SJ 53930 1-2002 半导体光电子器件.GR8813型红外发射二极管详细规范.pdf
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1、华FL 5980 SJ 53930/1-2002 细范Semiconductor optoelectronic devices Detail specification for type GR8813 in企缸edemitting diode 2002-10-30发布2003-03-01实施中华人民共和国信息产业部批准范围中华人民共和国电子行业军用标准半导体光电子器件GR8813型红外发射二极管详细规范Semiconductor optoelectronic devices Detail specifcation for type GR88!3 in企aredemitting diode 中华
2、人民共和国信息产业部2002-10-30发布SJ 53930/1-2002 2003-03-01实施1 SJ 53930/1-2002 D (mm) 、尺寸数值符号最小公称最大、A 5.0 5.4 b 0.44 0.47 D 5.8 6.2 DI 4.8 5.2 1正极2负极可h斗2 aDl -19 7J e 外形图图13.2.3封装形式金属玻商光窗全密封封浆,见图lo3.2.4 引线长度可按合同的规定(见62)提供引线长度不同于本规范图l规定的器件。引线材料和引线镀涂引线材料为可伐合金,引线表面镀金,也可按照合同的规定(见6.2)。最大额定值和主要光电特性CT.嗣.b=25c) 3. 4.
3、1 最大额定值最大额定值见表lo3.3 3.4 最大额定值表1JFMI) lrrMl VR Tomb T电mA mA v C 100 250 10 -45125 -55150 1 ) fpM在25以上按1rnNC线性降额e调制频率为300蛙泣,占空比为15o/o。2) 3.4.2 主要光电特性主要光电特性见表2。2 一SJ 53930/1-2002 主要光电特性表2单位值数件条符号称名大最小最一v 2 J,=IOOmA 正向电压A 10 890 v.10 v run 870 Jp=20mA 月AArun 80 p=20mA A 峰值发射波长光谱辐射带宽一mW 5 J,=SOmA 辐射功率反向电
4、流如任l.zI J,=SOmA .!:. 小信号截止频率5比 飞、F、飞,叫F川、斗,吨, 飞飞飞乎?检验和试验户:, , : JB 28 !C u二,;,;,J符夕A数值单位牛、方法号飞条件J、”J影1,:最大内部目检A与非、弘飞、盆、句句句f 何、趴,;.f,飞边, 罗,俨; i字(封帽前),5,- I ” 叫飞皂、主字叽号叶飞主241r叫f二气专a、).王高温寿命1032 飞、可、少龟平;飞半非工作试验条件宵品陆).1立J!t:f;.a旷温度循环1051 (空气一空气)I (在高、低温下的时间注IOm扭恒定加速度2006 YI方向,至少196000 mfs2 不要求保持1min. 密封1
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