GB T 17574.10-2003 半导体器件 集成电路 第2-10部分数字集成电路集成电路动态读写存储器空白详细规范.pdf

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1、GB/T 17574. 10-2003/IEC 60748-2-10:1994oli青半导体器件集成电路数字集成电路分为十三个部分: GB/T 5965-200。半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路第一篇双极型单片数字集成电路门电路(不包括自由逻辑阵列)空白详细规范(idtIEC 748-2-1:1991) GB/T 9424-1998半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路第五篇CMOs数字集成电路4000B和4000UB系列空白详细规范(idt IEC 748-2-5:1992)-GB/T 17023-1997半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路第二篇HCMOS数字集成电路54/7

2、4HC,54/74HCT,54/74HCU系列族规范(idtIEC 748-2-2:1992) GB/T 17024-1997半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路第三篇HCMOS数字集成电路54/74HC54/74HCT,54/74HCU系列空白详细规范(idt IEC 748-2-3:1992)-GB/T 17572-1998半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路第四篇CMOs数字集成电路4000B和4000UB系列族规范(idtIEC 748-2-4:1992)-IEC 60748-2-6半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路第六篇:微处理器集成电路空白详细规范-IEC 60748

3、-2-7半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路第七篇:熔丝式可编程双极只读存储器集成电路空白详细规范-IEC 60748-2-8半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路第八篇:集成电路静态读/写存储器空白详细规范-IEC 60748-2-9半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路第九篇: MOs紫外线擦除电可编程只读存储器空白详细规范-IEC 60748-2-10:1994半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路第十篇:集成电路动态读/写存储器空自详细规范一一1EC 60748-2-11半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路第十一篇:单电源电可擦和可编程只读存储器空白详细规范-IEC 60

4、748-2-12半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路第十二篇:可编程逻辑器件(PI-Ds)空白详细规范一一IEC 60748-2-2。半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路第二十篇:低气压集成电路族规范本部分为第10部分，等同采用IEC 60748-2-10:1994(QC 790107)半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路第10篇:集成电路动态读/写存储器空白详细规范)(英文版)。本部分作了如下编辑性修改:I)删除IEC原文中的前言2)将所有引用文件放人本部分正文，已经等同转化为国家标准的引用国家标准，否则引用IEC原文本部分由中华人民共和国信息产业部提出。本部分由中国电子技术标准

5、化研究所(CESI )归口本部分起草单位:中国电子技术标准化研究所(CESI) o本部分主要起草人:王琪、李燕荣。GB/T 17574. 10-2003/IEC 60748-2-10:1994半导体器件集成电路第2-1a部分:数字集成电路集成电路动态读/写存储器空白详细规范引言IEC电子元器件质量评定体系遵循IEC的章程，并在IEC的授权下进行工作。该体系的目的是确定质量评定程序，以这种方式使一个参加国按有关规范要求放行的电子元器件无需进一步试验而为其他所有参加国同样接受。本空白详细规范是半导体器件的一系列空白详细规范之一，并且与下列标准一起使用。GB/T 4728.12-1996电气简图用图

6、形符号第12部分:二进制逻辑元件(idt IEC 617-12:1991)GB/T 4937-1995半导体器件机械和气候试验方法(idt IEC 749.1984,修改单10991)，修改单2(1993)GB/T 17574-1998半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路(idt IEC 748-2;1985，修改单1(1991)IEC 60068-2-17:1978环境试验第2部分:试验试验Q:密封IEC 60134:1961电子管、电真空管和类似的半导体器件的额定值体系IEC 60747-10:1991/QC 70000。半导体器件分立器件和集成电路第10部分:分立器件和集成电路总规范

7、IEC 60748-11:1990/QC 790100半导体器件集成电路第11部分:半导体集成电路分规范(不包括混合电路)要求的资料本页和下页括号内的数字与下列各项要求的资料相对应，这些资料应填人本规范相应的栏中。详细规范的识别I授权发布详细规范的国家标准机构名称.2详细规范的珑CQ编号。3总规范和分规范的编号及版本号。4详细规范的国家编号、发布日期及国家标准体系要求的其他资料。器件的识别5主要功能和型号。仁6典型结构(材料、主要工艺)和封装资料。器件若具有若干种派生产品，则应指出其特性差异详细规范应给出包括以下的简短描述:一一1艺(N MOS等);结构(字x位);输出电路的形式(例如三态);

8、主要功能。7外形图，引出端识别、标志和/或有关外形的参考文件。8按总规范2.6的质量评定类别。r9参考数据。本规范下页方括号给出的条款构成了详细规范的首页，这些条款仅供指导详细规范的编写，而不应纳入详细规范中。飞GB/T 17574.10-2003/IEC 60748-2-10:1994当任一条款指导编写可能引起混淆时，应在括号内说明。国家代表机构(NAI)和发布规范的团体)1名称(地址)详细规范的IECQ编号、版本号和/或9期7 27QC 790107一二，、，评定电子元器件质量的依据31总规范标准60747-IO/QC 700000分规范:标准60748-II/QC 790100及编号不同

9、时的国家编号红详细规范的国家编号4若国家编号与IECQ编号一致，本栏可不填遥集成电路动态读/写存储器空白详细规范仁刘红有关器件的型号i订货资料见本规范工2机械说明7外形依据:应给出标准封装资料，IEC编号( ft口有，则需遵循)和/或国家编号口外形图C.详细的资料应在本规范第8章给出I引出端识别画出引出端排列图，包括图形符号标志仁字母和图形，或色码习若有时，详细规范应规定器件上标志的内容豹见总规范2.5和了或本规范I l三简要说明厂61应用功能典型结构:仁硅、单片、MOs工艺封装仁空封或非空封派生产品的特性对照表I1注意静电敏感器件质量评定类别8已按总规范2.61参考数据91能在各型号间比较的

10、最重要性能的参考数据困按本规范鉴定合格的器件，其有关制造厂的资料，可在现行合格产品目录中查到标志和订货资料1标志见总规范2，52订货资料除另有规定外，订购器件至少需要下列资料:-一准确的型号(必要时，标称电压值);一一适用时，详细规范的IECQ编号、版本号和/或日期;分规范第9章规定的类别，及如果需要时，分规范第8章规定的筛选程序;发货包装;其他特殊的资料2应用说明仁应给出下列特性:-一标称电源电压;-一一刷新模式;工作模式(例如地址取样);GB/T 17574. 10-2003/IEC 60748-2-10:1994电气兼容(适用时)。应当标注出集成电路存储器是否与其他集成电路或集成电路族电

11、气兼容，或是否需要特殊接口。l功能说明3.1详细框图r框图应该充分描述存储器内独立功能单元并以其主要输人、输出路径来加以识别，并识别其外部连接(片允许，地址码、编程等)。应给出功能的图形符号。这可从标准图形符号的目录中得到，或按GB/T 4728,12的规定编制。32引出端识别和功能仁所有引出端应在框图中注明(电源端、地址、数据和控制端)。r引出端功能应在下表中注明引出端功能引出端编号引出端符号)引出端标识功能输人/输出识别输出电路的类型33功能说明I应给出下列特性:一一存储器大小:能存储在存储器电路中的信息容量总位数;存储器结构:能存储在存储器电路中的每个字的位数;寻址方式;片选(适用时);

12、输出允许(适用时);备用模式(适用时);真值表(该表应能反映对应地址输人和选择输人不同组合的输出状态)a1极限值(绝对最大额定值体系)见IEC 60134,除另有规定外，这些极限值适用于整个7作温度范围。I除另有规定外.应给出下列极限值:应该包括特定集成电路才有的警示状态，例如MOs电路的处置;一应规定任何相关的极限值;应注明极限值适用的所有条件;若允许瞬时过载，应规定其幅值和持续时间。所有电压以一个确定参考端为基准参数符号最小最大单位电源电压Vnc 7 VBB Iv- .Vs V!输入电压VX1XV输出电压VXXV区别片选和输出允许GB/T 17574. 10-2003/IEC 60748-

13、2-10:1994表(续)参数符号最小最大单位截止电压，V既xxv输出电流isXXmA输人电流I,XXmA功耗PoXW工作温度T-、和/或T-XX贮存温度TgXX代数值1)适用时。5工作条件(在规定的工作温度范围内)这些条件不考核但可用于质量评定。特性符号最小最大单位电源电压vov8vccVEExxxXxxxxvvvv输人低电平电压VIxxv输人高电平电压VIHxxv工作温度T.。和/或T.-xXI)适用时，这些值也可在备用条件下引用.6电特性除另有规定外，特性适用于第5章全部工作条件电路指定参数在工作温度范围内变化的.应给出25下和高、低温下的输人、输出电压值和对应的电流。应给出每个不同功能

14、类型的输人和/或输出对应的电流和电压值。应规定特殊特性和时序要求。6. 1静态特性所有电压以一个确定参考端为基准。特性条件Ill,符号最小最大单位读/写周期平均工作电流，Vccmax一日XXmAXX.A备用电流，平均刷新电源电流”XX.AXX-A平均页模式电源电流，输出高电平电压Vcc minIOHAVnHXXVGB/T 17574. 10-2003/IEC 60748-2-10:1994表(续)特性条件1,11符号最小最大单位输出低电平电压V minIauVoLXXV输人高电平电流或漏电流Vcc maxVa:eIIHVamaxVOL B了oa xXX产A三态输出的输出高电平漏电流(若适用)V

15、u maxVOHBloanXX解A三态输出的输出低电平诵电流(若适用)VamaxVoIoa zXX拼A输出短路电流”VamaxVo=oIosXX.A代数值1)适用时。2) Ioxx和Ion、仅适用于集电极开路(或源极/漏极开路)的输出，这种情况下它代替Iox和1-,3)规定持续时间4)适用时Voo用于代替Va5)这些条件用于相关特性测量的最坏情况下。适用时也应标出下列条件:若某些引出端既可作输人也可作输出，应注明所有条件GB/T 17574. 10-2003/IEC 60748-2-10:19946.2动态特性只要适用于器件工作则应给出下表所列特性:特性条件符号最小最大单位周期读写读写读一改一

16、写页模式(读、写、读写，读一改一写)z刷新周期时间和刷新时间(注1)enS存取时间开始到列地址选择开始到行地址选择(RAS)(注1)t,ns脉冲持续时间一一读操作列地址选择有效列地址选择无效行地址选择有效行地址选择无效写操作列地址选择有效列地址选择无效行地址选择有效行地址选择无效写允许读一改写操作同写操作页模式读操作同读操作页模式写操作同写操作-RAS刷新操作2，行地址选择有效行地址选择无效自刷新操作11刷新-一自动刷新操作甘，行地址选择前刷新结束(注1)一一2w一一一一一(注2)lnSl)lGB/T 17574. 10-2003/IEC 60748-2-10:1994表(续)特性条件符号最小

17、最大单位建立时间读操作列地址选择前列地址行地址选择前行地址列地址选择前片选开始幻列地址选择前读写操作列地址选择前列地址行地址选择前行地址列地址选择前片选开始列地址选择前数据输人写前数据输人列地址选择结束前写行地址选择结束前写读改写操作列地址选择前列地址行地址选择前行地址列地址选择前片选开始列地址选择前数据输入写开始前数据输人列地址选择结束前写行地址选择结束前写列地址选择开始前读页模式读操作同读操作页模式写操作同写操作-RAS刷新操作行地址选择开始前行地址-一自刷新操作11刷新自动刷新2，行地址选择开始前刷新结束(注1)儿unsGB/T 17574. 10-2003/IEC 60748-2-10

18、:1994表(续)特性条件符号最小最大单位保持时间一一读操作列地址送择开始后列地址行地址店排开始后行地址行地址选择开始后列地址列地址选择开始后片选韵行地址选择开始后片选2)列地址选择开始结束后读行地址选择开始后列地址写操作列地址选择开始后列地址行地址选择开始后行地址行地址选择开始后列地址列地址选择开始后片选11行地址选择开始后片选2，列地址选择后写列地址选择开始后数据输人列地址选择开始后数据输人行地址选择开始后数据输人写开始后数据输人行地址选择开始后列地址选择读一改一写同写操作一一页模式读操作同读操作一页模式写操作同写操作-RAS刷新操作行地址选择开始后行地址(注1)t卜nsGB/T 1757

19、4. 10-2003/IEC 60748-2-10;1994表(续)特性条件符号最小最大单位延迟时间具有多路地址输人的存储器读操作列地址选择结束行地址选择开始列地址选择开始行地址选择结束行地址选择开始列地址选择结束写操作列地址选择结束行地址选择开始行地址选择结束列地址选择开始列地址选择开始直到行地址选择开始写开始到列地址选择开始读一改一写操作行地址选择开始列地址选择结束行地址选择结束列地址选择开始列地址选择结束行地址选择开始列地址选择开始直到写开始行地址选择开始直到写开始页模式读操作同读操作页模式写操作同写操作自刷新操作2)刷新结束直到行地址选择开始行地址选择结束直到刷新开始自动IQ新操作即刷

20、新开始直到行地址选择开始刷新结束直到行地址选择结束这里指的引出端可能包含不止一个功能，应给出每个功能的信息说明.)(注1)td(注2)ns1)应标明试验条件和负载电路2)适用时6.3时序图应给出时序图，包括完整信号集表明每个电路模式的操作。应注明需要用户了解的任一时间间隔以确保存储器正常工作(例如备用期间和离开备用状态的操作)。6.4电容特性条件符号最小最大单位输人电容C;XpF输出电容(若适用)C.,XpFGB/T 17574. 10-2003/IEC 60748-2-10:19947编程不适用。8机械和环境的额定值、特性和数据见分规范12. 2,9附加资料作为最少设计数据可选下列附加资料。

21、热阻应包括对应于推荐最高工作条件的额定功耗下允许在器件表面参考点产生的最高温度。抗扰度(输入，电源电压等)。电源适用时，应给出控制信号频率范围(包括脉冲电源)内的电源电流(或者，适用时的电压)的典型变化。负载规则:给出输出负载能力。输人或输出电路简图(若需要)。10筛选程序(如要求)见分规范第8章。老炼条件:应规定下列条件:环境温度:最高工作温度，除另有规定外;电源电压:额定值，除另有规定外;频率;电路图和条件。11质f评定程序下列任一程序都可用于鉴定。11.1鉴定批准程序见总规范3.1和分规范5.111.2能力批准程序见总规范3.11012结构相似性程序见分规范第6章。口13试验条件和检验要

22、求13. 1总则13. 1. 1电气和功能测量的通用条件见总规范4.3.1测试程序是产品规范的一部分制造厂应向NSI(国家标准机构)证明功能测试程序是充分的，参照制造厂给出的定义(功能、试验范围等)。该资料应由制造厂和NSI保密，没有制造厂允许不得公开。13. 1.2功能验证10GB/T 17574. 10-2003/IEC 60748-2-10:199413. 1.2. 1总则见总规范。13. 1.2.2功能定义和验证在详细规范或本空白详细规范第3章中应尽可能详细的描述集成电路实现的功能。应用制造厂的测试程序进行功能验证，这个测试程序是产品规范的一部分。制造厂应向NSI保证测试程序对于功能验

23、证是充分的，另外，还应向其保证通过测试程序的功能验证在整个电源电压和工作温度范围内是有效的。NSI可以要求制造厂说明测试程序及其任一变化，但该资料是保密的。NSI有权向被制造厂认可的专家咨询。F测试程序中的功能验证不在详细规范中说明。13.2抽样要求和检验批构成抽样要求见分规范第9章和总规范3.7pA组试验应选AQL体系。检验批:见分规范第9章。13.3检验表除另有规定外，试验在25下进行。标有(b)的试验是破坏性的表1 A组:逐批分组检查或试验试验条件极限值A1一外部目检见IEC 60747-IO/QC 7000004 2 1.125的功能验证(除另有规定外)按本规范131最低和最高工作温度

24、下的功能验证(不适用于工类)”25下静态特性见本规范6.工对于输出参数应给出预置顺序和负载若需要应规定未用输人端电平见本规范6最低和最高工作温度下静态特性”在丁盯、二Tnmn min和T- max极限值可以与A3分组不同幻一A3a25下动态特性(除另有规定外)见本规范62在规定的控制序列图中给出电压、输人信号的序列和组合及由此产生的输出波形规定基本时序条件的适当值及输出负载最低和最高工作温度下动态特性(不适用1T.- =孺*min和瑞max于工类)”一条件同A4极限值可以与A4分组不同A4一A4aI)如果制造厂能定期证明2个极限温度下的试验结果与25下的试验结果相关，则可使用25下的试验结果G

25、B/T 17574. 10-2003/IEC 60748-2-10:1994表2B组逐批分组检查或试验引用标准详细条件极限值B1(ND)尺寸IEC 60747-10,4. 2. 2和附录B见本规范第2页B2c电额定值验证不适用B4(D)可焊性GB/T 4937，第a篇，2.1按规定浸润良好B;(ND)(D)温度快速变化a)空封温度快速变化，随后电测试(A2,A3和A4)密封，细检漏密封，粗检漏b)非密封和环氧封接的空封器件温度快速变化，随后:外部目检稳态湿热电测试(A2, A3和A4)GB/T 4937，第lu篇1.1和AlGB/T 4937,第皿篇，7.3(和Al)或7.4IEC 60068

26、-2-17,QC试脸GB/T 4937,第班篇，1.1和AlIEC 60747-10,4.2. 1. 1GB/T 4937, (Al)第班篇，SB10次循环同A2, A3和A4分组按规定按规定10次循环严酷度1,24 h同A2, A3和A4分组同A2, A3和A4分组同A2,A3和A4分组B8(ND)电耐久性见分规范12.3时间168 h,按分规范12. 3和(适用时)12. 4规定见分规范12.3CRRL就B4, B5和B8分组提供计数检查结果表3 C组周期分组检查或试验引用标准详细条件极限值C1(ND)尺寸IEC 60747-10, 4. 2. 2和附录BCZc(D)瞬态能量额定值按规定按

27、规定C3(ll)引出端强度GB/T 4937,第Q篇，第1章按相应封装的规定C4耐焊接热GB/T 4937,第Q篇，2.2按规定GB/T 17574. 10-2003/IEC 60748-2-10:1994表3(续)分组检查或试验引用标准详细条件极限值C5(ND(D)温度快速变化a)空封器件温度快速变化，随后:电侧试(A2,A3和A4)密封，细检漏密封，粗检漏b)非空封器件和环氧封接的空封器件温度快速变化，随后:外部目检稳态湿热电测试(A2, A3和A4)GB/T 4937，第m篇，1.1和AlGB/T 4937，第皿篇，7. 3(和Al)或7. 4工EC 60068-2-17,创二试验GB/

28、T 4937，第m篇，1.1和AlIEC 60747-10,4.2. 1. 1GB/T 4937 (Al)第皿篇，5B10次循环同A2, A3和A4分组按规定按规定50。次循环严酷度1,24 h同A2, A3和A4分组同A2, A3和A4分组同AZ，A3和A4分组C5a(D)盐雾(适用时)GB/T 4937，第In篇，第8章C6稳态加速度(适用于空封器件)GB/T 4937,第Q篇，第5章(和All按规定C7(D)稳态湿热a)空封器件b)非空封器件随后:A2, A3和A4分组电测试GB/T 4937 (Al),第皿篇,5AGB/T 4937(All，第皿篇，5B严酷度:0类、皿类为56 dI类

29、为21 d严酷度1偏t:按详细规范规定时间:n类、m类1 000 hI类500 h同A2, A3和A4分组同A2, A3和A4分组CS(U)电耐久性见分规范12.3时间:1 000 h，按分规范12. 3和(适用时)12.4的规定见分规范12.3C9(D)高温贮存GB/T 4937，第Ul篇，21 000 h,讯、最大值C11(Nll)标志耐久性GB/T 4937 (Al)，第IV篇，2方法1CRRL按C3,C4,C5,C6,C7,C8,C9和Cll分组提供计数检查结果GB/T 17574. 10-2003/IEC 60748-2-10:1994表4D组分组检查或试验引用标准详细条件电耐久性，见分规范12极限值见分规范12.3D12NI少输人电容见本规范6.4工类:不适用类2 000 h田类3。h条件见分规范12,3及(适用时)12.4见本规范6.4见本规范6.4D13(ND)输出电容(若适用)见本规范6，4见本规范6.4见本规范6.4D14锁定(若适用)I GB/T 17574,第IV篇，(D)!第“节第“章1) D组试验应在鉴定批准后立即进行，其后一年进行一次13.4延期交货见IEC 60747-10中3. 6, 7,GB/T 17574，第N篇，第2节第8章14附加测量方法不适用。