DIN EN 60747-16-1-2007 Semiconductor devices - Part 16-1 Microwave integrated circuits - Amplifiers (IEC 60747-16-1 2001 + A1 2007) German version EN 60747-16-1 2002 + A1 2007《半导体器.pdf

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1、Oktober 2007DEUTSCHE NORM DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik im DIN und VDEPreisgruppe 22DIN Deutsches Institut fr Normung e.V. Jede Art der Vervielfltigung, auch auszugsweise, nur mit Genehmigung des DIN Deutsches Institut fr Normung e.V., Berlin, gestattet.ICS 31

2、.080.99!$Huk“1378272www.din.deDDIN EN 60747-16-1Halbleiterbauelemente Teil 16-1: Integrierte Mikrowellen-Verstrker (IEC 60747-16-1:2001 +A1:2007);Deutsche Fassung EN 60747-16-1:2002 + A1:2007Semiconductor devices Part 16-1: Microwave integrated circuits Amplifiers (IEC 60747-16-1:2001 + A1:2007);Ger

3、man version EN 60747-16-1:2002 + A1:2007Dispositifs semiconducteurs Partie 16-1: Circuits intgrs hyperfrquences Amplificateurs (CEI 60747-16-1:2001 + A1:2007);Version allemande EN 60747-16-1:2002 + A1:2007Alleinverkauf der Normen durch Beuth Verlag GmbH, 10772 BerlinErsatz frDIN EN 60747-16-1:2002-0

4、7Siehe jedoch Beginn derGltigkeitwww.beuth.deGesamtumfang 58 SeitenDIN EN 60747-16-1:2007-10 2 Beginn der Gltigkeit Die von CENELEC am 2002-02-01 angenommene EN 60747-16-1 gilt zusammen mit der am 2007-02-01 angenommenen nderung A1 als DIN-Norm ab 2007-10-01. Daneben darf DIN EN 60747-16-1:2002-07 n

5、och bis 2010-02-01 angewendet werden. Nationales Vorwort Vorausgegangener Norm-Entwurf: E DIN IEC 60747-16-1/A1:2004-11. Fr diese Norm ist das nationale Arbeitsgremium UK 631.1 Einzel-Halbleiterbauelemente“ der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik im DIN und VDE (htt

6、p:/www.dke.de) zustndig. Die enthaltene IEC-Publikation wurde vom SC 47E Discrete semiconductor devices“ erarbeitet. Das IEC-Komitee hat entschieden, dass der Inhalt dieser Publikation bis zu dem auf der IEC-Website unter http:/webstore.iec.ch“ mit den Daten zu dieser Publikation angegebenen Datum (

7、maintenance result date) unverndert bleiben soll. Zu diesem Zeitpunkt wird entsprechend der Entscheidung des Komitees die Publikation besttigt, zurckgezogen, durch eine Folgeausgabe ersetzt oder gendert. Fr den Fall einer undatierten Verweisung im normativen Text (Verweisung auf eine Norm ohne Angab

8、e des Ausgabedatums und ohne Hinweis auf eine Abschnittsnummer, eine Tabelle, ein Bild usw.) bezieht sich die Verweisung auf die jeweils neueste gltige Ausgabe der in Bezug genommenen Norm. Fr den Fall einer datierten Verweisung im normativen Text bezieht sich die Verweisung immer auf die in Bezug g

9、enommene Ausgabe der Norm. Der Zusammenhang der zitierten Normen mit den entsprechenden Deutschen Normen ergibt sich, soweit ein Zusammenhang besteht, grundstzlich ber die Nummer der entsprechenden IEC-Publikation. Beispiel: IEC 60068 ist als EN 60068 als Europische Norm durch CENELEC bernommen und

10、als DIN EN 60068 ins Deutsche Normenwerk aufgenommen. Die nderung 1 wurde eingearbeitet und durch einen senkrechten Strich am linken Seitenrand im Text gekennzeichnet. nderungen Gegenber DIN EN 60747-16-1:2002-07 wurden folgende nderungen vorgenommen: a) Die Norm wurde redaktionell berarbeitet. Dies

11、e beinhaltet hauptschlich die Modifikation der Verweise, Begriffsdefinition und Formelschreibweisen. Frhere Ausgaben DIN EN 60747-16-1:2002-07 EUROPISCHE NORM EUROPEAN STANDARD NORME EUROPENNE EN 60747-16-1 Februar 2002 + A1 Februar 2007 ICS 31.080.99 Deutsche Fassung Halbleiterbauelemente Teil 16-1

12、: Integrierte Mikrowellen-Verstrker (IEC 60747-16-1:2001 + A1:2007) Semiconductor devices Part 16-1: Microwave integrated circuits Amplifiers (IEC 60747-16-1:2001 + A1:2007) Dispositifs semiconducteurs Partie 16-1: Circuits intgrs hyperfrquences Amplificateurs (CEI 60747-16-1:2001 + A1:2007) Diese E

13、uropische Norm wurde von CENELEC am 2002-02-01 und die A1 am 2007-02-01 angenom-men. Die CENELEC-Mitglieder sind gehalten, die CEN/CENELEC-Geschftsordnung zu erfllen, in der die Bedingungen festgelegt sind, unter denen dieser Europischen Norm ohne jede nderung der Status einer nationalen Norm zu geb

14、en ist. Auf dem letzten Stand befindliche Listen dieser nationalen Normen mit ihren bibliographischen Angaben sind beim Zentralsekretariat oder bei jedem CENELEC-Mitglied auf Anfrage erhltlich. Diese Europische Norm besteht in drei offiziellen Fassungen (Deutsch, Englisch, Franzsisch). Eine Fassung

15、in einer anderen Sprache, die von einem CENELEC-Mitglied in eigener Verantwortung durch bersetzung in seine Landessprache gemacht und dem Zentralsekretariat mitgeteilt worden ist, hat den gleichen Status wie die offiziellen Fassungen. CENELEC-Mitglieder sind die nationalen elektrotechnischen Komitee

16、s von Belgien, Bulgarien, Dnemark, Deutschland, Estland, Finnland, Frankreich, Griechenland, Irland, Island, Italien, Lettland, Litauen, Luxemburg, Malta, den Niederlanden, Norwegen, sterreich, Polen, Portugal, Rumnien, Schweden, der Schweiz, der Slowakei, Slowenien, Spanien, der Tschechischen Repub

17、lik, Ungarn, dem Vereinigten Knigreich und Zypern. CENELEC Europisches Komitee fr Elektrotechnische Normung European Committee for Electrotechnical Standardization Comit Europen de Normalisation Electrotechnique Zentralsekretariat: rue de Stassart 35, B-1050 Brssel 2007 CENELEC Alle Rechte der Verwe

18、rtung, gleich in welcher Form und in welchem Verfahren, sind weltweit den Mitgliedern von CENELEC vorbehalten. Ref. Nr. EN 60747-16-1:2002 + A1:2007 DEN 60747-16-1:2002 + A1:2007 2 Vorwort Der Text des Schriftstcks 47E/200/FDIS, zuknftige 1. Ausgabe von IEC 60747-16-1, ausgearbeitet von dem SC 47E D

19、iscrete semiconductor devices“ des IEC/TC 47 Semiconductor devices“, wurde der IEC-CENELEC Parallelen Abstimmung unterworfen und von CENELEC am 2002-02-01 als EN 60747-16-1 angenommen. Nachstehende Daten wurden festgelegt: sptestes Datum, zu dem die EN auf nationaler Ebene durch Verffentlichung eine

20、r identischen nationalen Norm oder durch Anerkennung bernommen werden muss (dop): 2002-11-01 sptestes Datum, zu dem nationale Normen, die der EN entgegenstehen, zurckgezogen werden mssen (dow): 2005-02-01 Anhnge, die als normativ“ bezeichnet sind, gehren zum Norm-Inhalt. In dieser Norm ist Anhang ZA

21、 normativ. Anerkennungsnotiz Der Text der Internationalen Norm IEC 60747-16-1:2001 wurde von CENELEC ohne irgendeine Abnderung als Europische Norm angenommen. Vorwort zu A1 Der Text des Schriftstcks 47E/305/FDIS, zuknftige nderung 1 zu IEC 60747-16-1:2001, ausgearbeitet von dem SC 47E Discrete semic

22、onductor devices“ des IEC TC 47 Semiconductor devices“, wurde der IEC-CENELEC Parallelen Abstimmung unterworfen und von CENELEC am 2007-02-01 als nderung A1 zu EN 60747-16-1:2002 angenommen. Nachstehende Daten wurden festgelegt: sptestes Datum, zu dem die nderung auf nationaler Ebene durch Verffentl

23、ichung einer identischen nationalen Norm oder durch Anerkennung bernommen werden muss (dop): 2007-11-01 sptestes Datum, zu dem nationale Normen, die der nderung entgegenstehen, zurckgezogen werden mssen (dow): 2010-02-01 Der Anhang ZA wurde von CENELEC hinzugefgt. Anerkennungsnotiz Der Text der nder

24、ung 1:2006 zur Internationalen Norm IEC 60747-16-1:2001 wurde von CENELEC als nderung zur Europischen Norm ohne irgendeine Abnderung angenommen. EN 60747-16-1:2002 + A1:2007 3 Inhalt Seite Vorwort .2 Vorwort zu A1 .2 1 Anwendungsbereich.5 2 Normative Verweisungen .5 3 Terminologie.5 4 Wesentliche Be

25、messungs- und Kennwerte .8 4.1 Allgemeines8 4.2 Anwendungsbezogene Beschreibung .9 4.3 Spezifikation der Funktion9 4.4 Grenzwerte (absolut hchstes Bemessungssystem).11 4.5 Betriebsbedingungen (innerhalb des festgelegten Betriebstemperaturbereiches)13 4.6 Elektrische Kennwerte .13 4.7 Mechanische und

26、 umgebungsbezogene Bemessungs- und Kennwerte und Angaben 15 4.8 Zustzliche Angaben15 5 Messverfahren16 5.1 Allgemeines16 5.2 Lineare (Leistungs-)Verstrkung (Glin) 17 5.3 Linearittsabweichung der linearen (Leistungs-)Verstrkung (Glin) 18 5.4 Leistungsverstrkung (Gp) .19 5.5 Linearittsabweichung der (

27、Leistungs-)Verstrkung (Gp) .20 5.6 (Hchste erreichbare) Leistungsverringerung Gred.21 5.7 Ausgangsleistungsbegrenzung (Po(ltg) .22 5.8 Ausgangsleistung (Po)23 5.9 Ausgangsleistung bei einer Verstrkungskompression von 1 dB (Po(1dB).24 5.10 Rauschzahl (F).25 5.11 Intermodulationsverzerrung (Zweiton) (

28、P1/Pn) .27 5.12 Leistung am Interceptpunkt (fr Intermodulationsprodukte) (Pn(IP)29 5.13 Gre des Eingangsreflexionskoeffizienten (Eingangsrckflussdmpfung) (|S11|).30 5.14 Gre des Ausgangsreflexionskoeffizienten (Ausgangsrckwirkungsdmpfung) (|S22|) 31 5.15 Gre des Rckwrtsbertragungskoeffizienten (Entk

29、opplung) (|S12|).34 5.16 Umsetzungskoeffizient von Amplitudenmodulation in Phasenmodulation (AM-PM) 36 5.17 Gruppenlaufzeit (td(grp) .38 5.18 Leistungsbezogener Wirkungsgrad39 5.19 Verhltnis der Oberschwingungsverzerrung n-ter Ordnung P1/Pnth41 EN 60747-16-1:2002 + A1:2007 4 Seite 5.20 Ausgangsrausc

30、hleistung (PN) . 42 5.21 Strstrke bei festgelegtem Belastungs-Spannungsstehwellenverhltnis Po/Psp44 5.22 Leistungsverhltnis benachbarter Kanle (Po(mod)/Padj) . 46 6 Nachweisverfahren 48 6.1 Grenzabweichung der Lastfehlanpassung (L) 48 6.2 Grenzabweichung der Quellenfehlanpassung (S) 51 6.3 Lastfehla

31、npassungsstabilitt (R). 54 Anhang ZA (normativ) Normative Verweisungen auf internationale Publikationen mit ihren entsprechenden europischen Publikationen . 56 Bilder Bild 1 Schaltung fr die Messung der linearen Verstrkung 17 Bild 2 Grundschaltung fr die Messung der Rauschzahl . 25 Bild 3 Grundschal

32、tung fr die Messung der Zweiton-Intermodulationsverzerrung 27 Bild 4 Schaltung fr die Messung der Gre des Eingangsreflexionskoeffizienten (Eingangsrckwirkungsdmpfung) 30 Bild 5 Schaltung fr die Messung des Ausgangsreflexionskoeffizienten . 33 Bild 6 Schaltung fr die Messung der Entkopplung 35 Bild 7

33、 Grundschaltung fr die Messung von (AM-PM)36 Bild 8 Schaltung fr die Messung des leistungsbezogenen Wirkungsgrades 39 Bild 9 Schaltung fr die Messung des Verhltnisses der Oberschwingungsverzerrung n-ter Ordnung P1/Pnth. 41 Bild 10 Schaltung fr die Messung der Ausgangsrauschleistung 42 Bild 11 Schalt

34、ung fr die Messung der Strstrke . 44 Bild 12 Schaltung fr die Messung des Leistungsverhltnisses benachbarter Kanle 46 Bild 13 Schaltung fr die Messung der Grenzabweichung der Lastfehlanpassung fr das Prfverfahren 1 49 Bild 14 Schaltung fr die Messung der Grenzabweichung der Lastfehlanpassung fr das

35、Prfverfahren 2 50 Bild 15 Schaltung fr die Messung der Grenzabweichung der Quellenfehlanpassung fr das Prfverfahren 1 52 Bild 16 Schaltung fr die Messung der Grenzabweichung der Quellenfehlanpassung fr das Prfverfahren 2 53 Bild 17 Schaltung fr die Messung der Lastfehlanpassungsstabilitt 54 EN 60747

36、-16-1:2002 + A1:2007 5 1 Anwendungsbereich Der vorliegende Teil von IEC 60747 enthlt die Terminologie, wesentliche Bemessungs- und Kennwerte sowie Messverfahren fr integrierte Mikrowellen-Leistungsverstrker. 2 Normative Verweisungen Die folgenden zitierten Dokumente sind fr die Anwendung dieses Doku

37、ments erforderlich. Bei datierten Verweisungen gilt nur die in Bezug genommene Ausgabe. Bei undatierten Verweisungen gilt die letzte Ausgabe des in Bezug genommenen Dokuments (einschlielich aller nderungen). IEC 60617:2001, Graphical symbols for diagrams IEC 60747-1:2006, Semiconductor devices Part

38、1: General IEC 60747-4, Semiconductor devices Discrete devices Part 4: Microwave diodes and transistors1IEC 60747-16-2:2001, Semiconductor devices Part 16-2: Microwave integrated circuits Frequency prescalers IEC 60747-16-4:2004, Semiconductor devices Part 16-4: Microwave integrated circuits Switche

39、s IEC/TS 61340-5-1:1998, Electrostatics Part 5-1: Protection of electronic devices from electrostatic phenomena General requirements IEC/TS 61340-5-2:1999, Electrostatics Part 5-2: Protection of electronic devices from electrostatic phenomena User guide IEC 60747-7:2000, Semiconductor devices Part 7

40、: Bipolar transistors. IEC 60748-2:1997, Semiconductor devices Integrated circuits Part 2: Digital integrated circuits. IEC 60748-3:1986, Semiconductor devices Integrated circuits Part 3: Analogue integrated circuits. IEC 60748-4:1997, Semiconductor devices Integrated circuits Part 4: Interface inte

41、grated circuits. 3 Terminologie 3.1 lineare (Leistungs-)Verstrkung GlinLeistungsverstrkung im linearen Bereich der Leistungsbertragungskennlinie Po(dBm) = f(Pi) ANMERKUNG In diesem Bereich ist Po(dBm) =Pi(dBm). 3.2 Linearittsabweichung der linearen (Leistungs-)Verstrkung GlinLinearittsabweichung der

42、 Leistungsverstrkung, wenn der Arbeitspunkt im linearen Bereich der Leistungs-bertragungskennlinie liegt 3.3 Leistungsverstrkung Gp, G Verhltnis der Ausgangsleistung zur Eingangsleistung ANMERKUNG Die Leistungsverstrkung wird blicherweise in Dezibel angegeben. 1Die zweite Ausgabe von IEC 60747-4, di

43、e in der vorliegenden Norm zitiert wird und auf die sich die in dieser nderung eingefhrten Begriffe beziehen, ist gegenwrtig in Vorbereitung. EN 60747-16-1:2002 + A1:2007 6 3.4 Linearittsabweichung der (Leistungs-)Verstrkung GpDifferenz zwischen der hchsten und niedrigsten Leistungsverstrkung bei ei

44、ner festgelegten Eingangs-leistung in einem festgelegten Frequenzbereich 3.5 (hchste erreichbare) Leistungsverringerung GredDifferenz in Dezibel zwischen der hchsten und niedrigsten Leistungsverstrkung, die mit der Verstrkungsregelung eingestellt werden kann 3.6 Begrenzung der Ausgangsleistung 3.6.1

45、 Begrenzungsbereich der Ausgangsleistung Bereich, in dem die Ausgangsleistung bei steigender Eingangsleistung begrenzt wird ANMERKUNG Fr Spezifikationen sind die Grenzwerte dieses Bereichs durch festgelegte untere und obere Grenzwerte der Eingangsleistung festgelegt. 3.6.2 Ausgangsleistungsbegrenzun

46、g Po(ltg)Ausgangsleistung in dem Bereich, in dem sie begrenzt ist 3.6.3 Linearittsabweichung der Ausgangsleistungsbegrenzung Po(ltg)Differenz zwischen der hchsten und niedrigsten Ausgangsleistung im Bereich der Ausgangsleistungs-begrenzung: Po(ltg)= Po(ltg,max) Po(ltg,min) 3.7 Intermodulationsverzer

47、rung P1/PnVerhltnis der Grundschwingung der Ausgangsleistung zu den Schwingungen n-ter Ordnung der Ausgangs-leistung bei einer festgelegten Eingangsleistung 3.8 Leistung am Interceptpunkt (fr Intermodulationsprodukte) Pn(IP)Ausgangsleistung am Schnittpunkt zwischen den extrapolierten Ausgangsleistun

48、gen von Grundanteil und den Intermodulationsanteilen n-ter Ordnung, wenn die Extrapolation in einem Diagramm durchgefhrt wird, in dem die Ausgangsleistung der Anteile (in Dezibel) als Funktion der Eingangsleistung (in Dezibel) dargestellt ist 3.9 Gre des Eingangsreflexionskoeffizienten (Eingangsrckflussdmpfung) |S11| (siehe IEC 60747-7, 3.5.2.1) 3.10 Gre des Ausgangsreflexionskoeffizienten (Ausgangsrckflussdmpfung) |S22| (siehe IEC 60747-7, 3.5.2.2) EN 60747-16-1:2002 + A1:2007 7 3.11 Gre des Rckwrtsbertragungskoeffizienten (Entkopplung) |S12| (siehe