GB T 15177-1994 微波检波、混频二极管空白详细规范.pdf

《GB T 15177-1994 微波检波、混频二极管空白详细规范.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《GB T 15177-1994 微波检波、混频二极管空白详细规范.pdf（10页珍藏版）》请在麦多课文档分享上搜索。

1、微中华人民共和标准波检波、一空白详细规范Blank detaU specification for microwave detectors and mixer diodes GB/T 15177 94 本空白详细规范规定了制定微波检波、棍频二极管详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。本空白详细规范是与GB4589. 1 89(半导体器件分立器件和集成电路总规范和GB12560 90 半导体器件分立器件分规范有关的一系列空白规范中的一个。要求资料下列所要求的各项内容，应列入规定的空栏中。详细规范的识别(1)授权发布详细规范的标准化机构名称。(2) IECQ详细规范

2、号。(3)总规范号和版本号。(4)详细规范号、发布日期和国家体系要求的任何更多资料。器件的识别(5)器件类型的简略说明。(6)典型结构和应用资料。如果设计一种器件满足几种应用。则应在详细规范中明确指出。这些应用的特性、极限值和检验要求均应予以满足。国(7)外形图和(或)引用有关的外形标准。(8)质量评定的类别。(9)能在器件型号之间比较的要特性的1994-08-20 。1995-04-01实施GB/T 15177 94 授权发布详细规范的标准化机构名称(1) I lECQ详细规范号、版本号和(或)日期(2) 评定器件质量的依据:(3) I详细规范号GB 4589. 1 89 (半导体器件分立器

3、件和集成电路总规范GB 12560 90 (半导体器件分立器件分规范、，A1L ( 详细规范:有关器件的型号订货资料:见本规范第7章) 卢川( 明外形标准:GB 7581 87 (半导体分立器件外形尺寸外形图:可以转到本规范的第10章或给出详图引出端识别:图形所示电极的规定包括图示符号析志:字母和图形或色码芒见GB4589. 1的2.5条和(或)本规范的第6章(7) I 2 明) 、LV( 半导体材料:硅/碑化鲸.封装:空腔或非空腔功率:环境额定温度(T，mb)用途:7昆频、检波类型:1 连续波混频2 脉冲3 检波3 定类别( 8 ) 根据GB4589. 1的2.6条参考数据、1们叫dJS飞按

4、本详细规范鉴定合格的生产厂的有关资料，见合格产品一览表。GB/T 15177-94 整个空白详细规范中，在方括号内给出的内容仅供指导制定详细规范时使用，而不包括在详细规程中。4 个规范中zX:表示应填入详细规范的数值。(绝对最大额定值)除非另有规定，这些极限值在整个工作温度范围内适用。只重复使用带有标题的条文号。任何附加数值在适当的地方给出。但没有条文号。曲线最好在本规范的第10章给出。数值类型条文号名称符号l 2 |最小最大最小最大值值值值4. 1 工作环境温度Tamb 4.2 贮存温度Tg 4. 3 反向电压4. 3. 1 反向直流电压(适用时)VR 4.3.2 反向峰值电压(适用时)在规

5、定的脉冲条件下VRM 4.4 功耗散4.4.1 功耗散的绝对极限值必要时，附上温度P,ot 曲线(见第10章)J4.4.2 最大连续波功率(适用时)Pct 4.4.3 大脉冲功率(适用时)PPt 5 电特性检验要求见本规范的第8章。在本规范和检验节中标明适用时的那些特性，或省略，或如有规定则应进行测试。只重复使用带有标题的条文号。任何附加特性在适当的地方给出，但没有条文号。3 最小最大值ti 当在同一详细规范中包括几种规格的器件时，有关的数值应以连续的方式给出，以避免相同值的重复。曲线最好在本规范的第10章给出。GB/T 15177 94 数值特性和条件类型!试验条文号|除非另有规定，|符号l

6、1 2 3 |分组TamL=25C t最小最大最小t吉t宙l值1倍|值)H. lpt l 5. 1 I在正向电流IF!下(直流或脉冲，按规定)的正IV F! I 向电压5. 2 I在小正向电流IF2下的正向电压(适用时)5. 3 I规定反向电压下的最大反向电流5. 4 I规定电压下和高温下的最大反向电流VF2 IR1 IR2 I x I I x I 5. 5 I规定驱动和偏置下的中频阻抗I Zil I x I x I x I x 5. 6 I电压驻波比IVSWRI I x I I x 在规定的驱动和偏置条件下以及规定的测试夹具5. 7 I规定偏置条件下的视频阻抗Zvl 5. 8 I总噪声系数I

7、 F 在给定的整流电流和带镜像匹配的眼踪放大器下或5. 9 I规定条件下的变频损耗和I Lc 5. 10 I输出噪声比I N , 在规定的整流电流和规定的跟踪放大器下5. 11 I优值(适用时)5. 12 I正切灵敏度在规定的偏置和视频带宽条件下5. 13 I电流灵敏度在规定的射频输入功率或整流电流下5. 14 I电压灵敏度(适用时)在规定的射频输入功率或整流电流下5. 15 I总电容(适用时)5. 16 I串联电阻(适用时)5. 17 I连续波烧毁冲烧毁能量(适用时)注:1)适用时。6 标志Q Tss 卢ISv I Ctot I r , ECWM I EPM(,ep) I x I 1 x 1

8、 I x I I x I I x I I x I I x I A2b x I A2b x I A2b x I C2b A3 I A3 x I x I A2b A2b A2b A2b A2b A2b A2b A211 x 1 A3 I x I A3 1 x I C2e 除了前面(7)栏和(或)GB4589.1的第2.5条所给出的外，任何其他特殊资料应在这里规定。GB/T 1 51 77 94 7 8 除非另有规定，订购一种具体的器件至少需要以下资料:准确的型号当有关时，带版本号和或)日期的IECQ详细规范号。质量评定类别(如果要求，按GB12560的3.6条的筛选顺序)。其他细节。件和在下表中，

9、给出试验条件和，其中所用数值和确切的试验条件，应按照给定的型号的要求和按GB6570(微波二极管测试方法及GB4937(半导体分立器件机械和气候试验方法的有关规定。当在同一详细规范中包括几种规格的器件时，有关条件和(或)数值应以连续的方式给出.真中尽可能避免相同条件和(或)数值的重复。除非另有规定，在本节中引用的条文号对应于GB4589. 1的条文号。抽样要求，按照适用的质量评定类别，参照或重述GB12560的3.7条的数值。对于A组，在详细规范中选择AQL或LTPD方案。表1A组全部试验都是非破坏性的(3.6.的。条牛检验要求极限值检验或符号引用标准除非另有规定，Tamb=25CC l 21

10、3 (见GB4589.1的第4章)小值|最大值A1 分组外部目检114.2. 1. 1 A2a 分组不工极性颠倒VF10VFlm, 或IR100IR1m. 除非另有规定A2b 分组反向电流IR1 GB 6570 3.2 屈一队一一冲一脉一一脉一或一一或流一一流一电一一电一流-值流一直献二晴胧-M按二副三=-规R-12一按vb-b一L .L-. _ 一一一一一一-一正向电压VF! GB 6570 3.3 一一一一一一一一一一一一一一一一一正向电压(适用时)总噪声VF2 I GB 6570 3.3 F一一|EAi7fzf一一一一 变频损耗|L , I GB 6570 4.7 I 按规定1 x 1

11、1 x 和出噪声比N, GB 6570 4.6 按规定止I X L 1 X一lJ_ 一-一一Z叫GB 6570 7.9 按i 一二I X -咽-唱_-&.-_- GB/T 15177 94 续表1条除非另有件Tf , 检验要求极限检验或符号引用标准T.mb= 25 C 1 2 3 (见GB4589. 1的第4章)I最小值l最大大小值|最大但正切灵吼叫I GB 6570 7.3 I 按规定(加T目 和电流灵敏度I GB 6570 7.5 按规定 或电压灵Sv GB 6570 7.4 按规定(不置)J (适用时)一一一一一 - - - _- 一(适用时)Q IGB6570 7.6 I 按规定I X

12、 A3 分组电压驻波比VSWR GB 6570 7.2 按规定-L一一x1一_，_xJ一一上1)一一一一一一一一一一一一一中频阻抗Zif I GB 6570 4. 3 I 按定I X I X I X I X (适用时)总电容寸c 一一一一一-.-V=O GB 6570 3.5 I X I I X I X 少用时)lf=规定一串联电阻I GB 6570 6.9 I 按规定I X I I X (适用时)r. 儿、注:1)适用时。表2B组一一逐批(对I类的要求，见GB4589. 1的2.6条)只有标明(D)的试验是破坏性的(3.6.6)0LSL A组规范的下限值USL A组规范的上限值条仲Ta咱t检

13、验要求极限值除非另有规定，检验或符号引用标准T.mb=25C l 2 3 (见GB4589.1的第4章)I最d小值|最大大值Bl 分组尺寸B3 分组引出端引线弯(D) (适用时)B4 分组可焊性(0) (适用时)4. 2. 2 见本规7B第1章GB 4937 2. 1. 2 按规定无损坏GB 4937 2.2. 1 按规定，优先采用焊槽法I润湿良好GB/T 1 51 77 94 续表2条件技-t良Emf-耍一-同民-F 验-t-E 扩节一扫mw非另有规定，Tamb=25 C 符号引用标准B5分化(见GB4589.1的第4章)I最南京2 3 小值|最大值GB 4937 3.1 按规定之以GB 2

14、423. 4 I 按规定(0)(对非空腔件)最后试2反向电流lRl 按A2b分组I USL I I USL I I USI, 正向电压或密封(对空腔器件)VF1 按A2b分组USL TSL TSL GB 4937 3.7 按规定1B8 分组电耐久性最后测试反向电流正向电压GB 4938 168h工作寿命或高温反IR1 按A2b分组按A2b分组2USL 2USL 2FSI, Vn 1. 1 USL 1. 1 1. 1 USL USL 总噪声系F 按A2b分组1. 2 1. 2 USL I I USL 或L , 按A2b分组1. 2 1. 2 USL I I USL 和出噪声N , 按A2b分组1

15、. 2 1. 2 USL I I USL 正切灵T臼按A2b分组1. 2 LSL 电流灵J! 按A2b分组1. 2 1,SI, 电(适用时)CRRL分S嘈按A2b分组1. 2 LSI, 就B3、B4、B5和B8分计数检查结果GB/T 1 51 77- 94 表3C组一一周期只有际惆(Dj的试验是破坏性的(3.6.b)。条件检要求检验或试验!符号引用标准非另有规定，Tamb=25C 极限1 I 2 I 3 大值i最小倒最大值l最小值|最大值组怕流分电LY-b向U尺一口反见本规范第1章4. 2. 2 IR2 GB 6570 3.2 VR=规定值最好取VR最Tamb=规定的高 、，C2c 分组(适用

16、时)连续波烧ECWM GB 6570 4.8 按规定I X I I X I X 重复脉EPM(rep) 按规定I X I 烧毁最后测试g反向电流|IR1 按A2b分组I USL I I USL I I USL 正向电压|VF1 按A2b分组I USL I I USL I I USL C3 分组J)引出拉力(0)或|GB 4397 2. 1. 1 按规定无损坏弯力矩(0)1|本规范附录A1 按规定(对金瓷同轴封G/T 15177 94 件检验要求极限值检符号引用标准除非另有规定，T.mb=25C 1 2 3 见GB4589.1的第4章大值C7 分(对非空件)稳湿热(D)交变湿(D) 最后测试z反

17、向电流! IR1 正向电压l V F! GB 4937 3.5 GB 2423.4 按规定按规定按A2b分组按A2b分组况I江wtLU 且l江却LU盯1江wtL川C8分电耐久性最后测试z同B8分组GB 4938 工作寿命或高温反偏，至少lOOOh 同B8分组C9分高混贮(D) 最后测试:罔B8分组GB 4937 3.2 在最高贮存温度下至少lOOOh 同B8分组CRRL分就C3，C5，C6、C8和C9分计数检查结果。提供C8分组试验前后的计结果9 D组检当要求时，本试验应在详细规范中规定(只供鉴定批准用)。10 附加资料(不作检验用)只要规范和器件使用需要，就应给出附加资料，例如:和极限有关的

18、温度降额曲线;试电路或补充方法的完整说明;详细的外形图。GB/T 15177一-94附录AA1 目的矩试验方法(补充件)为了资封装同轴型器件的抗弯曲能力。A2 设备弯力短定器件的适当夹具和规定的重物。A3 试验方法将器件的一端固定在支持器上，在另支持器在10s时间内匀速地旋转三周。A4 ，放大3-J10倍进行目视检查。如果件应判作失效。中应给出所加弯力矩的数值。加说明:本标准由中华人民共和国电子工业部提出。与轴线垂直方向上无冲击地悬挂规定的重物。加力矩后资管之间出现断裂、松动和相对移动等任何迹象，本标准由全国半导体器件标准化技术委员会归口。本标准由电子工业部标准化研究所负责起草。本标准主要起草人金贵永、沈继声、吴撞。本标准实施之日起，原中华人民共和国电子工业部部标准SJ2607 85(微搜检波混频二极管空白详细规范废止。