SJ 50923 2-1995 G2-01B-M1型和G2-01B-Z1型半导体光敏器件金属外壳详细规范.pdf
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1、,、FL 5961 B B 、l口口龟主I-SJ 50923/2 95 主I , I I哥、 J Detail specification for type G2 01 B M 1、G2一01BZl metal case for semiconductor photosensitive devices 1996-06-14发布1996-10-01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准G2一01BMl型和G2一01BZl型半导体光敏器件金属外壳详细规范Detail specification for type C2 - 018 - M 1、c2- 018-zl metal
2、 case for semiconductor photosensitive devices 1 范围1. 1 主题内容SJ 50923/2 95 本规范规定了G2- 01B - M1 , G2 - 01B -Z1型半导体光敏器件金属外壳(以下简称外壳)的详细要求。外形代号按附录A光电子器件金属封装外壳命名方法(参考件)确定的。1. 2 适用范围本规范适用于G2- 01B - M1 , G2 - 01B -Z1型及同等结构的探测发光和光敏器件金外壳的研制、生产和采购。2 引用文件GBn 101 81 GJB 128 86 GJB 923 90 铁锦钻玻封合金4J29技术条件半导体分立器件试验方
3、法半导体分立器件管壳总规范SJ/T 10587.1 93 DM 305型电子破璃技术数据臼/T10587.2 93 DM 308型电子玻璃技术数据-3 要求3. 1 详细要求各项要求应符合本规范和GJB923的规定。3.2 设计、结构和材料要求3. 2. 1 设计、结构应符合GJB923的规定。3.2.2 材料要求3.2.2.1 外壳选用的金属材料应符合GBn101的要求。3.2.2.2 绝缘子破璃应符合日/T10587.1和SJ/T10587.2的要求。中华人民共和国电子工业部1996-06-14发布1996- 1 0-01实施1一SJ 5092312 95 1.6 尺寸外壳的结构尺寸应符合
4、图1-图2的规定。3.3 其余0.10 瞌94 的-OH们的由。.。,同国间。+的-m RO .1 A + 0.048 .。6.3 1俨 1 同时.G2 01B Ml尺寸图l2 SJ 5092312 95 已4丰旦- ,、I /),1 N 同-o叭。.()刊沁川UN、沁、飞飞RO.l I 30:1 时.C盯。.()门村mN6.l l l 0.6 .45 图2G2 01B Zl尺寸3.4 性能3. 4. 1 镀层厚度管座、管帽金属表面全部镀金或镀镇,其厚度分别为:金层厚度:1. 27 -3.0m; 锦层厚度:1.3-8.9m。3.4.2 绝缘电阻管座极间绝缘电阻分为二级:A级不小于1X1090;
5、B级不小于1XlO110o3.4.3 密封封帽前进行核质谱检漏,底座和管帽的漏气速率不大于1X10-3Pa.cm3/s。3.5 外观质量3.5. 1 金属表面的角或边上,不允许有明显的缺边、缺角。3一SJ 50923/2 - 95 3.5.2 金属表面不允许有明显的裂纹。3.5.3 有效区不允许有明显的凹坑、凸起、起皮及机械划痕。3.5.4 引线压焊端面应平整、光洁。3.5.5 任一引线根部不允许有径向腐蚀而造成的细颈。3.5.6 透镜光窗应透明无明显杂质、裂痕,透镜呈无色或相应的颜色,透镜表面应光滑无凹坑,透镜光轴与管帽轴线无明显偏离。透镜内部不允许有正常视力下可见的明显气泡。3.5.7 玻
6、璃绝缘材料表面应光洁、致密,不允许有明显的孔洞、麻坑,封接玻璃不允许凸出底座的上底面,但允许向底平面内凹O.2mm.非玻璃封接面不允许有残留玻璃。3.5.8 金属层应呈镀层本色,且致密、均匀、清洁,不允许有明显发花、锈蚀。3.6 标志标志应按照GJB923中3.6条规定并作以下补充:认证合格标志、水。4 质量保证规定4. 1 抽样和检验抽样和检验要求及检验批的构成应按照本规范和1GJB 923的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB923的规定进行,检验项目和要求应符合4.3条和4.4条中A、B、C组检验的规定。4.3 筛选筛选应按表1规定进行。表1筛选筛选项日引用标准条件和要求抽样要求1、
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