GB T 12750-2006 半导体器件 集成电路 第11部分 半导体集成电路分规范(不包括混合电路).pdf

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1、ICS 31. 200 L 56 中华人民:H工-飞、本日国国家标准GB/T 12750-2006jIEC 60748-11: 1990 代替GB/T12750-1991 半导体器件集成电路第11部分:半导体集成电路分规范(不包括混合电路)Semiconductor devices-Integrated circuits一Part 11: Sectional specification for semiconductor integrated crcuits excluding hybrid circuits (IEC 60748-11:1990 ,IDT) 2006-08圄23发布中华人民共

2、和国国家质量监督检验检瘟总局中国国家标准化管理委员会2007-02-01实施发布G/T 12750-2006/IEC 60748-11: 1990 .u白咀目。画半导体器件集成电路分为如下几个部分:一-GB/T16464-1996半导体器件集成电路第1部分:总则(idtIEC 60748-1: 1984) 一-GB/T17574一1998半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路CidtIEC 60748-2: 1985) 一-GB/T17940-2000半导体器件集成电路第3部分:模拟集成电路(idt IEC 60748-3: 1986) 一一IEC60748-4半导体器件集成电路第4部分:接

3、口集成电路一一IEC60748号半导体器件集成电路第5部分:半定制集成电路一一-IEC60748-11半导体器件集成电路第11部分:半导体集成电路分规程(不包括混合电路)本标准为第11部分，等同采用IEC60748-11:1990(半导体器件集成电路第11部分:半导体集成电路分规范(不包括棍合电路) (英文版)。本标准代替GB/T12750-1991(半导体集成电路分规范(不包括泪合电路门，本标准除等同IEC60748-11外，还将1995年和1999年的IEC两次修改单内容纳入本标准。本标准与GB/T12750-1991相比，存在如下技术性差异:一一为保持本标准中捞及到的IEC标准体系的统一

4、性和完整性，引用文件一律引用IEC原文。一一删除了GB/T12750-1991中的附录A加速试验程序。一-增加了规范性附录起草空白详细规范的指南和格式。一一表7中顺序按照IEC原文改为A、B和Do一-12.5.3.1条中增加相关系数的一个公式。一一表9中改变了采用LTPD的B、C和D组试验的抽样要求。为便于使用，本标准做了如下编辑性修改:a) 删除国际标准中的前言。b) 将IEC原文前言中的引用文件纳入本标准附录B的引用文件中。c) 按照GB/T1. 1的要求编制国家标准，将IEC原文中涉及到的表号和页码重新加以编排。d) 原文C组试验的铃没有标注原出处，现明确在C5分组。的为了达到表9中攒及

5、到的分组与B组分组的一致性，去掉不存在的B5a分组。本标准的附录A为规范性附录，附录B为资料性附录。本标准由中华人民共和国信息产业部提出。本标准由全国半导体器件标准化技术委员会归口。本标准起草单位:中国电子技术标准化研究所(CESl)。本标准主要起草人:王琪。I GB/T 12750-2006/IEC 60748-11: 1990 半导体器件集成电路第门部分:半导体集成电路分规范(不包括混合电路)1 范围本分规范适用于已封装2 总则本规范应与有规定了质量评所有用确能力批准程序尚如果需要一致性检本规范的IEC 607 2.2 温度推IEC 607 2.3 电压推IEC 607 2.4 与制造过2

6、. 4. 1 生产线生产线定义为1) 扩散;2) 芯片制备;3) 装配;后的最终加工和最终电5) 筛选适用时)。注:这些阶段不含质量评定程序。1) 扩散该阶段是从制造的初始阶段到划片前最后一道工序这一制造工艺操作。2) 芯片制备可以补充应用质量有效。该阶段是将晶园划分为芯片的制造工艺操作。就本规范而言，在制造厂方便时，可将这一阶段划人扩散阶段或者装配阶段。3) 装配该阶段是芯片粘接、引线键合和封装这一制造工艺操作。4) 最终加工和最终电测试该阶段是批放行前的最后一道制造工艺操作，包括:1 GB/T 12750-2006/IEC 60748-11: 1990 一一-电镀在内的引出端后处理(如果有

7、); 一一除覆;一一标志;一一-最终电测试。5) 筛选(适用时)该阶段可作为装配和/或最终加工的组成部分。其定义见下面第8章。2.4.2 生产批一个生产批通常由在一周内在相同生产线上通过相同工艺制造的相同型号的器件组成囚2.4.3 制造过程的更改1) 重要更改的定义对按照己批准的规范供货的产品而言，能影响产品质量或性能，或会使产品从器件的一个结构相似组转到另一个(新的或已存在的)组(见第6章)的制造工艺或技术的任何变动均视为重要更改。检查长有责任确定变动是否属于重要更改。下面3)中给出了重要更改的一些示例。2) 重要更改的程序必须将任何重要更改的通知书及证明保持质量的试验数据递交国家监督检查机

8、构CNSDou 重要更改的示例a) 芯片烧接一一从合金粘接变为环氧树脂粘接。改换设备但未改变工艺，或者用预制金片代替镀金表面，均不能视为重要更改。b) 晶片钝化一一从氮化硅变为二氧化硅;一一钝化层的顺序改变。钝化层的淀积方法改变不能视为重要更改。c) 封装材料一一-从陶瓷变为塑料;一一从塑料A变为塑料Bod) 金属化一一金属化层从金变为铝。e) 芯片尺寸和/或芯片版图设计一保护层和/或阻挡层的采用。f) 键合一一从热压变为超声方法;一一从金键合丝变为铝丝。g) 质量一致性检验期间的功能验证一一-试验程序中任何试验步骤的减少。3 转包当巳批准的制造厂涉及IECQC 001002中11.1. 2有

9、关转包的条款时，制造厂应保证满足下述条件:2 一一转包的制造工艺可以是将筛选并入其内的扩散工艺或者装配工艺。装配后的筛选也可以单独转包。而最终加工仅能与整个装配工艺除可以单础转旬的电镀外(见上述2.4.1)J一起转包。GB/T 12750-2006/IEC 60748-11: 199Q NSI应确知认证电子元器件质量评定体系(IECQ)内器件的检查长z 已获取IECQ地区外任一制造过程的全部评定和检验文件，包括每个受检样本的检验记录; 定期核实按商定条件实施质量评定和检验的情况。当部分工艺从一个制造场所转移到IECQ地区内的制造厂时，应向认证器件的检查长提供转移程序井取得他的同意。NSI应得到

10、通知并收到有关文件。检查要求和制造程序的任何更改应向认证器件的检查长报告，而重要更改则应由检查长向NSI报告(见上述2.4.3)。批准的制造厂应按详细规范的规定对认证器件进行验收试验，在IECQ地区之外的工广只要得到NSI的监督，也可进行这些验收试验。此外，验收试验也可以转包给IECQ地区内已批准的试验室。4 制造的初始阶段本分规范中该阶段的定义如下。4. 1 双极型器件改变纯P型或纯N型单晶半导体材料的第一道工序。4.2 单极型器件(例如MOS、场效应器件)基片的第一次氧化或基片上的第一次淀积。5 质量评定程序5. 1 鉴定批准程序一般采用IECQC 001002的11.3. 1方法b)，其

11、抽样要求应符合本规范表8和表9的规定。然而，只要所采用的抽样要求在有关的空白详细规范里有规定，则允许采用程序规则)11.3.1方法a)。5. 1. 1 检验批检验批的定义见IECQC 001002的12.20此外，从中抽取样品用于A、B和C组检验的批应由相同生产线(见上述2.4. 1和下述6.2. 1)生产的符合下述条件的器件组成z一-A组和B组:一个检验批包括由检验批代码所表示的一个月内或连续4周内生产的器件。一-C组z提交周期检验的样品应是以连续3个月检验批代码或连续13周检验批代码所表示的3个月内制造的器件。一-D组:提交周期检验的样品应是以连续12个月检验批代码或连续52周检验批代码所

12、表示的12个月内制造的器件。5.2 能力批准程序见IEC60747-10新版本3.10(在考虑中)。6 结构相似性程序6. 1 总则6. 1. 1 目的结构相似性程序用于减少应经受试验的检验批数量。6. 1.2 原则对适用于一组器件型号的某项试验而言，如果遵循本章所述的以及适用于该项试验的结构相似性一般和特殊的判别规则(见表口，则可对组内的一个型号进行该项试验，而获得的结果可认为代表组内所有的型号。那些岁u据的确定系基于这样的原则，即对代表型号验证的一致性和可靠性有关的那些型号至少提供了同样的一致性和可靠性保证。3 ,p. 襄1结构相似姓对应试验判别规则规则判别试验壳形时夕夕和线口配。装引出端

13、数封装门类I .&.L. I . I I . .L_. I I _ .L. _._ I _ .L., I功能和内部|芯片|芯片I-H，t.I.b I芯片制I ., I工作电|工作温li | | i扩散线i|密度il i 电特性i功耗连线|粘接j面积比l1造工艺11源电压|度范围l! | i |(6.2.l)| i6.2.14)i i i判据(6.2.18)(6.2.10)1(6.2. 11) 1(6.2.12)1 .-.-. 1(6.2.13)1- 1 6.2.15)1(6.2.16)1 :-_ 1 (6.2.17) qd -qru -nhu 、。，-oh 封装|封装i外引线|最终材料|方法|

14、材料i加工标志方法尺寸主要的 浸洗液 盐雾 可焊性 引出端强度X 密封 湿热(空封器件 冲击一振动一稳 态加速度i 耐焊接热 温度快速变化 湿热非空封器件)1 贮存 电耐久性 相关性验证(适用时)25C和最高、最低温度下的附加动态特性25C和最高、最低温度下的附加功能和静态特性特殊的电试验 注z表中的表示该项判别规则对于所对应的试验来说是强制性的。因时 与molNoom目nog盆工. 4 也o结掏相似性程序不能用于A组检验中的电气试验和目检。6. 1. 3 应用条件1) 依次规定的试验和测量本章中描述的结构相似性程序适用于单项试验。当依次规定几项试验时，应根据下述原则:GB/T 12750-2

15、006/IEC 60748-11 : 1990 对分组内一系列试验的结构相似性编组而言，其判别规则取决于全部试验中最本质的试验。注:该原则用于自/C5分组时，最本质的试验即为温度快速变化飞2) 应用于质量评定程序结构相似性程序专门应用于质量评定程序，详细应用条件在第7章给出。6. 1. 4 结构相似性一般规则1) 可选一个型号作为一组型该周期内生产的型号;2) 对组内所有有关型的一组型号满足了试验提供最的如果一个器5) 如果器件按相同筛6. 2. 1一一-6.2.3一一封装6. 2. 6一一外引6.2. 7一一-最终加满足上述各条全部6. 2. 1 生产线器件应在相同的:一一扩散线;一一和/或

16、装配线;(见2.4.1)上制造的。6.2.2 外壳外形和尺寸端强度试似性有下详细规范里规定的外壳外形和尺寸应相同。6.2.3 封装族(见IEC60191-4规定的标准形式号在各周期可以不向，仅取决于试验应选用能为该项只能按其经受的从封装族的角度来考虑结构相似性，电路应安装于符合下述判别规则的外壳内:一一相同工艺的封装门类;一一相同的引出端形式和标称截面;一一相同的单一形式、相同的标称尺寸和相同的引出端数。5 GB/T 12750-2006/IEC 60748-11: 1990 6.2.4 封装材料封装材料应相同。6.2.5 封装方法用于空封的外壳密封方法或用于非空封的材料和方法应相同。6.2.

17、6 外引钱材料用子外引线及涂层的材料应相同(另见6.2.7)。6.2.7 最终加工不包括标志方法(另见6.2. 8)和最终电测试(见2.4. 1的4)，对一个完整器件进行的最终加工过程应相同口6.2.8 标志方法标志的方法和外壳上采用的涂层应相同。6.2.9 引出端数只要组内器件的最多和最少引出端数之差符合下述要求，就可柑成单独一组。一一引出端数不多于24的外壳，差不大于4;-一一引出端数多于24的外壳，差不大于8。6. 2. 10 内部连线和内引线键合的材料内部连线的材料和标称截面应相同。形成内引线键合的材料和方法也应相同。6. 2. 11 芯片桔接芯片粘接所用的材料和方法应相同。6. 2.

18、 12 芯片面积比一组器件内最大与最小芯片面积比应不超过206. 2. 13 芯片制造工艺应按相同工艺生产芯片，即:一一基本技术和基本工艺相同(如肖特基、NMOS、CMOS等); 一一-盹化类型相同;一一版图设计规则和设计数据相同;一一执行基本功能的单元相同;一一-金属化方法和材料相同;一一基片材料和性能相同。6. 2. 14 密度器件的密度为单元数与芯片面积之比，按下式给出:D一元数c一芯片面积单元的定义并不重要，只要应用结构相似性规则时，组内各型号均采用相同的定义即可。有关型号的密度与受试器件密度之比应小于206. 2. 15 工作电源电压族规范和/或详细规范规定的工作电源电压应相同。6.

19、 2. 16 工作温度范围族规范和/或详细规范规定的工作温度范围应相同。6. 2. 17 功能和电特性判擂6 该判据意味着应满足下述两个要求:1) 在一个结构相似性编组里，所有的器件型号都应规定在同一空白详细规范及同一族规范(适用时)里。2) 适用时，对代表型号及有关的型号均有效的特定功能或电特性判据，按空白详细规范和/或族规洒的要求。GB/T 12750-2006/IEC 60748斗1:19906. 2. 18 功耗有关型号与受试器件功耗之比通常应小于1.2。然而，该比值也可以提高，只要有关型号结温的升高不超过50C即可。7 组和分组各组试验应按下表(表2表的:表2分组组I类E类E类A X

20、 B X 仁Cb X Db 筛选X a 一年进行一次，但可焊性每3个月一次。b 提交该组试验的样品应预先通过A组和B组试验。包含在分组里的特性在空白详细规班里规定，并在IEC60748号标准有关部分的1II额定值和特性中己强制性地列人。表3A组z远批AQL 分组检验或试验试验条件I类H类和E类IEC 60747-10 Al 外部目检的4.2.1. 1 1. 0 0.4 A2 除另有规定外，250C下功能验证O. 15 O. 1 A2a (不适用于I类)O. 4 最高工作温度下的功能验证a按详细规范规定A2b (不适用于I类最低工作温度下的功能验证a0.4 A3 25C下的静态特性0.65 0.

21、25 A3a 最高工作温度下的静态特性因1. 5 0.4 A3b 最低工作温度下的静态特性a2.5 0.4 A4 除另有规定外，25C下的动态特性1. 5 0.65 见相关标准A4a (不适用于I类)1. 0 最高工作温度下的动态特性aA4 b (不适用于I类1. 0 最低工作温度下的动态特性aa 如果制造厂能定期证明两个极限温度下的试验结果与25C下的试验结果相关(见12.日，则制造厂可以使用T.mb=25C下的试验结果。在这种情况下，与另一个分组的试验重复时，则不需要重复该出验。7 GB/T 12750-2006/IEC 60748-11 : 1990 分组检验或试验B1 尺寸B2c I电

22、额定值验证B4 I可焊性B5 I (仅适用于空封器件)密封细检漏粗检漏非空封器件温度快速变随后:B8 I电耐久性放行批证明记录表4B组:连批I类情况见总规范IEC60747-102.6) 引用标准IEC 60747町10，4.2.2和附录B见相关标准IEC 60749 II ,2.1 J 60749田，7.3或7.4赞全氟化碳液体沸点超过50C，例如:全氟-N-乙祷祷全氟化碳液体沸点超过150C，例如:全氟-磷酸三丁脂胶为主要成分。条件适用时，按规定按规定可于Qc试验严格度60h 10次循环细规班的规定，给出计数a 空白详细规范可允许减少A3、A3a和A3b分组试验项目至一个分组的最小要求。8

23、 分组l检验或试验C1 I尺寸C2a 环境温度下的电特性C2b 最高和最低工作温度下的电特性aC2c I电额定值验证:瞬态能量额定值bC3 I引出端强度C4 C5 耐焊接热温度快速变化ba)空封器件温度快速变随后:b)非空温度随后斗主芝一一用于一一叩用于非封器件随后:电测试C8 I电耐久性C9 I高温贮存(若详细规范中规定)Cl1 I标志耐久性CRRLI放行批证明记录特将为强加速湿热代替。拎恰在详细规范中自行规定。GB/T 12750-2006/IEC 60748-11 : 1990 表5C组z周期引用标准IEC 60747-10的4.2.2和附录B见相关标准见相关标准见相关标准IECP旦旦旦

24、!;，jl，;，冗引WIEC60749 N ,2 条件按规定按规定，如极限温度下测量按规定，如静电敏感器件(见IEC60747-1) 按相应封装规定，如拉力或转矩按规定严酷度1盟.24h . 、皿类为56d，1类、A3分组c问，1000 h，条件按本规范12.3 及(适用时)12.4的规定时间和温度按分规范或详细规范规定方法1按空白详细规范的规定，给出计数检查资料a 适用时，应在本规范C2b分组定期验证相关性(见本规范A2a、A2b、A挝、A3b、A妇、A4切。b 在连续3次通过该试验后，周期可放宽为一年一次。c 空白详细规范可允许减少A3分组试验项目。9 GB/T 12750-2005/IE

25、C 50748-11 : 1990 表5D组分组检验或试验引用标准条件D8 电耐久性见相关标准按本规市12.3和(适用时)12.4的时间:4000h 规定I类:不适用H类和田类:按详细规范规定012 瞬态能量在详细规范中规定测试电压守舍在详细规施中自行规定。8 筛选当详细规范或合同规定了筛选时，应按表7对生产批中所有器件进行。筛选通常在A、B、C组检验之前进行。若在满足了逐批的A组、B组和周期的C组检验要求后进行筛选，则应重新进行可焊性、密封和A组检验(见6.1. 4 e)。空白详细规范可以规定筛选后需要增加的试验。筛选顺序按表7规定。表7筛选牛j民序步骤检验或试验引用标准条A B D 1噩内

26、部自检在考虑中 2 高温稳定时间和温度按详细规范规定 3 幅度快速变化IEC 60749，田，1.1 按详细规范规定 4 稳态加速度IEC 60749 , II , 5 在最严格的方向上，加速度大小按详细规范 规定5 . 密封IEC 60749 , III , 7.3 方法7.3或7.4随后或7.4，和IEC60068-Qc试验 2-17 Qc试验6 电测试.喃. . .-嘈，. ._. ._ -.啪._-_._-_. .-_. -.-_., .咽.-.喃喃4.6A 电测试(老炼前)见相关标准若详细规范中要求，选择参数(变量)，剔除不 合格品6B 电测试(老炼前)见相关标准若详细规市中要求，选

27、择参数(属性)，剔除不 合格品6C 电测试且相关标准按详细规m规定，剔除(终点电测试后)不合格品a7 老炼见相关标准或按详细按详细规程规定规施规定时间: 除在空白详细规范中240 h 168 h 168 h 另有规定外8 电视试(老炼后)见相关标准按6A或6B规定，剔除X X 不合格品?守除详细规范另有规定外，不适用于非空封器件。(其他试验在考虑中)。a 对于单片集成电路，不合格品超过5%，对于多片集成电路，不合格晶超过10%，则批拒收。可在详细规植中对批拒收规定更小的百分比。10 GB/T 12750-2006/IEC 60748-11: 1990 9 抽样要求表8和表9为空白详细规范提供了

28、抽样要求。表8A组试验的抽样要求LTPD凰AQL 分组I类E类皿类I类E类E类IL AQL IL AQL IL AQL A1 7 3 3 E 1. 0 E O. 4 H 0.4 A2 l O. 7 O. 7 E O. 15 E O. 1 E 0.1 A2a 3 3 E O. 4 E 0.4 A2b 3 3 E O. 4 E 0.4 A3 5 2 2 E 0.65 E 0.25 H 0.25 A3a 10 3 3 S4 1. 5 S4 0.4 S4 0.4 A3b 20 3 3 S4 2. 5 S4 O. 4 S4 0.4 A4 10 5 5 S4 1. 5 S4 0.65 84 。.65A4

29、a 7 7 84 1. 0 84 1. 0 A4b 7 7 84 1. 0 84 1. 0 a 批允许不合格品率，最大合格判定数为4。表9采用LTPD的B、C和D组试验的抽样要求LTPD 分组皿类H类和田类I类筛选等级A其他筛选等级B1 C1 15 15 15 B2a C2a 20 20 20 B2b C2b 20 20 20 B2c C2c 20 20 20 C3b 20 20 20 B4b 10 10 10 C4 10 10 10 B5 C5 10 10 10 C5a 50 50 50 C6 15 15 15 C7 15 15 15 B8 (不适用)10 10 C8 D8 10 5 5 C

30、9 15 5 15 C11 20 20 20 a 批允许不合格品率，最大合格判定数为20b 对于C3(引出端强度)和B4(可焊性)分组，LTPD适用于分配给至少4个被试器件的引线数。10 引出端识别参见IEC60747-1 , VI ，8。11 G/T 12750-2006/IEC 60748-11: 1990 门附加资料在考虑中。12 试瞌刷测量程序实施IEC详细规范的要求需要下列分条款涉及到的不同试验和测量程序。除所列之外，新的或改进的试验和测试程序将在后续IEC活动中出现。在配出版物未正式发表期间，边摆阔囔赏到中可战将符合投票程序井且宣布与出版物一致的方法引用在详细规范中。其他试验和制量

31、程序均应12. 1 电测试方法数字电路见IEC60 模拟电路见IEC接口电路见IE伊或其他相关标IEC 60749岛/俨12.3 电耐久性揣繁一般要求日具体要求应按下述。如果没试验条件和血、耐久性试验的一-168ih; b)的限详细规相关-一-1000 h,2 00 。00h应作为试验的最少时间。D组电耐久性试验m阳、这些试验除D组外，均12.4 加速试验程序加速试验程序见IEC60747-10 12.5 相关测量12. 5. 1 范围组和D组电耐久性试验的累加UI:E试验。自私均问许的最大大值。如果能证明在不同条件下得到的试验结果是相关的，则在极限幅度下规定的静态和动态特性测量可以在别的温度

32、(如室温)下进行。此方法也适用于其他情况，如对动态参数，可在不同负载网络下测量。相关的程度可用统计方法来确定和论证。通过完备的技术知识，了解对所考虑的特性有影响的参数和解释收集到的数据也可能建立起相关性。12.5.2要求下列条件满足后允许采用相关测量:一一有关的总规范、分规范、族规范或空白详细规范应明确允许采用相关削量并规定要求相关的12 GBjT 12750-2日06jIEC60748-门:1990 程度;一一相关性在鉴定批准时初次验证井要定期予以验证。12.5.3 方语提供两种方法z第I种是根据参数测量和统计计算;第E种凭经验。12.5.3.1 方法I在两种不同条件下测量各个参数，通过两组

33、读数(X;，y;)计算相关系数如下:平均值zZ=士I;Xiy uZH -y 相关测量。杰脯q鸣也阳试确业川件同能式器不可方响种料整影各资调对在种复一一这反一用种用据数量息;积解有民了棉数的初始测试极限。当NSI穹满足下述验证要求。12.5.4 相关性验证相关性验证在两种不同情况下、一一一在每一器件型号鉴定期间;-一定期(不超过一年)验证相关性。为在规定的测试条件(如详细规范规定的最低或最高温度)下测试极限值，应测量蹒足相关棚试极限的125个器件所组成的样本。如果出现一次以上拒收，则有关参数的相关性无效。对被鉴定的每种型号重复这一过程。对耐久性试验有效的结构相似性也适用于相关性验证。13 GB/

34、T 12750-2006/IEC 60748-11 : 1990 14 附录A(规范性附录)起草空白详细规范的指南和格式1 范围2 目的和用途3 TC 47/ SC 47 A的IECQ规范体系4 引用文件目录第一部分指南第二部分空白详细规范(BDS)通用结构BDS首页DS首页1 标志和订货信息2 相关应用描述3 功能描述4 极限值5 工作条件6 电特性7 程序8 机械和环境额定值，特性和数据9 附加信息10 筛选11 质量评定程序12 结构相似性程序13 试验条件和检验要求14 附加测量方法G/T 12750一2006/IEC60748-11: 1990 第一部分指南1 范围本通用空白详细规范

35、(GBDS)为编制包含在IEC质量评定体系中半导体集成电路单个空白详细规范提供了一个导则，特别是:一一编号和条款内容;一一相关文件的引用;一一总体结构。2 目的和用途本通用空白详细规范的目的是建立一个半导体集成电路空白详细规范的标准格式，从而使所有这样的空白详细规范有一个统一的结构。它的目的是通过一个许可的系统检查证明它所包含的信息是充分的也是必要的，从而简化他们编写的准备工作。在IECQ体系中，空白详细规范完善了TC47中每一类型集成电路的标准。总规范和分规范一起给出了产品质量评定体系的通用要求。GBDS对体现在空白悖细规范中的技术内容和质量检验要求提出了一个标准布局。每一特定类型的集成电路

36、空白详细规范都应包括GBDS第二部分规定的内容。每一章的标题和编号都在此部分规定。图1阐述了空白详细规范中应罗列的每一章的顺序。注:当一个条款不适用时，可在标题下指明，也可省略此条而无需对随后的条款重新编号。3 TC 47/SC 47A的IECQ规范体系对应本规范第一部分，第2章，TC47/SC 47 A IECQ规范体系如图2所示。4 引用文件1) 程序准则IEC QC 0010020 2) 总规范IEC 60747-100 3) 分规范IEC 60748-11 0 的半导体器件集成电路IEC 60747-1. IEC 60748-1. IEC 60748-20 IEC 60748-30 I

37、EC 60748-40 5) 简图用图形符号标准图形符号目录在考虑中)。IEC 60617-12 ,60617-130 的外壳外形IEC 60191亿。7) 机械和气候试验方法IEC 607490 、15 GB/T 12750-2006/IEC 60748-11: 1990 16 质量评定检验要求附加信息识别用规范信息注1:BDS首页的内注2.当在本附录第IECQSC47A 总规范$60747-10 集成电路分规范$6074日-11起草半导体集成电路空白详细规范的指南和格式zIEC 60748-11，附录A DS DS DS 1-8章个合适的变化。总则CGERCF) DS 特殊器件DS圈2GB

38、/T 12750-2006/IEC 60748-11: 1990 引言第二部分空白详细规范(BDS)通用结构半导体集成电路空白详细规范IEC电子元器件质量评定体系遵循IEC章程并在IEC授权下工作。该体系的目的是确定质量评定程序，以这种方式使一个参加国按有关规范要求放行的电子元器件无需进一步试验而为其他所有参加国同样接受。本空白详细规范是半导体器件一系列空白详细规范之一，并应与下列标准一起使用zIEC 60747-10/QC 700000:半导体吧弘咐第切黯穷;劳世器#和集成电路总规范要求的资料本页和下页方括号内的数详细规范的识到lJ授权发布详细规2J详细规范的3J总规范和分4J详细规范的器件

39、的识到5J主要功能6J典型结构如果器件有多特点。I副剧对于静电7J外形图、翻翻端气别、标志8J对应于总规范216质量评9J参考数据本规范下应纳入详细规范中J【当任一条款指愤填入本规范相应的栏中。各自性能的供指导群细现范的编写，而不17 G/T 12750-2006jIEC 60748-11 : 1990 . 国家代表机向CNAI)(和发布规范的1J IECQ详细规范的编号、版本号和/或日期。2J 团体)名称(地址)0评定电子冗器件质量的依据:3J 详细规范的国家编号。4J 总规范z若国家编号与IECQ编号相间，本栏可不填写JIEC 60747-10/QC 700000 分规范zIEC 6074

40、8-11/QC 790100 和国家编号，若有不同。详细规范，主要功能5J 有关器件的型号。订货资料:见本规范1.2. 机械说明7J 简要说明6J 外Jf!标准飞应用:C应给出标准封装资料，IEC编号(如有则需遵循)和/或功能:国家编号。典型结构:硅、单片、双极、MOS.J外形图1封装:空封或非空封.J可移入本规范第8章或在该章给出更详细的资料。派生产品的特性对照表。引出端识到飞注意:静电敏感器件。L画出寻ftl:l端排列图，包括图形符号。际J古:字母和数字，或色码。质量评定类别8J 若要求，详细规范应规定器件上标志的内容。见总规范2.5和/或本规范1.1.J 总规范2.6.J参考数据9J 能

41、区别不同型号的最重要性能数据。按本规范鉴定合格的器件，其制造厂的有关资料可在现行合格产品目录CQPL)中查到。18 GB/T 12750-2006/IEC 60748-11 : 1990 1 标志和订货信息1. 1 标志见总规范2.5.详细规范用诸如宇母、数字和/或代码等形式描述标志相关信息。当标志包含内容超出了总规泡2.5的规定，例如有制造厂内部使用信息，应当加以说明。如果所有信息已经包含在首页中的7J栏，应标识出。1.2 订货信息除另有规定外，订购一个特定器件至少包含以下内容:一一准确的型号(和标称电压值，适用时); 一一详细规范引用IECQ版本号和/或日期;一一分规范第9章定义的评定质量

42、目录和适用时分规范第8章规定的筛选程序;一一送货包装;一一其他特殊要求。2 相关应用描述目的:本章用于解释器件的应用。内容:这里给出用于整机或电路上和相关器件的信息概述。见IEC60748-1, VI ,10. 20 3 功能描述目的:本章用于规定和描述器件功能。内容:这里给出的项目从IEC60748-1 ，咽，10.3中选择。4 极限值目的:本章用于定义器件绝对最大额定值。本章不用于检验，仅适用于器件的使用。内容:这里给出的项目从IEC60748-1，咽，10.4中选择。如果极限值被检验，参考IEC60748-1，哑，包括试验方法。这些值按照IEC60748-1 ，咽，10.4.1和10.4

43、.2编写。5 工作条件目的z本章给出了工作条件，这些条件可以用作检验。内容:这里给出的适用于器件的项目从IEC60748-1 , VI , 10. 5. 1到10.5.9选择。6 电特性目的:本章用于规定器件的电特性，显示特性保证。19 GBjT 12750-2006jIEC 60748-11 : 1990 内容z质量评定需要的静态和动态或交流特性从器件基本额定值和特性中选择，参考IEC60748-1. VI. 10.2和10.3.适用时，需要的时序和电容信息根据IEC60748-1.哑，10.6.3和10.6.4给出。7 编程8 9 附加资料10 筛选11. 2 能力批准程在考虑中。12 结

44、构相似性程序见分规范第6章。13 试验条件和检验要求13. 1 总则空白详细规范用于维持详细规范中试验的统一表述。求。尽可能地参考更高层次的文件(分规范、总规植)。这避免了文本的重复，同时它的好处在于:对更高层次的文件的更改也自动适用于所有空白详细规范(这样使所有的详细空白规范遵从于分规范或总规范的修订，避免了所有空白详细规范的后续更新)。13.2 样品要求和检验批要求对于样品要求，空白详细规范参考分规范第9章和总规范3.70 空白详细规范应给出对A组在详细规范中应选择AQL和LTPD的指导。对检验批的格式，空白详细规范应参考分规范5.1. 1和IECQC 001002 12. 2。20 GB

45、/T 12750-2006/IEC 60748-11: 1990 如果适用于结构相似性器件的程序被应用，空白详细规范应参考分规范第6章和IECQC 001002 8. 5. 3 如果对于质量批准被允许使用IECQC 001002 ,11. 3.1方法的，空白详细规范应给出样本要求(见分规市第9章)。13.3 检验表空白详细规范应使用用于代表试验的下列格式:表1，2，3，4J一一电耐如果相对于电耐一一适用一一偏置一一使用的电或要求详细规对电耐久性试对A组中的电特性规范的编写。以上说明也适用于B组和试验。空白详细规范第6章所列的所有电特性应在A组、B组和/或C组中试验，应指出需要进行试验的参数的分

46、组。不用于检验的电特性应在第9章z附加信息中给出。(空白)详细规范应标明哪些试验是非破坏性的CND)，哪些是破坏性的CD)。一般表述形式极限值分组最小值最大值却例M规细验部寸详试内尺功电引肝一一一一, v ，2相关部分。求的细节。11说:，空白详细规范应参考IEC60 规范应参考本空白详细品睛也相关部分。出的电特性或能指导详细组中进行。除非参考了A组的相关13.4 延迟交货除另有规定外，见IEC60747-10的3.6. 7规定。14 附加测量方法见总规范4.3.1.1021 GB/T 12750-2006/IEC 60748-11 : 1990 22 本规范引用文件如下:附录B(资料性附录引

47、用文件一-IEC60068-2-17: 1978 基本环境试验规程第2部分:试验喃试验Q:密封一-IEC60191-2:1966 半导体器件机械标准化第2部分:尺寸一-IEC60191-4: 1987 半导体器件机械标准化第4部分:半导体器件封装外形图类型的划分和编号系统一-IEC60617-12:1983 简图用图形符号第12部分:二进制逻辑元件一一-IEC60617-13: 1978 简图用图形符号第13部分z模拟元件一一IEC60747-1: 1983半导体器件分立器件和集成电路第1部分:总则一-IEC60747-10:1984半导体器件第10部分:分立器件和集成电路总规范一-IEC60

48、748-1: 1984半导体器件集成电路第1部分:总则一一一IEC60748-2:1985半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路-一-IEC60748-3:1986半导体器件集成电路第3部分:模拟集成电路一-IEC60748-4:1987半导体器件集成电路第4部分:接口集成电路一-IEC60749: 1984半导体器件机械和气候试验方法一-QC001002: 1986 电子元器件IEC质量评定体系程序规则。白白户 =ERSU国OONlomhNF同隅。中华人民共和国国家标准半导体器件集成电路第门部分:半导体集成电路分规范(不包括混合电路)GB/T 12750-2006/IEC 60748斗1，1990势中国标准出版社出版发行北京复兴门外三里河北街16号邮政编码，100045网址www.sp