(通用版)2020高考化学一轮复习跟踪检测(六十七)高考重难晶体结构的分析与计算(含解析).doc
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1、1跟踪检测(六十七)高考重难晶体结构的分析与计算1(2015全国卷)碳有多种同素异形体,其中石墨烯与金刚石的晶体结构如图所示:(1)在石墨烯晶体中,每个 C 原子连接_个六元环,每个六元环占有_个 C 原子。(2)在金刚石晶体中,C 原子所连接的最小环也为六元环,每个 C 原子连接_个六元环,六元环中最多有_个 C 原子在同一平面。解析:(1)由石墨烯的结构可知,每个 C 原子连接 3 个六元环,每个六元环占有的 C 原子数为 62。13(2)由金刚石的结构可知,每个 C 可参与形成 4 条 CC 键,其中任意两条边(共价键)可以构成 2 个六元环。根据组合知识可知四条边(共价键)任选其中两条
2、有 6 组,6212。因此每个 C 原子连接 12 个六元环。六元环中 C 原子采取 sp3杂化,为空间六边形结构,最多有 4 个 C 原子位于同一平面。答案:(1)3 2 (2)12 42.(2016全国卷)某镍白铜合金的立方晶胞结构如图所示。(1)晶胞中铜原子与镍原子的数量比为_。(2)若合金的密度为 d gcm3 ,晶胞参数 a_nm。解析:(1)由晶胞结构图可知,Ni 原子处于立方晶胞的顶点,Cu 原子处于立方晶胞的面心,根据均摊法,每个晶胞中含有 Cu 原子的个数为 6 3,含有 Ni 原子的个数为 8121,故晶胞中 Cu 原子与 Ni 原子的数量比为 31。18(2)根据 m V
3、 可得, 1 mol 晶胞的质量为(64359)g a3d gcm3 NA,则a 3cm13107 nm。(2516.021023d) ( 2516.021023d)答案:(1)31 (2) 107(2516.021023d)3(2017全国卷)(1)KIO 3晶体是一种性能良好的非线性光学材料,具有钙钛矿型的立方结构,边长为 a0.446 nm,晶胞中2K、I、O 分别处于顶角、体心、面心位置,如图所示。K 与 O 间的最短距离为_ nm,与 K 紧邻的 O 个数为_。(2)在 KIO3晶胞结构的另一种表示中,I 处于各顶角位置,则 K 处于_位置,O处于_位置。解析:(1)二者间的最短距离
4、为晶胞面对角线长的一半,即 0.446 nm0.315 nm。22由于 K、O 分别位于晶胞的顶角和面心,所以与钾紧邻的氧原子有 12 个。(2)想象 4 个晶胞紧密堆积,则 I 处于顶角,O 处于棱心,K 处于体心。答案:(1)0.315 12 (2)体心 棱心4(2016全国卷)锗(Ge)是典型的半导体元素,在电子、材料等领域应用广泛。(1)原子坐标参数,表示晶胞内部各原子的相对位置。如图为 Ge 单晶的晶胞,其中原子坐标参数 A 为(0,0,0);B 为 ;C 为 。则 D 原子的坐标参数为(12, 0, 12) (12, 12, 0)_。(2)晶胞参数,描述晶胞的大小和形状。已知 Ge
5、 单晶的晶胞参数 a565.76 pm,其密度为_gcm 3 (列出计算式即可)。解析:(1)根据题给图示可知,D 原子的坐标参数为 。(14, 14, 14)(2)每个晶胞中含有锗原子 81/861/248 个,每个晶胞的质量为 g,873NA晶胞的体积为(565.7610 10 cm)3,所以晶胞的密度为 873NA 565.7610 10 3gcm3 。答案:(1) (2) 107(14, 14, 14) 8736.02565.7635(2017江苏高考)某 FexNy的晶胞如图 1 所示,Cu 可以完全替代该晶体中 a 位置Fe 或者 b 位置 Fe,形成 Cu 替代型产物 Fe(x
6、n)CunNy。Fe xNy转化为两种 Cu 替代型产物的能量变化如图 2 所示,其中更稳定的 Cu 替代型产物的化学式为_。3解析:能量越低越稳定,从图 2 知,Cu 替代 a 位置 Fe 型晶胞更稳定,其晶胞中 Cu 位于 8 个顶点, N(Cu)8 1,Fe 位于面心, N(Fe)6 3,N 位于体心, N(N)1,其18 12化学式为 Fe3CuN。答案:Fe 3CuN6.(2017全国卷)MgO 具有 NaCl 型结构(如图),其中阴离子采用面心立方最密堆积方式,X 射线衍射实验测得 MgO 的晶胞参数为 a0.420 nm,则 r(O2 )为_ nm。MnO 也属于 NaCl 型结
7、构,晶胞参数为 a0.448 nm,则 r(Mn2 )为_ nm。解析:因为 O2 采用面心立方最密堆积方式,所以面对角线长度是 O2 半径的 4 倍,则有 4r(O2 )22 a2,解得 r(O2 ) 0.420 nm0.148 nm;MnO 也属于 NaCl 型结构,24根据晶胞的结构可得 2r(Mn2 )2 r(O2 ) a,代入数据解得 r(Mn2 )0.076 nm。答案:0.148 0.0767(2016全国卷)砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。GaAs 的熔点为 1 238 ,密度为 gcm3 ,其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为_,
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