SJ 50033.152-2002 半导体分立器件 2CKI40型微波开关二极管详细规范.pdf
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1、门酬昌中华人民共和国电子行业军用标准FL 5961S3 50033/152-2002半导体分立器件2CKI40型微波开关二极管详细规范Semiconductor discrete devicesDetail specification for type 2CK 140 microwave switch diode2002-10-30发布2003-03-01实施中华人民共和国信息产业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件2CKI40型微波开关二极管详细规范SJ 50033/152-2002Semiconductor discrete devicesDetail specificati
2、on for type 2CK140 microwave switch diode范围.1主题内容本规范规定了2CK140型微波开关二极管(以下简称器件)的详铆要求.,0.2适用范围本规范适用于器件的研制、!1和采购.3分类本规范根据器件质量保il等级进行分类、,1器件的等级、按GJB 33A于9,汉半导钵分立器件总规范补f江条的规定,提供的质徽保证等级为普军、特军和超特军三级,分别用字毋ip . )T匆JcT表示.2引用文件GBIT 6570-86,几微波二极管测试方法GJB 33A-97半导体分文器件总规范_,GJB 128A-97半导体分众器件试验方法、3要求3, 1详细要求各项要求应符
3、合GJB 33A和本规范的规定。3.2设计、结构和外形尺寸器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33人豹体规范的规定。3.2.1引出端材料和镀层器件采用玻璃管壳封装,引出端材料为无氧铜,表面镀层为金。3.2.2器件结构本器件采用硅反外延PIN台式结构,玻璃管壳实体封装。中华人民共和国信息产业部2002-10-30发布2003-03-01实施sJ 50033/152-20023.2.3外形尺寸外形尺寸见图1e负极标志q令匕、_、c乡、通一一一砂乙符号尺寸m1nm日x砚0.61.0必口2.53.0G6L25图1外形尺寸3.33.3最大额定值和主要电特性最大额定值最大额定值见表la表1最大额定值食谈
4、工作电压YR v耗散功率PD 1 (TA=25 c) W贮存温度Tatg 工作温度几P 2CK14030025-55-175一551251)几X25时,按16.7 mWIK线性降额。3.3.2主要电特性主要电特性见表2 (TA=25C)。表2主要电特性从IRpAVFvGtot一。, PFrF9Zt,KIW今uS1R=300 V乍100 tnA1 R=50 V户1 NIHZ护100 mA、户50 I1z护1 A气=is括10 mA人=100 mA最大值最大值最大值最大值最大值最大值2CK140A100.953.50.66032CK 140B10】.054.01.06035J 500331152-
5、20023.4电测试要求电测试应符合GBIT 6570及本规范的规定。3.5标志本器件极性标志见图1,器件外包装上的标志应符合GJB 33A的规定。4质量保证规定4.1抽样和检验抽样和检验应按GJB 33A及本规范的规定。4.2鉴定检验鉴定检验应按GJB 33A和本规范表4,表5之户策 6_4E1-表7,的规定进行。4.3筛选(仅对JT和JCT级)筛选应按GJB 33A的规定,!其体稀选要求拨表3规忽一其测试按. .4的短泛进行,超过表4极限值的器件应予以剔除。表3筛选要求筛选GJB 12叙-方法招条件和要:KJCT和JT,1内部目检矛,一20科一长衬,改级翻卜。2高温寿命、1032175C,
6、72 h3温度循环(空气一空气)1051户斌验rIl.G,.邹 -i10高温反偏.1038一伏验条件一A,个1一5。,c.裘、夕护V, 48 h11中间测试Ilk . l F-,Colt SM+r,rF12功率老炼1Q3$、:TAw25 v0; s l偏倾 im,-tl,IF Af -i 5 . $O 14z, =1.00 mA,.Vmt300 V,96 h13最后测试被本Y3表 A汾组规定矛I;洲1Q.1 4;ICI VA -W(初始值的10%o注:GJB 33A表5中未指明的试验不危用。4.4质量一致性检验质量一致性检验按GJB 33A和本规范的规定。4.4. t A组检验A组检验按GJB
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