以氧化铝为主要成分的陶瓷,称为氧化

    7、铝嚣,如A啕75毒、A-95捷、A-97捷、A-99.9瓷等。其主晶相是-AlzOao氧化铝瓷具有机械强度高、高温下介电性能优异、真空气密性好、介电损耗低、硬度犬、导热性好、耐高温、耐磨、耐腐蚀、抗氧化等特点,主要用于制作超高频、大功率电真空器件绝缘结构零件,厚膜、薄膜和微波集成电路基片,硅整流器的壳体和支架、天线罩等.2.4 氧化镀资beryllia ceramics 主晶相氧化镀具有纤怦矿结构,吹晶相为镜铝镀化合物。按氧化镀的含量不同,可分为B-95程和B-99窍。其特点是具有很高的导热性,导热系数几乎与纯铝相等。它有优越的抗热震性,其电性能近似于氧化铝瓷。用于制作晶体管的管壳、管座、散热

    8、片、功率较大的集成电路和微波集成电路基片、微波窗以及用于空间技术、原子能中子减速器等。2. 5 氧化埋陶i:lithia ceramics 仨要成分为LizO、Alz03、SiOz的陶i:材料。同1t饵陶瓷主晶相主要有樱霞石ri向J包容器。2. 23 J: i ;l rlltile clranics i以I正1:马1川ihV川1/ht飞f4飞2金E红百卫均I主;f:tiU日t/f忡H的陶览材料!陀t;f屯也梓斗韦(纠只沟I7川O8O.电与矜容斗¥.率的站削A度系数为一(750f 11仆川川川旧(仆川)、v二:1刊()/ ( J古7刊;i川,E巳什l也l!.?古巨2悴,U屹t内J王矿功)力If率

    9、守守字:注.1屯包7衍F器 2, 24 lj! (i 11! f手指陀nlOlolithic capacitor tTralllllS 111 J二:lil吐出iJ包容器的l均由材料。到Ui屯在;:g,I:f( 111 p;可iE材料布介lJ. JlI也械与陶边生l:f事腰片GB 9530-88 按一定的方式迭合起来,经高温烧成一个整体,因此要求陶程和电极相互匹配,并具有相同的烧成温度.烧成温度在1200.C以上的称高温烧结姐石电容器毡,采用银-钮或金-银-钮电板,具有较好的稳定性和可靠性.烧成温度在1150C以下,为中温烧结独石电容器瓷。烧成温度在850.C左右的称低温烧结独石电容器嚣,其主

    10、要组成为镜模酸铅、鸽钱酸铅、镜铅铸系及锯锦镜系化合物,采用银电极,其特点是制成的独石陶瓷电容器比容高,体积小.2.25 晶界层电容器怪boundary layer capacitor ceramics 这是一种半导体陶捷材料(BaTiO.和SrTiO.等),其晶拉是半导体性的,其晶界是绝缘性的,故名晶界层电容器植.这种陶瓷材料具有非常高的视在电容事(100甘.10.000的,较小的电容率的温度变化率(1%-20%),高可靠性,可作3类黯介电容器.2.26 阻挡层电容器瓷Am田layerqlpacitQr. ceramics 当n型BaTi03的烧结体表面被覆一层银或铜,并在氧化气氛中烧渗成电极

    11、时,电极与BaTi03半导体界面间形成阻挡层,利用阻挡层的电容效应可以获得很大的电容量。有适当的绝缘电阻和扰电强度,适用于3类低压陶瓷电容器.2.27 铁电毒ferroelectric ceramics 具有自发极化的陶资材料.其主晶相以钙铁矿型居多,此外,还有鸽青铜型,烧绿石型及含锦层状化合物等。由于存在自发极化和电畴结构,其电容率随温度和外加电场呈非线性变化。在居里温度下,常常可观察到电滞困线。经极化处理后,可呈现压电效应,热释电效应,电光效应等,这类材料除作2类黯介电容器外,还可制造许多功能器件,如换能器、红外探测器、电光器件、介质放大器和移相器等。2.28 反铁电器anti-ferro

    12、electric ceramics 具有自发的反相平行极化的陶资材料。在居里温度以下,往往可以观察到双电滞回线。错酸铅是典型的反铁电材料。掺氧化搁(LaZ03)和氧化锯(NbzOs)的错酸铅-锡酸铅-钦酸铅系陶瓷材料.可用作储能电容器、换能器和微位移发生器等。2.29 钦酸错系瓷zirconium titanate system ceramics 铁酸错系陶瓷,其主晶相(ZrTiO.)和TiOz-ZrOz-SnOz固溶体及其液相玻璃。电容率变化范围在30-55.电容率温度系数的变化范围在(-470-+33)X 10-6/C,介质损耗角正切值小。是用于制造1类提介电容器的较好陶瓷材料之一。2.3

    13、0 铁酸镜系暨magnesium titanate ceramics 以钦酸镜(2MgO TiOz , MgO TiOz、MgO.ZTiOz)为主晶相的陶瓷材料。电容率在20左右,其主要特点是介质损耗角正切值小。可作1类低压提介电容器及高功率陶瓷电容器。2. 31 模糊铁系在magnesia-lanthana-titana system ceramics 以偏铁酸楼(MgTi03)、二铁铺(La203、2TOz)和少量TiOz为主晶相的陶瓷材料,其电容率为30-40 ,tgbium magnesium-zirconate-titanate 以Pb(MgNbz/3)z Ti,.Zr .03固禧体

    14、为主晶相的陶资材料.属复合钙铁矿结构.其特点儿值和Qm值高,电容率高,时间稳定性好,温度稳定性好.可用于压电陶暨滤披嚣、变压器和延迟器等.2.49 锯铮-错铁酸铅陶资niobate-zincate lead zirconate ceramics 以Pb(Zn/3Nb的)zTi,.Z.r.03固榕体为主晶相的陶瓷材料.属复合钙铁矿结构.调节分子式中Ly.z的值,可得到一系列优良的压电陶瓷材料。例如x=50.5% ,y=26% ,z=23. 5%(摩尔比掺入少量添加物时,kp=0.760可用于压电陶磕滤波器、变压器和电声器件等.2.50 复合陶资composite ceramics 陶程与陶哇,或

    15、陶瓷与其它材料所组成的非均质的复合材料。主要有陶资与金属的复合,陶瓷与塑料的复合。又称陶瓷复合材料。如,PZT陶段与PVF2塑料复合,压电常数可提高一个数量级。主要用于宇航、军工等部门作为高温结构材料,此外用于机械、化工、电子技术等领域。2. 51 云母陶臣mica ceramics 以合成云母粉和电性能良好的玻璃粉混合烧制而成的一种耐高温绝缘材料。使用温度可达800C。具有一定的韧性,可加工性和耐热震性好,兼有陶瓷和塑料两者的优点,又称陶瓷塑料。用于要求尺寸精度高和机电性能要求不太高的装置陶琵零件.2.52 鸽青铜怪tungsten brone ceramics 主晶相为鹊青铜结构的陶瓷材料

    16、,如镜酸锁纳陶瓷、镜酸顿锤、陶程等。经极化处理后具有优良的压电性。可作热释电探测器,军带陶瓷滤波器等。2. 53 金属陶瓷cermet 由陶程相和粘结金属相组成的非均质复合材料。这种材料既有金属的韧性,高导热性,又兼有陶边的耐高温性,是良好的高温结构材料。又称陶暨金属。.在航空、机械、化工、冶金、原子能和电子技术等领域中应用。2. 54 玻璃陶瓷g lass-cera mics 由品相和吨余破璃相组成的质地致密、无孔、均匀的混合体,通常l1Lm到数m大小的晶粒数量达50%90%。具有高的机械强度、电阻率和介电常数,可作薄模电路基体。又称微晶玻璃。按组成分布:1g0-AI2(, -SiOz系、L

    17、iOi-Alz03-SiOz系玻璃陶瓷02.55百J陶?i:graphitl clramics _j :陶仨品相是碳的同质多象变体,立方品系。有良好的导热、导电性。可作微波吸收休、高温电报、对f圳、帆械铸模及防锈涂料等。2.56 f,按比陶咒microwave Ceramlcs 快沈阳r1.Ht是:在做;皮频率FQfI在7OOO 13 000,电容水30200.在一50+ 100 C iMl J(范11;11 J、J.Il!京削!芷系较的民小。可用于Xi皮段微波器件、微波电路毕片段介质谐振器等IIt:这l9 GB 9530-88 一类陶资材料有四铁酸顿、九铁酸顿及钮辞酸顿-锡镇酸锁等系陶瓷。2

    18、.57 四铁酸顿晓barium tetratitanate ceramics 主品相为四铁酸顿的微披陶瞿材料。在4GHz时,=38 , tg84 X 10一电容率的温度系数约一50X10-6/,C。用作介质谐振器时,频率温度系数为(2.15)X 10-6/,C.用于陶密电容器、微波集成电路基片、集成电路基体、微波介质、滤波器振子等.2.58 九铁酸顿瓷barium nonatitanate 主晶相为九铁酸锁的微波陶毒材料。在4GHz时它的E:,= 40,电容率的温度系数约为一24X10rc。用作介质谐振器时,频率温度系数为2XI0-6/C,品质因数大于8000.它是典型的微波介质谐振器材料。2

    19、.59 导电陶在conductive ceramics 在一定温度、压力条件下具有电子(或空穴)电导或离子电导的陶怪材料。导电陶资根据具体材料不同,可用于燃料电池、陶怪高温发热体、销硫电池等。属于这一类的陶怪有碳化物陶酱、氧化错陶资、冉AlzOJ陶瓷等。2.60 氧化铝硅AlzOJ ceramics 主晶相为-Alz03的陶庵,有NaAlz03、K-Alz03等。属六方晶系层状结构,由较致密的尖晶石型的铝氧层和较松散的铀氧层交叠堆积而成,铀离子可以在制氧层平面内迁移,因而具有离子电导性。Na-Alz03陶瓷不透过锅、硫或硫化销溶体,且具有优良的离子电导性和电子绝缘性,所以可作为纳硫电池中分隔纳

    20、极和硫极的隔膜,并在电池反应过程中起传导纳离子的电解质作用。可用于燃料电池、显示装置、计时器等。2.61 透明陶瓷transparent ceramics 俗的:光学陶瓷。能透过可见光的陶瓷材料的总称。主要品种有Al,03、MgO、YZ03、CaFz、BeO、GdZ03、CaO、Th02、PLZT(错铁酸铅搁)、PBZT(错铁酸铅挝、)等透明陶瓷。它们在电子、光学、高温装桂、电光源、冶金等科学技术方面都有着广泛的应用。2.62 透红外陶瓷infrared transmitting ceramics 是用陶臣制备工艺制造的具有透红外线特性的多晶材料,如MgFz,SnS、CaFz、MgO、Alz0

    21、3GaAs、SrFz、BaFz,ZnSe、LaFi等。此类材料透红外性能良好,强度高、透光范围宽、且可制备大尺寸及较复杂形状的产品,广泛用于红外透过窗、导弹整流罩等方面。2.63 透明氧化铝瓷transparent alumina ceramics 又称透明多晶氧化铝陶晓或半透明氧化铝陶嚣。主晶相是-Alz03属三方晶系.其特点是透光字高(40%70%).在高温下耐碱金属蒸气的腐蚀,且致密性好,电气性能优异。被广泛用于制造商压饷订的发光管、微波集成电路的基片、轴承材料及红外光学元件等。2. 64 透明氧化忆陶transparent yttria ceramics 透H月氧化纪陶程主品阳为六方晶

    22、系,是透明多晶聚合体。边Yt,军大r80%;其特点是透光性好,恪点i商、电气性能优异,是一种优良的高m.红外材料和电子材料。=t哇m于红外导弹的窗口和整;AL IR、天言是、i槌波基棍、绝缘支架、红外发生器管壳、红外透镜皮Jct也f再也窗等。也可供激光技术!-.J:UIJ e 2.t5 i;il的制铅铁电陶资leadlanthanum zirconate-titanatl ferr川leltnc Ctramics 阳的;PLZT。是一种组成为Pbll_x)La,ZrTiO认其11Zr/Ti f(J沟0.6;0. 35;.1=0. 02.0.12)的透1I1J铁l.陶泣。付定组成的凹,ZT材料.

    23、外bll屯场tJT11 起极化状态变化旦旦中t1变.并伴随有光学性Ji非变(l,(创I:(折射、散射、表面形变歧,包现象等)c 人(r,f 11111; t 11无(帕格热闪光护H镜及立H:吧察wn、!叮咬11:、以后皮感光坡等t哼。2. 66 注明恍如尖,11,i f句咒I ransparent m刊llesium -alll l1ini 1I11刊pillll川tl l Il刊GB 9530-88 又称半透明烧结MgAI204其透光性能良好,在0.3-6.5m范围的线性光透射大于10%。口J见光范围的总透射光率为67%-78%。可用作天线窗、红外透射装置、密封外壳等.2.67 电光陶硅el

    24、ectro-optic ceramics 具有电光效应的陶程.它是根据透明铁电陶瓷在相变过程中折射率随电场而变化的特点,即所谓电控双折射效应而发展起来的。常用的有掺倒错钦酸铅(PLZT)、掺制的错铁酸铅(PLHT)等。用于光调制器、光存储、光F电传感器、光谱滤波器、光开关、电激励多色显示器、光阅和记忆元件等。2.68 光电陶怪potoelectric ceramics 半导体陶瓷受到光照会发生某些电性能变化,这种陶瓷称为光电陶臣。如半导体硫化铺电池,光照射后发生光生伏特效应。2.69 热释电陶琵pyroelectric ceramics 具有热释电效应的陶在材料。包括铁酸铅、错酸铅、镜酸智、顿

    25、和错铁酸铅棚等陶怪二用于热释电探测器、热释电显象管和热释电照相机等。2. 70 多孔陶porous ceramics 这一类陶硅含有大量闭口气孔和贯通性开口气孔,气孔具有一定的几何形状且分布均匀,孔径。.5-200m.具有一定的机械强度,气孔率10%-60%.密度小,电性能在较宽广的范围内稳定。属于这一类陶黯材料有z多孔氧化铝毒、多孔氧化镀资、气敏、湿敏、PTC陶曾.用作电子管支撑件、高温绝缘材料及蜂窝式催化剂载体等。2. 71 多孔氧化铝资porous alumina ceramics 含有大量闭口气孔和贯通的开口气孔,主成分为-A1203。气孔要求分布均匀,并具有一定的机械强度,能耐热急变

    26、,可用作管内支撑件、催化剂载体等。2. 72 多孔氧化坡在porous beryllia ceramics 以i元。为主要成分,孔隙率为10%20%。用作较大功率的吸收材料。2. 73 磁性提ferrite 又称铁氧体或铁淦氧.工业上也叫黑瓷。磁性瓷是以氧化铁和其他铁族氧化物为主要成分的复合氧化物。一般具有亚铁磁性,是一种非金属磁性材料。它与金属磁性材料之间的最主要区别在于导电性,一般磁性捷的电阻率是1-10120.c吨,属于半导体甚至绝缘体。按铁氧体主晶相结晶类型分为尖晶石型(NiFe204立方晶系)、磁铅石胆(BaFe12019六方晶系和石榴石型(Y3Fes012六方晶系)等三大类。由于磁

    27、性嚣的电阻率较高,喝声频应用上可以减少涡流损失,在微波领域又有许多独特的性能,所以磁性资在尖端技术.如雷达技术、通讯技术、记录技术、航天技术、电子对抗、电视广播、自动控制、射电天文、计算技术、仪器仪表、铁道号志、远程操纵等方面,都得到广泛的应用。2.74 高技术陶瓷high technology ceramics 高技术陶1ft又称精细陶窍,大致可分为电子陶段和工程陶哇。电子陶臣种类有低植烧结陶资基板材料、氮化铝材料、微波介质陶瓷、多层压电陶庭、陶硅传感器材料、电致变七材料、场致发光材料和-Alz03陶瓷等。主要用于大炖盹集成电路,通讯广播、航天、航空、遥感技术、音响设备以及家用电器、汽车等方

    28、面。工程陶瓷中陶白发动机是高级技术I句究中才|人门:门的JI耳H。它与改进新的能源系统有重要的关系。2. 75 丰精市封细细H川川|陶均瓷fi,川川I川l认U、r川飞lr川a川i川m川llC、使吏肘内4什r忖i批i忧t仙I正卢内f古乌;bJf纯l也lil皮芷的!阳阪4以料.具有精确的f化七学细h成I.t以烛特的成型工艺相烧成方法而l,n导向t,;俯JJ和i向性lt(f.)陶瓷忖料。3 性能与测试3. 1 l:市千;( r (,市飞;)perlllittiitv(diekctric constlnt) 1 qB 9530-88 反映电介质介电性质的一个主要参数.由电介.梅成的电容器的电容量与同样

    29、几何尺寸真空电容器电容量的比值称该电介质的电容事,就称介啦常撇鸟,无量纲-3.2 电容率的温度系数temprature coefficient 0阴rmittivity指在一定温度范围内,温度每变化1C时电睿事平均相对变化事.量纲-C-13.3复电容率complexpermittivity 电介质在交变电场作用下,电位移Z主或极化强度F飞辖比电场强度E落后8相角,此时的电容事用复电容率f表示.3- 4 表面电阻率surface resistivity B -=言.( 4 ) 又称比表面电阻(P.是表征电介质材料表面绝缘性能的重要指标,单位O.趴在数值上等于边妖为lcm的表面棋电介质所具有的表面

    30、电阻.3.5 体积电阻率volume resistivity 又称比体积电阻p.是表征电介质材料体棋绝缘佳能的重要指标.p.在数值上等于边长为lcm的立方体电介质所具有的电阻.单位。cm. 3.6 电导率conductivity 电阻率的倒数。因此也有表面电导率和体积电导率之分,它们分别为表面电阻率和体积电阻率的倒数。3. 7 介质损耗dielectric 1088 电介质在电场作用下因发热而造成的电能消耗,包括漏导损辑、电离损耗、极化损耗和结构损辑等.3.8 介质损耗角正切tangent of dielectric 1088 angle 写为tan.它是电介质在交变电场作用下有功功率与无功功

    31、率的比值,是表征介质损艳的一个无量纲物理量。3.9 绝缘电阻in8ulance(insulation resi8tance) 衡量电子元件和电子器件性能的重要参数之一.其值为外加直流电压与漏电流之比,单位.3- 10 电击穿electrc breakdown. 在电场作用下,电介质内少量自由电子动能加大,当电压足够大时,由于电子冲击激发出新的自由电子参加运动并产生正负离子,介电功能受破坏,而被击穿。3.11 电击穿强度breakdown strength 又称介电强度(dielectricstrength)或绝缘强度(in8ulating8trength)。处于电场中的介质,当电压增大到某一临

    32、界值时,将丧失其绝缘性的现象,相应的临界电压值为击穿电压.相应的电场强度,称为电击穿强度。单位为kV/mm.3.12 电容量capacitance 电容器加上电压后,贮存电荷的能力。以所贮电荷与所加电压之比值表示。单位有F、F等.3- 13 电容温度系数temperature coefficient of capactance 在一定温度范围内.温度每变化lC.电容量的相对变化值,常用下式表示:;r:Cp-cj-=且CC-) ( 5 ) C, (t2 _ (,) 式中:C -_二最初温度t,时的电容量:C2 - -llU热至温度t2时的电容量。一般适用r1类陶瓷材料及真相应电容器。3.14 电

    33、容蛙变化率rate of lhangt of capacitanll 刁: GB 9530-88 温度由室温(20土5C)变化到规定温度倒如,85C或一55C),电容量的相对变化值.以J式表M=勾X100 式中,C1-一室温时的电容量FC2一一规定温度时的电容量.一般适用于2类、3类陶噩材料及其相应电容辘.( 6 ) 3. 15 极化率polarlzability衡量原子、离子、分子在电场作用下极化强度的徽观参数,通常用a表示,a为原子、离费基分子在电场作用,下形成的偶极矩与作用于原子、离子、致于本觑亮就跑事揭泉路宁j3.16 功率损辑pwerloss 转换设备输入电路所吸收的功率与传送给指定

    34、条件下工作的特定负载的功率之比.3.17 热击穿thermal breakdown 由电场作用引起电介质内部发热,并使之击穿.3.18 线膨胀系数coefficientof linear expansion 在一定温度范围内,温度每变化1C试样线性尺寸的相对变化值.常用下式表示z1, -10 a = ;. -I:- lo t - to) 式中:10一一最初温度to时试样的长度p1,一一加热温度至t时试样的长度.3- 19 体膨胀系数coefficient of volumetric expansion 在一定温度范围内,温度每变化1.C,试样体积的相对变化值。即z式中:V。一一温度to时i式样

    35、的体积EV,一一温度t时试样的体积。F-Ve-vo 一一Vo (t - to) ( 7 ) ( 8 ) 对各向同性体,卢=捕,即为其线膨胀系数时的3倍.对各向异性体,卢=aa+ab+缸,即为各晶铀方向线膨胀系数之和。3.20 导热系数coeHicient of therrnal conductivity 在特定温度下热量通过物体传递的速率.dQ , .dT 一一=-kA一dt -. dX 式中:dQ一一在dt时间内垂直于面积A流过的热量;dT 一一-X方向的温度梯度。dX 其与热流的比例系数即为热导率ko3. 21 抗热震性therrnal-shock resistance . ( 9 ) 陶

    36、怪材料经受温度急剧变化而抵抗破坏的能力。它与材料的机械强度、膨胀系数和导热系数等因素有关,也因试验方法的不同而示出不同的指标。3. 22 热应力thermal stress 在温度变化时,由于材料的相变、多相系统中各相膨胀系数不同、晶体的各向异附以及材料的内外诅羔等产生的阿力,统称热应力。口r丧尽为z-_:!_ (T.一T).( 10 ) i一18,; 式中,E一一弹性模量4a一一热膨胀系数$一一泊松比,T.一平均温度FT一一任意点的温度.GB 9530-88 3.23 韧性toughness 材料在外力作用下,在塑性形变过程中暖收能量的能ijj飞吸收能量愈大,韧性愈好。因此韧性是介乎柔性和脆

    37、性间的一种材料性能.陶毒材料的巅斟韧性用辙示,它反映具有裂住的材料对外界作用的一种抵抗能力,是阻止裂纹扩展的能力。因而是材料强度与塑性的综合J擂琼.式中:E一一弹性模量sY一一表面断裂能$一一泊松比。K .r = _ 2E1 -IC -1一( 11 ) 3.24 泊松比poisson s ratio 物体在弹性限度范围内,在轴向拉应力作用下,其横向相对收缩间、J与纵向相对伸长(.)之比值称为泊松比。可表示为:= I : I = 1三|. ( 12 ) 3. 25 机械品质因数mechanical quality factor 压电振子在谐振时贮存的(机械)能M:与在一个周期内损耗的(机榄能it

    38、之比.flJ Qm灰心。它反映压电体振动时因克服内摩擦而消耗的能量,是衡量压电材料性能的重要参敬。3. 26 机电搞合系数electromechanical coupling factor 机电祸合系数(k)是表示压电体机械能与电能相互转换搞合的一个参数。其定义式为:由电能转变成的机械能由机械能转变成的电能或是=一输入的总电能3. 27 气孔率porosity 陶资材料所含气孔的体积与其总体积之比。如果只计开口气孔的气孔率称为显气孔率。式中:B一一显气孔率;go一一干试样质量;gl-g B=一-一一X 100% gl - g2 gl一一为水所饱和的试样的质量zg2一一饱和试样在水中的质监。闭口

    39、气孔率可从测定真宵度后计抨而得。气孔率又称孔隙率。3. 28 呗水卒watcr absorption . ( 13 ) 陶资体所吸水分的质量与干试f!l:l,fi挝的比。吸水率反映觉休的烧措程序.它付自休的f几械强度、电性能、热稳定性及比学稳定性拥H.!大影响。11 1 式rl:fill-1,试附近址:H = ;I二二互!.X 100% ;) 2一一l吸f包水的试样J,JtI!: ; W一一晚点二宅。( 14 ) GB 9530-88 3.29 化学稳定性chemical stability 陶怪材料抵抗化学物质侵蚀的能力。将试样浸泡于一定浓度,一定温度的酸或碱辫液中.缉过?也定时间后,以其剩

    40、余质量与原质量的百分比来进行衡量,即kzF 100%HH-HH-HHH-He-HH-C15) 150 式中:gl一一试验后试样的质量.kg;Ko一一试瞌前试样的质量.kg.如测定时所用的是酸槽被,则所得结果为耐酸度,如测定时所用的是醺攘攘?即所得结果为融融4度.3.30 机械强度mechanical strength 陶庵材料或制品抵抗外界机械应力作用的能力.以单位截面上所能承受的最荒14荷来表示。根据负荷的性质可分为抗折或抗弯)强度,抗压强度,抗张强度,抗冲击强度等.3. 31 耐压强度compression strength 又称抗压强度,陶噩材料受到压缩负荷作用而破坏时的极限应力值。3.

    41、 32 抗折强度transverse strength 又称抗弯强度,是陶怪材料受到弯曲负荷作用而破坏时的极限应力值。用弯曲破坏力矩与折断处的横截面积的比值来表示,单位为N/cm2(kgf/cmZ)。3.33 抗拉强度tensile strength 又称抗张强度。是指陶在材料受到张应力(拉伸负荷)的作用而破坏时的极限应力,以试样单位截面积上所承受的破坏负荷表示。单位为N/cm2(kgf/cm2)。3. 34 耐冲击强度impact resistance 材料承受外界动态负荷作用的能力。以l锤由恒定高度反复降落冲击陶应试样,直至破坏,并以冲锤降落所产生的与冲击次数成比例的总功(N.cm (kg

    42、f .cm)来表示。W=P.h.n 式中:W一一破坏功.N.cm(kgf .cm); p-一冲锤质量.kg;h一一冲锤降落的固定高度,cm;n一一冲击次数。3. 35 泥浆渗透性slip permeability . ( 16 ) 泥浆中的水分渗透滤过介质的能力(包括脱水后的泥层及石膏模壁。泥浆渗透性好,在成形中坯体成长速度快,压滤过程中脱水快,因而压滤时间短。可塑性大的泥料会降低泥浆渗透性。3.36 泥料可塑性mud plasticity 当作用于泥料的应力超过屈服哎力时,泥料发生塑性变形,除去外力后,形变不能回复的性质。泥料中颗粒的形状、大小以及颗粒表面的水膜是使泥料具有可塑性的重要因素,

    43、可塑性的表示方法有可塑性指数和塑性指标两种。可塑性指数是泥料由可塑状态进入液化状态的含水娃的差数;性指标是以在用捷米耶钦斯基仪的圆球法测定时,受力变形时的最大应力与应变的乘积表示。3. 37 制!变性thixotropy :陶觉中;可将泥浆或泥料静i、lll,t变稠或变硬(自然稠化).在振动或揉炼作用下又变软._,x111:为J质的传质。这是由于片状颗粒边角电荷(+)与板面电荷(一)互相吸引。在静Ft时形成卡片结构将自由水封闭在其网状空隙1ft.尼料闪而变硬或稠化。振动或揉炼,卡片结构被破坏,释出J rh,水.尼和I(_ if(新软化。3. 38 ,出1:fi1飞机.j!ultr川。1(、11

    44、1、p川t11111 rilJIIJ实心克体内部快的的利Ic扎1/9!IJ试厅j去。换能器将声惊异I入试t内部!lJ.iIlll旦ilJ引纯、飞p;二GB 9530-88 泡、杂质等,则信号将要反射、散射,从而可探测其存在的位置、大小等。3.39 弹性模量elastic modulus 符合虎克定律的弹性体,在承受轴向拉力或压力时,在弹性限度范围内,应力(与应变()的比值称为弹性模量.记为zE=主. . . . . . .( 17 ) E 3.40 切变模量shear modulus 物体在弹性限度范围内剪切应力(r)与剪切应变(y)的比值称切变模量,又称刚性模量.即zG=? . ( 18 )

    45、 3.41 体积密度volume density 单位体积样品所具有的质量。单位同/m303.42 电容量随电压变化率change rate of capacitance coith voltage 电介质的电容量随电压变化而变化的特性。是检测电容器瓷料和瓷介电容器性能的一项技术标准。3.43 透气性permeability 气体对陶瓷的渗透能力,以渗透系数表示,其单位为JTJZ民。4 设备和工艺4. 1 矿石洗涤机stone raw material washing machine 用水洗涤粘附在块状硬质原料表面杂物的机械设备。主要采用滚筒式方法。4.2 顿式破碎机jaw crusher 利

    46、用偏心轮通过活动顿板对固定顿板作往复摆动,使在其阔的块状物料受压而破碎的机器。4.3 轮碾机edge runner ,edge mill 利用碾轮和碾盘的相对转动,使碾盘上的物料粉碎的机械设备。一般有轮转式和盘转式两种。4.4 球磨机ball miJl 利用筒体内的磨球与物料反复撞击、研磨,将各种物料混合均匀,并达到一定细度的机械设备。4.5 振磨机vibrating ball mill 用机械方法,在频率1000.3 000次/分的范围内作简谐振动,使简体内磨球与物料反复撞击研磨,将物料均匀混合并达到一定细度的机械设备.有单筒式和多筒式。4.6 砂磨机strrad ball mill 又称搅

    47、拌球磨机。在圆筒内用旋转的圆盘或搅拌棒使磨球与物料高速运转相互碰撞进行研磨的机器。Ii于膺球直径小,故称砂磨机。4. 7 气il柑碎机fluid energy miU JH压缩空气.将具有一定细度的粉料喂入特制圆状盘状)腔体内,使物料与腔壁,物料颗较之间榈瓦磨擦.激烈碰撞进行粉碎的机器。物料经风选而获得所要求的细度。4.8 nj轮式届细粉碎机paddle superfine grnder 在两节相连的腔体内,装有高硬度材料的叶片,叶片以4500 r/mn高速旋转.将O.2mm左右附体材料樱忐研磨成极细的粉末,经风选在得2m以下粉料的机器。4.9 汀粉机disinte graton machin

    48、e IH r:1j述旋转的叶轮,把料块打碎成粉状的机器。叶轮一般在刀式、棍式、鼠笼式牢。主要1日于粉碎软M1fj壳。4.10 筛粉肌sieving machinl IBt、GB 9530-88 通过一组筛网将粉状材料分成几种粒度级别的机械设备.有振动筛、滚筒筛、摇动筛、旋转筛等-4.11 除铁机器)magnetic separator (de-ironing) 利用磁场的作用,除去陶量材料中铁磁性物质的设备.有干式和温式两种。4.12 泥浆搅拌机slip mixer 将泥浆中各种物料互相混合,使其达到温度场,浓度场均甸的机械设备.一般有螺旋桨、武和框架式两种.4.13 隔膜泵menibrane pump(diaphragm pump) 利用隔膜的往复运动传递压力,进行输送泥浆的一种泵,有单缸和双缸两


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