IEC 60747-8-2-1993 Semicoductor devices discrete devices part 8 field-effect transistors section 2 blank detail specification for field-effect transistors for c.pdf

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1、NORME I NTE RN AT1 ON ALE INTERNATIONAL STANDARD CE1 I EC 747-8-2 QC 7501 06 Premire dition First edition 1993-02 Dispositifs semiconducteurs Dispositifs discrets Partie 8: Transistors effet de champ Section deux - Spcification particulire cadre pour les transistors effet de champ temprature de boti

2、er spcifie pour applications en amplificateurs de puissance Semiconductor devices Discrete devices Part 8: Field-effect transistors Section two - Blank detail specification for field-effect transistors for case-rated power amplifier applications Numro de rfrence Reference number CEI/IEC 747-8-2: 199

3、3 Copyright International Electrotechnical Commission Provided by IHS under license with IECNot for ResaleNo reproduction or networking permitted without license from IHS-,-,-Numros des publications Depuis le ler janvier 1997, les publications de la CE1 sont numrotes partir de 60000. Publications co

4、nsolides Les versions consolides de certaines publications de la CE1 incorporant les amendements sont disponibles. Par exemple, les numros ddition 1.0, 1.1 et 1.2 indiquent respectivement la publication de base, la publication de base incorporant lamendement 1, et la publication de base incorporant

5、les amendements 1 et 2. Validit de la presente publication Le contenu technique des publications de la CE1 est constamment revu par la CE1 afin quil reflte ltat actuel de la technique. Des renseignements relatifs la date de re- confirmation de la publication sont disponibles dans le Catalogue de la

6、CEI. Les renseignements relatifs des questions ltude et des travaux en cours entrepris par le comit technique qui a tabli cette publication, ainsi que la liste des publications tablies, se trouvent dans les documents ci-dessous: Site web de la CEI* Catalogue des publications de la CE1 Publi annuelle

7、ment et mis jour rgulirement (Catalogue en ligne)* Disponible la fois au 4te web, de la CEI* et comme priodique imprim Bulletin de la CE1 Terminologie, symboles graphiques et littraux En ce qui concerne la terminologie gnrale, le lecteur se reportera la CE1 60050: Vocabulaire Electro- technique Inte

8、rnational (VEI). Pour les symboles graphiques, les symboles littraux et les signes dusage gnral approuvs par la CEI, le lecteur consultera la CE1 60027: Symboles littraux 2 utiliser en lectrotechnique, la CE1 6041 7: Symboles graphiques utilisables sur le matriel. Index, relev et compilation des feu

9、illes individuelles, et la CE1 60 617: Symboles graphiques pour schmas. * Voir adresse ourant rsiduel ou de fuite haute temprature *I :soit : T-071 :soit: Sous-groupe C2d Rsistance thermique Impdance thermique transitoire ih(j-case) h(j-case) 747-2, ch. IV par. 2.2 ch. IV par. 2.2 747-2, Conditions

10、T, = 25 “C sauf spcification contraire (voir article 4 de la spcification gnrique) VDs = spcifie VDS ou I, = spcifie I Frquence = spcifie Vos = spcifie VGs ou /, = spcifie Frquence = spcifie VDS = spcifie VDS ou I, = spcifie Frquence = spcifie VGD = de prfrence comprise entre 65 % et 85 % de VGDO ma

11、x., Is = O entre 65 % et 85 % de VGss max., VOS = O VGs = de prfrence comprise Comme spcifi Comme spcifi Limites des exigences de contrle Voir article 1 de cette norme - LS5 LSS LSS - LSS LSS LSS - LSS - LSS LSS - LSS LSS * Spcifier un courant rsiduel ou de fuite de 5.2.1 Copyright International Ele

12、ctrotechnical Commission Provided by IHS under license with IECNot for ResaleNo reproduction or networking permitted without license from IHS-,-,-747-8-2 O I EC 1 993 -27- GROUP C Periodic from group A LSL = Lower specification limit USL = Upper specification limit Only tests marked (D) are destruct

13、ive (3.6.6) I I , Specify one cut-off/ieakage current from 5.2.1 Copyright International Electrotechnical Commission Provided by IHS under license with IECNot for ResaleNo reproduction or networking permitted without license from IHS-,-,-Examen ou essai LIS LIS Sous-groupe C3 Robustesse des sorties

14、(sil y a lieu) - Traction effou - Couple (D) LSS LIS LSS LSS LIS LSS Sous-groupe C4 Rsistance la chaleur de soudage (D) avec les mesures finales: Tension de grille-source au blocage Tension de seuil grille-source Courant rsiduel ou de fuite Sous-groupe C6 Pour les dispositifs cavit seulement Acclrat

15、ion constante (D) avec les mesures finales: Tension de grille-source au blocage Tension de seuil grille-source Courant rsiduel ou de fuite Sous-groupe C7 Pour les dispositifs sans cavit seulement Essai continu de chaleur humide (D) OUI Essai acclr de chaleui humide cyclique (D) Symbol6 GSoff “GSCTO)

16、 I GSoff S(T0) I Ifrencs 49, ch. II par. 1.1 49, ch. II par. 1.4 49, ch. II par. 2.2 49, ch. II art. 5 749, ch. 111 art. 5 749, ch. III art. 4 - 28 - GROUPE C (suite) 747-8-2 O CEI: 1993 Conditions Tcese = 25 OC sauf spcification contraire (voir article 4 de la spcification gnrique) Priodicit = 6 mo

17、is Comme spcifi Comme spcifi Essai Db, variante 2, svrit 55 “C, nombre de cycles = 10 Limites des exigences de contrle Pas de dtrioration ou comme spcifi ss LIS ss SS LIS .ss (* Spcifier un courant rsiduel ou de fuite du sous-groupe A2b.l (suite la page 30) Copyright International Electrotechnical Commission Provided by IHS under license with IECNot for ResaleNo reproduction or networking permitted without license from IHS-,-,-