GB T 13150-2005 半导体器件 分立器件 电流大于 100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范.pdf

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1、ICS 31.080.20 K 46 运B中华人民共和国国家标准G/T 13150-2005 代替GB/T13150-1991 半导体器件分立器件电流大于100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范Semiconductor devices-Discret旦devices-lankdetail specification for bidirectional triode thyristorsC triacs) ,ambient and case-rated, for currents greater than 100A (lEC 60747-6-2/QC 750111:1991, NE

2、Q) 2005-03-23发布中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会2005-10-01实施发布G/T 13150-2005 前言本标准是晶闸管空白详细规范系列国家标准之一，这一系列国家标准现包括:GBjT 6352半导体器件分立器件第6部分:闸流晶体管第一篇100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范GBjT 6590半导体器件分立器件第6部分:闸流晶体管第二篇100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范GBjT 13150 半导体器件分立器件电流大于100A、环境和管壳额定的双向兰极晶闸管空白详细规范-GBjT 13151 半导体器件分

3、立器件第6部分:晶闸管第三篇:电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范GBjT 13153 5A以上环境或管壳额定可关断晶闸管空白详细规范本标准参照IEC60747-6-2: 199110USL;或IoRM100USL另有规定除外1见注2JT-101 hM =V2IT(RMslmox T-I03 VORM=额定值1 T-109 Vo=12V另有规定除外 T-I09 规定门极电路条件 见注2JT-I03 VORM=额定值 T= Tcasemax/Tambma 见注2JT-1l8 hM =V2I T RMS)mox T= Tcasemax/Tambmax T-1l0 VOR

4、M = 额定值J，T=T， T且mbmaxJ门极电路条件-四一注2:对A2、A3、A4分组，应规定门极和主端子2的极性。如特性灵敏于门极触发方式，则应规定适用的一种或几种触发方式。5 GB/T 13150-2005 B组逐批(对于I类，按总规范的2.6)LSL=规范下限值ij按A组USL=规范上限值!标有(D)的试验是破坏性试验(3.6.6)B1分组尺寸B3分组检验或试验端子强度适用时弯曲(0)和(或)转矩(0)B4分组可焊性适用时B5分组快速温度变化a)空腔器件继电测试密封，细检漏和密封.粗检漏b)非空腔和环氧密封腔器件继之.外部目检稳态湿热电测试B8分组电耐久性(168h) 最后测试:通态

5、峰值电压断态重复峰值电流CRRL分组6 V VTM I ORMI B3、B4、B5和B8的属性资料温度=最大额定值; 工作寿命时:IT( RMS) =(20%或50% ) h ( RMSln, 按A2b按A2b检验要求极限最小值|最大值见本标准第1章好1. 1 USL 2 USL GB/T 13150-2005 C组周期LSL=规范下限值ij按A组USL=规范上限值!标有(D)的试验是破坏性试验。.6. 6) 检验或试验符号条件| 检验要求极限=25C，另有规定除外4章)最小值|最大值Cl分组尺寸见本标准第1章C2a分组维持电流 擎住电流 电值峰流证复电组验重涌分值不浪b定态态G额断或通T工

6、通态电流临界上升率 C2d分组热阻如适用C4分组耐焊接热CDl 最后测试:通态峰值电压断态重复峰值电流/ n vl DRMl 按A2bUSL USL 7 GB/T 13150-2005 续表引用标准条件检验或试验符号GB/T 12560一1999T.mb / T = 25.C ，另有规定除外(见总规范第4章)C7分组稳态湿热a)空腔器件GB/T 4937-1995 严酷度:II类和皿类56d皿.5AI类21db)非空腔和环氧密封空GB/T 4937-1995 严酷度1腔器件ill.5B 偏置:详细规范应规定持续时间:II类和皿类1000h I类500h 最后测试z通态峰值电压V TM 按A2b

7、断态重复峰值电流I DRM1 按A2bC8分组电耐久性(最少1000h) GB/T 15291-1994 高温交流阻断或工作寿命1V VDWM=额定值、50Hz或60Hz , 温度=最大额定值; 工作寿命时:h肌51=(20%或50% )lT(RMS1m, 最后测试:通态峰值电压V TM 按A2b断态重复峰值电流I DRM1 按A2bC9分组高温贮存(D)GB/T 4937-1995 在T呻n时，最少1000h ill.2 最后测试:通态峰值电压V TM 按A2b断态重复峰值电流I DRM1 按A2bCRRL分组C4，C7、C8和C9的属性资料注3:本试验按在A2b分组规定IcT/VGT的门极

8、对主端子2的一种或几种极性进行。9 D组一一鉴定批准试验8 当要求时，本试验应在详细规范中规定(仅对鉴定用)0 IVD=各个器件的初始值ii按A组USL=规范上限值! 检验要求极限最小值最大值1. 1USL 2USL 1.1U钮，2USL 1. 1USL 2USL GB/T 13150-2005 条件检验要求极限检验或试验符号引用标准T，mb/T时=25C，另有规定除外(见总规范第4章)最小值最大值D1分组电耐久性仅对环境额定器GB/T 15291 1994 工作寿命:按C8件(见注的V 最后测试应规定同C8同C8D2分组热循环负载试验仅对管壳GB/T 15291一1994循环次数:应规定1额

9、定器件N.4 最后测试z通态峰值电压V TM 按A2b断态重复峰值电流I DRM1 按A2b2USL D3分组恒定加速度仅对空腔器GB/T 4937-1995 按规定件II . 5 最后测试:通态峰值电压V TM 按A2b1. 1 USL 断态重复峰值电流I DRM1 按A2b2USL 注4:如此试验在C8分组己完成，则在此不再要求。10 附加资料(不作检验用)只要器件规范和应用需要，就应给出附加资料，例如:一有关极限值的温度降额曲线;-一测量电路或附加方法的完整说明;-一详细的外形图。9 mCON-35回阁。华人民共和国家标准半导体器件分立器件电流大于100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范GB/T 13150-2005 国由t* 中国标准出版社出版发行北京复兴门外三里河北街16号邮政编码:100045网址电话:6852394668517548 中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷各地新华书店经销印张1字数21千字2005年6月第一次印刷开本880X1230 1/16 2005年6月第一版9峰定价12.00元如有印装差错由本社发行中心调换版权专有侵权必究举报电话:(010)68533533书号:155066 1-22493 GB/T 13150-2005