HB 5834-1983 航空用ttl集成电路筛选技术条件.pdf
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1、国空工HB5834-83 空用TTL1983-08-()3发布1984-01-0 中华人民共空工业部中部标准HB5834-83 空用TTL本标准适用于航主用TTL集成电路的J靠性筛选试验囚TTL集成电路可靠性那选试验是预测、鉴别TTL集成电路可靠性水平,别除早期失效器11.提高整机百阜性的有效万j去.供筛选用的TTL集成电路小得低于SJ331-72半导体集成电路总技术条件中的二类技术要求.特殊;需安者I不低于本标准的条件Ff另行增加筛选项目,1 筛选肉害与流程1. 1 高温贮存。1 . 2 低温贮存,1. 3 温度循环。1. 4 检树。1.5 输八.输出击穿特性测试.1. 6 电流峰测试.1
2、. 7 高温电功率者化.1.8 低温电参数测试.1. 9 高温电参数测试.1 . 1 0 常温也参数测试-2 筛选件2 . 1 高温贮存蝇度,150土旷C时间:连续96小忖.2.2 低温贮存温度:一55士3C时I叫z连续48小时2.3 温度循环温度循环要求如表i: t击顺序进行五次循环,中间转换时间小子l分坤,产品转换后,温箱的温度必须在15分钟内达IJ规定值.1983-08-03发布1984-01-01实施HB5834-43 表1序号温度恒温时间l 一55土3C q 150士5C 30分钟30分钟2.4 检漏2.4. 1 先用氮质谱检漏仪选行细检漏aVO.4cm , 要求漏气选举小于戎等于1
3、0-8大气压立方厘来/秒.埠,V在示器件封量脏的内部体职.单Ii!,立方L量来.2.4. 2 再用氟碳化合物力oHi il,进行粗检漏.检漏方法见电子工业部标准SJ1367-78,先抽真空室l毫米水银位,保持30分钟,充低沸点氟拙,加5个大气压,保持2小时。加热高沸点氟油至125土5C,判刑标准z有局部稳之气泡流激烈农射者为漏气.2.5 输入.输出击穿特性测试用图示仪扫描输入、输出特性,对所由输入,输出明l测试反ltd击穿电压,特性曲线应是硬击穿,参数规定z击穿电lli大于式等于6.5伏。漏电流小于或等于5橄安。对布特殊要求的电路可以另寇,但不得低于本标准。测试方j去(原理)见附录1.1节.2
4、.6 电流峰测试F目附示1立观察VccIcc 11旨线,在2.76.7伏范|到内不得出现电流峰.测试方法(原理)见pHiil:1.21J,2.7 高温电功率老化电i原电压,VCC=6V(即额定电压的1.2倍)负载E锁定值。输入信号频率为lMHZ(高速电路频率取3MHZ)占空比zi z i的方波幅度,0.33.5伏温度,125士5C时间,96168小时测试方法(原理)儿附录1.3节2.8 低温电参数测试把器件放在温度为-55:t3C的低温箱内,恒温30分钟后送行电参数测试.参数值应满足整机i圭计要求。如低温测试条件不具备,国IJriJ用IilM的方讼进行模拟低温测试(申规模电路除外2 b憾583
5、4-N测试方法为z把被测电路的电源电压Vcc从5伏降为3.2-3.4伏,电路加额定负载,输入频率为JMHZ.幅度为2.7-3.4伏的方被信号,要求电路的输出为方枝,其幅度为-门电路大子1.7伏,触发器大于1.5伏为合格,低于该幅度或三角波者为不合格.测试方法(原理)J1.附录1.4节.2.9 高温电参数测试把器件放在温度为85土3C的高温箱内,恒温30分钟后进行电参数测试.参数值应满足整机设计要求.2.10 常温电参数测试参数测试前应进行外观检查,不应奋明显的外形损伤与缺陷.然后进行常温电参数测试,参数应符合电子工业部产品规定值与满足整机设计要求.测试方法(原理)见附录1.5节.3 H9UU唱
6、$附.(.寿)测试方法(原理)1 . 1 输入、输出击穿特性测试见图1 / 体l i憔测C 1 管。|电路回B。示E 仪圈I1.2 电流峰测试测试方法与通导电源电扰的测试相同.测试原理图见图2.图3 晶体C 管被测回。B示电路且E( 因2梅合/y 格/合J不U.叭hrfAF AJ B 、Vcr: 1 2 3 4 5 囱36 4 HBS8iH3 电流峰特性曲线图中虚线曲线其A点值大于通导电源电流Icct.称为111现电流峙。1 .3 高温功率老化试验方旗和线路1 .3. 1 试验电路分串联形式和另联形式(触发器电路币联形式不推荐)1 . 3 . 2 试验用的信号频率中、低速电路可采用1OOKfz
7、-2MHz.高i退电路可采用3-4MHz,若老化电路以串联形式进行,考虑到批量多时从第一只电路到最后一只电路.1-1延迟而使脉宽变得较窄,因此试验信号频率立取得低些为好.1 .3.3 老化时电路应在无寄生振荡的情况下进行.1. 3.4 失效判据g以有功能为合格p1 .3 .5 门电路串联形式试验线路见图4一一一一RL RL 信号源CL CL 阁4Vcc=6V CL=几拾Pf到几百Pf.功率门相应增加。RL=Vcc/NoxIIL 式中No为扇出系数IIL为低也平输入电流1. 3. 6 并联形式试验线路1. 3.6.1 门电路祺验线路见罔5RL CL 倩号源RL CL 图5V RL 丰CLVcc
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