DIN EN 60749-17-2003 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 17 Neutron irradiation (IEC 60749-17 2003) German version EN 60749-17 2003《半导体器件 机械和气候试验方法 .pdf
《DIN EN 60749-17-2003 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 17 Neutron irradiation (IEC 60749-17 2003) German version EN 60749-17 2003《半导体器件 机械和气候试验方法 .pdf》由会员分享,可在线阅读,更多相关《DIN EN 60749-17-2003 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 17 Neutron irradiation (IEC 60749-17 2003) German version EN 60749-17 2003《半导体器件 机械和气候试验方法 .pdf(7页珍藏版)》请在麦多课文档分享上搜索。
1、DEUTSCHE NORM September 2003HalbleiterbauelementeMechanische und klimatische PrfverfahrenTeil 17: Neutronenbestrahlung(IEC 60749-17:2003) Deutsche Fassung EN 60749-17:2003EN 60749-17ICS 31.080.01Semiconductor devices Mechanical and climatic test methods Part 17: Neutron irradiation (IEC 60749-17:200
2、3);German version EN 60749-17:2003Dispositifs semiconducteurs Mthodes dessais mcaniques etclimatiques Partie 17: Irradiation aux neutrons (CEI 60749-17:2003);Version allemande EN 60749-17:2003Die Europische Norm EN 60749-17:2003 hat den Status einer Deutschen Norm.Beginn der GltigkeitDie EN 60749-17
3、 wurde am 2003-04-01 angenommen.Nationales VorwortFr die vorliegende Norm ist das nationale Arbeitsgremium K 631 Halbleiterbauelemente der DKEDeutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik im DIN und VDE zustndig.Norm-Inhalt war verffentlicht als E DIN EN 60749-17:2002-05.Die enth
4、altene IEC-Publikation wurde vom TC 47 Semiconductor devices erarbeitet. Sie ergnzt die inden bisher verffentlichten Normen der Reihe IEC 60749 enthaltenen Prfverfahren um ein bisher nichtfestgelegtes Prfverfahren. Nach Abschluss der von IEC/TC 47 beschlossenen kompletten berarbei-tung der IEC 60749
5、 und der Aufteilung in jeweils einen Teil der Reihe IEC 60749 je Prfverfahren wirddie Reihe der Normen voraussichtlich aus 36 Teilen bestehen.Das IEC-Komitee hat entschieden, dass der Inhalt dieser Publikation bis zum Jahr 2007 unverndertbleiben soll. Zu diesem Zeitpunkt wird entsprechend der Entsch
6、eidung des Komitees die Publikation besttigt, zurckgezogen, durch eine Folgeausgabe ersetzt oder gendert.Fortsetzung Seite 2und 5 Seiten ENDKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik im DIN und VDE DIN Deutsches Institut fr Normung e. V. Jede Art der Vervielfltigung, auch a
7、uszugsweise,nur mit Genehmigung des DIN Deutsches Institut fr Normung e. V., Berlin, gestattet.Alleinverkauf der Normen durch Beuth Verlag GmbH, 10772 BerlinRef. Nr. DIN EN 60749-17:2003-09Preisgr. 06 Vertr.-Nr. 2506NormCD Stand 2004-03DIN EN 60749-17:2003-092Fr den Fall einer undatierten Verweisung
8、 im normativen Text (Verweisung auf eine Norm ohne Angabe desAusgabedatums und ohne Hinweis auf eine Abschnittsnummer, eine Tabelle, ein Bild usw.) bezieht sich dieVerweisung auf die jeweils neueste gltige Ausgabe der in Bezug genommenen Norm.Fr den Fall einer datierten Verweisung im normativen Text
9、 bezieht sich die Verweisung immer auf die inBezug genommene Ausgabe der Norm.Der Zusammenhang der zitierten Normen mit den entsprechenden Deutschen Normen ergibt sich, soweit einZusammenhang besteht, grundstzlich ber die Nummer der entsprechenden IEC-Publikation. Beispiel:IEC 60068 ist als EN 60068
10、 als Europische Norm durch CENELEC bernommen und als DIN EN 60068 insDeutsche Normenwerk aufgenommen.IEC hat 1997 die Benummerung der IEC-Publikationen gendert. Zu den bisher verwendeten Normnummernwird jeweils 60000 addiert. So ist zum Beispiel aus IEC 68 nun IEC 60068 geworden.NormCD Stand 2004-03
11、EUROPISCHE NORMEUROPEAN STANDARDNORME EUROPENNEEN 60749-17April 2003ICS 31.080.01 Deutsche FassungHalbleiterbauelementeMechanische und klimatische PrfverfahrenTeil 17: Neutronenbestrahlung(IEC 60749-17:2003)Semiconductor devicesMechanical and climatic test methodsPart 17: Neutron irradiation(IEC 607
12、49-17:2003)Dispositifs semiconducteursMthodes dessais mcaniques et climatiquesPartie 17: Irradiation aux neutrons(CEI 60749-17:2003)Diese Europische Norm wurde von CENELEC am 2003-04-01 angenommen. DieCENELEC-Mitglieder sind gehalten, die CEN/CENELEC-Geschftsordnung zuerfllen, in der die Bedingungen
13、 festgelegt sind, unter denen dieser EuropischenNorm ohne jede nderung der Status einer nationalen Norm zu geben ist.Auf dem letzten Stand befindliche Listen dieser nationalen Normen mit ihren biblio-graphischen Angaben sind beim Zentralsekretariat oder bei jedem CENELEC-Mit-glied auf Anfrage erhltl
14、ich.Diese Europische Norm besteht in drei offiziellen Fassungen (Deutsch, Englisch,Franzsisch). Eine Fassung in einer anderen Sprache, die von einem CENELEC-Mitglied in eigener Verantwortung durch bersetzung in seine Landessprache ge-macht und dem Zentralsekretariat mitgeteilt worden ist, hat den gl
15、eichen Status wiedie offiziellen Fassungen.CENELEC-Mitglieder sind die nationalen elektrotechnischen Komitees von Belgien,Dnemark, Deutschland, Finnland, Frankreich, Griechenland, Irland, Island, Italien,Luxemburg, Malta, den Niederlanden, Norwegen, sterreich, Portugal, Schweden,der Schweiz, der Slo
16、wakei, Spanien, der Tschechischen Republik, Ungarn und demVereinigten Knigreich.CENELECEuropisches Komitee fr Elektrotechnische NormungEuropean Committee for Electrotechnical StandardizationComit Europen de Normalisation ElectrotechniqueZentralsekretariat: rue de Stassart 35, B-1050 Brssel 2003 CENE
17、LEC Alle Rechte der Verwertung, gleich in welcher Form und in welchem Verfahren,sind weltweit den Mitgliedern von CENELEC vorbehalten.Ref. Nr. EN 60749-17:2003 DNormCD Stand 2004-03EN 60749-17:20032VorwortDer Text des Schriftstcks 47/1668/FDIS, zuknftige 1. Ausgabe von IEC 60749-17, ausgearbeitet vo
18、n demIEC TC 47 Semiconductor devices, wurde der IEC-CENELEC Parallelen Abstimmung unterworfen und vonCENELEC am 2003-04-01 als EN 60749-17 angenommen.Nachstehende Daten wurden festgelegt: sptestes Datum, zu dem die EN auf nationaler Ebenedurch Verffentlichung einer identischen nationalenNorm oder du
19、rch Anerkennung bernommen werdenmuss (dop): 2004-01-01 sptestes Datum, zu dem nationale Normen, dieder EN entgegenstehen, zurckgezogen werdenmssen (dow): 2006-04-01AnerkennungsnotizDer Text der Internationalen Norm IEC 60749-17:2003 wurde von CENELEC ohne irgendeine Abnderungals Europische Norm ange
20、nommen.NormCD Stand 2004-03EN 60749-17:200331 AnwendungsbereichDas Prfverfahren mit Neutronenbestrahlung wird angewandt, um die Empfindlichkeit von Halbleiterbauele-menten bezglich Degradationen in Neutronenumgebungen zu ermitteln. Die in dieser Norm festgelegtenPrfbeanspruchungen sind sowohl auf in
21、tegrierte Schaltungen als auch auf Einzelhalbleiterbauelementeanwendbar. Dieses Prfverfahren ist fr Militr- und Raumfahrtanwendungen bestimmt. Das Prfverfahren istzerstrend.Der Zweck dieses Prfverfahrens ist:a) Ermitteln und Messen der Degradation der kritischen Kenngren von Halbleiterbauelementen a
22、lsFunktion des Neutronenflusses;b) Bestimmen, ob ausgewhlte Kenngren innerhalb der festgelegten Grenzwerte sind, nachdem dieHalbleiterbauelemente durch einen festgelegten Neutronenfluss beansprucht wurden (siehe Abschnitt 4).2 Prfeinrichtung2.1 Prf- und MessgerteDie beim Prfverfahren Neutronenbestra
23、hlung verwendeten Prf- und Messgerte mssen elektronischeStandardlaborgerte, wie Stromversorgungsgerte, Digitalvoltmeter, Piko-Amperemeter usw., sein, mit denenman in der Lage ist, die geforderten elektrischen Kenngren zu messen.2.2 StrahlungsquelleDie in diesem Prfverfahren verwendete Strahlungsquel
- 1.请仔细阅读文档,确保文档完整性,对于不预览、不比对内容而直接下载带来的问题本站不予受理。
- 2.下载的文档,不会出现我们的网址水印。
- 3、该文档所得收入(下载+内容+预览)归上传者、原创作者;如果您是本文档原作者,请点此认领!既往收益都归您。
下载文档到电脑,查找使用更方便
10000 积分 0人已下载
下载 | 加入VIP,交流精品资源 |
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- DINEN60749172003SEMICONDUCTORDEVICESMECHANICALANDCLIMATICTESTMETHODSPART17NEUTRONIRRADIATIONIEC60749172003GERMANVERSIONEN60749172003

链接地址:http://www.mydoc123.com/p-676206.html