第4章 常用元器件基础知识.ppt

《第4章 常用元器件基础知识.ppt》由会员分享，可在线阅读，更多相关《第4章 常用元器件基础知识.ppt（25页珍藏版）》请在麦多课文档分享上搜索。

1、1,第4章 常用元器件基础知识,主讲：莫利奖 QQ：2585451425 论坛地址：http:/ 按电解质分类有：有机介质电容器、无机介质电容器、电解电容器和空气介质电容器等； 按用途分有：高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型电容器；,4,电容的用途,耦合电容：用在耦合电路中的电容称为耦合电容，在阻容耦合放大器和其他电容耦合电路中大量使用这种电容电路，起隔直流通交流作用(即通交隔直)。 滤波电容：用在滤波电路中的电容器称为滤波电容，在电源滤波和各种滤波器电路中使用这种电容电路，滤波电容将一定频段内的信号从总信号中去除。 退耦电容：用在退耦电路中的电容器称为退耦电容，在多级放

2、大器的直流电压供给电路中使用这种电容电路，退耦电容消除每级放大器之间的有害低频交连。 高频消振电容：用在高频消振电路中的电容称为高频消振电容，在音频负反馈放大器中，为了消振可能出现的高频自激，采用这种电容电路，以消除放大器可能出现的高频啸叫。,5,电容的用途,谐振电容：用在LC谐振电路中的电容器称为谐振电容，LC并联和串联谐振电路中都需这种电容电路。 旁路电容：用在旁路电路中的电容器称为旁路电容，电路中如果需要从信号中去掉某一频段的信号，可以使用旁路电容电路，根据所去掉信号频率不同，有全频域（所有交流信号）旁路电容电路和高频旁路电容电路。 中和电容：用在中和电路中的电容器称为中和电容。在收音机

3、高频和中频放大器，电视机高频放大器中，采用这种中和电容电路，以消除自激。 定时电容：用在定时电路中的电容器称为定时电容。在需要通过电容充电、放电进行时间控制的电路中使用定时电容电路，电容起控制时间常数大小的作用。,6,电容的用途,负载电容：是指与石英晶体谐振器一起决定负载谐振频率的有效外界电容。负载电容常用的标准值有16pF、20pF、30pF、50pF和100pF。负载电容可以根据具体情况作适当的调整，通过调整一般可以将谐振器的工作频率调到标称值。,7,电容的规格,单位：pF，nF，uF，F(英国物理学家法拉第) 1F1000000F 1F=1000nF=1000000pF注意事项：有极性电

4、容正负及耐压值。 一般的标称耐压值有：4V、6.3V、10V、16V、25V、35V、50V、63V、80V、100V、220V、400V等,8,电阻,在物理学中表示导体对电流阻碍作用的大小叫做电阻。电阻元件的电阻值大小一般与温度，材料，长度，还有横截面积有关。 电阻的主要物理特征是变电能为热能，也可说它是一个耗能元件，电流经过它就产生内能。电阻在电路中通常起分压、分流的作用。,9,电阻的标识_色环标称法,色环：分为4环与5环,10,电阻器的分类,线绕电阻器：通用线绕电阻器、精密线绕电阻器、大功率线绕电阻器、高频线绕电阻器。 薄膜电阻器：碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻

5、器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器。 实心电阻器：无机合成实心碳质电阻器、有机合成实心碳质电阻器。 敏感电阻器：压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏电阻器。,11,电阻的标识_数字索位标称法,数字索位标称法就是在电阻体上用三位数字来标明其阻值。它的第一位和第二位为有效数字，第三位表示在有效数字后面所加“0”的个数这一位不会出现字母。 例如：“472表示“4700”；“151”表示“1500”。 如果是小数则用“R”表示“小数点”并占用一位有效数字，其余两位是有效数字。 例如：“2R4表示“24”；“R15”表示“015”。,12,电阻的单位,导体

6、的电阻通常用字母R表示，电阻的单位是欧姆（ohm），简称欧，符号是，1=1V/A。 单位：，K， M，G，T 1T=1000G；1G=1000M；1M=1000K；1K=1000（一千进率）,13,电阻的规格,标称阻值：电阻器的阻值。 允许误差：即电阻器的精度。0.5%-0.05、1%-0.1(或00)、2%-0.2(或0)、5%-级、10%-级、20%-级 额定功率：在正常的大气压力90-106.6KPa 及环境温度为-55+70的条件下，电阻器长期工作所允许耗散的最大功率。线绕电阻器额定功率系列为(W)：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、4、8、10、16、25、40、50、75、

7、100、150、250、500非线绕电阻器额定功率系列为(W)：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、5、10、25、50、100 额定电压：允许的最大连续工作电压。 温度系数：温度每变化1所引起的电阻值的相对变化。温度系数越小，电阻的稳定性越好。阻值随温度升高而增大的为正温度系数，反之为负温度系数。,14,计算公式,串联：R=R1+R2+R3+Rn； 并联：1/R=1/R1+1/R2+1/Rn ; 欧姆定律：I=U/R扩充知识： 串联电路电压关系：U=U1+U2+Un 串联电路电流关系：I=I1=I2=In并联电路电压关系：U=U1=U2=Un 并联电路电流关系：I=I1+I2+In,1

8、5,电阻的用途,限流作用 分压作用，分流作用 将电能转化为内能的作用（电烙铁，热得快等）,16,上拉电阻与下拉电阻,上拉就是将不确定的信号通过一个电阻嵌位在高电平！电阻同时起限流作用！下拉同理。 上拉是对器件注入电流，下拉是输出电流； 弱强只是上拉电阻的阻值不同。,17,什么时候需要上下拉电阻,1、提高电压准位：a.当TTL电路驱动COMS电路时，如果TTL电路输出的高电平低于COMS电路的最低高电平（一般为3.5V）， 这时就需要在TTL的输出端接上拉电阻，以提高输出高电平的值。b.、OC(集电极开路TTL) 或OD(漏极开路COMS)门路输出必须加上拉电阻，才能使用 ，以提高输出的高电平值

9、。 2、加大输出引脚的驱动能力。 3、N/A pin防静电、防干扰：在COMS芯片上，为了防止静电造成损坏，不用的管脚不能悬空，一般接上拉电阻产生降低输入阻抗，提供泄荷通路。同时管脚悬空就比较容易接受外界的电磁干扰。 4、电阻匹配，抑制反射波干扰：长线传输中电阻不匹配容易引起反射波干扰，加上下拉电阻是电阻匹配，有效的抑制反射波干扰。 5、预设空间状态/缺省电位：在一些 CMOS 输入端接上或下拉电阻是为了预设缺省电位。当你不用这些引脚的时候, 这些输入端下拉接 0 或上拉接 1。在I2C总线等总线上，空闲时的状态是由上下拉电阻获得。 6、提高芯片输入信号的噪声容限：输入端如果是高阻状态，或者高

10、阻抗输入端处于悬空状态，此时需要加上拉或下拉，以免收到随机电平而影响电路工作。同样如果输出端处于被动状态，需要加上拉或下拉，如输出端仅仅是一个三极管的集电极。从而提高芯片输入信号的噪声容限增强抗干扰能力。,18,上下拉电阻阻值的选择原则,1、从节约功耗及芯片的灌电流能力考虑应当足够大；电阻大，电流小。2、从确保足够的驱动电流考虑应当足够小；电阻小，电流大。3、对于高速电路，过大的上拉电阻可能边沿变平缓。综合考虑以上三点,通常在1k到10k之间选取。,19,二极管,二极管又称晶体二极管,简称二极管。它是一种具有单向导通电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外

11、加电压的方向，具备单向电流的转导性。,20,半导体三极管,半导体三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP（或NPN）结构。 极性：基极b、发射极e和集电极c 构成材料：硅管、锗管 结构：NPN 、PNP 使用频率：低频管、高频管 功率：小功率管、中功率管、大功率管,21,三极管工作原理,NPN 导通条件：发射结加正向电压，集电结加反向电压。 发射结加正向电压：基极和发射极之间所加电压Ube，按箭头的指向加PN结的电压，硅管加0.7v；锗管加0.2v。 集电结加反向电压：集电结的PN结上加反压。 基极电流的100倍大于发射极。 NPN三极管的导通电压关系UcUbUe,22,三极管工作原理,PNP 导通条件：发射结加正向电压，集电结加反向电压。 发射结加正向电压：基极和发射极之间所加电压Ube，按箭头的指向加PN结的电压，硅管加0.7v；锗管加0.2v。 集电结加反向电压：集电结的PN结上加反压。 基极电流的100倍大于发射极。 PNP三极管的导通电压关系UeUbUc,23,三极管的输出特性,截止状态、导通（放大）状态、饱和状态。,24,三极管的作用,1、信号放大 2、开关控制 3、电平转换,25,Thank you ! Bey Bey,