SJ 50923 1-1995 A6-02A-M2(Z2)和A6-01B-M1(Z1) 型半导体光耦合器金属外壳详细规范.pdf
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1、FL 5961 SJ 50923/1 95 2 CJ 里、metal case for semiconductor photocouplers 1996-06-14发布1996-10-01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准Z2 ,!,U U U I D Zl SJ 50923/1 - 95 光棍合器金属外壳详细规范D叫metal case for semiconductor photocouplers 1 范围1. 1 主题内容本规范规定了A川2A一号和人601B一号型半导体光桐合器金属外壳(以下简称外壳)的详细要求。1. 2 适用范围本规范适用于A602A一号和A
2、601B一号型及同等结构的半导体光阐合器金属管座、管帽的研制、生产和采购。2 引用文件GBn 101 81 铁镇钻玻封合金4J29技术条件GJB 128 86 半导体分立器件试验方法GJB 923 90 半导体分立器件管壳总规范SJ 2849 88 半导体分立器件封装结构尺寸SJ/T 10587.1 - 93 DM 305型电子玻璃技术数据臼/Ti0587. 2 93 DM 308型电子玻璃技术数据 3 要求3. 1 详细要求各项要求应符合本规范和GJB923的规定。3.2 设计、结构和材料要求3. 2. 1 设计、结构应符合GJB923的规定。3.2.2 材料要求3.2.2.1 外壳选用的金
3、属材料应符合GBn101的要求。中华人民共和国电子工业部1996-06-14发布1996- 1 0-0 1实施一1一 SJ 50923/1 95 3.2.2.2 绝缘子玻璃应符合SJfT10587.1和SJfT10587.2的要求。3.3 尺寸符合图1-图2的规定。RO.l 一2一(8. 4) 骨7.82 +.05b 9.$1. 二何:I 0 o 其余芷图1A6一01BM1尺寸1. 6 .笠0.05 SJ 50923/1 .95 1骨9.6吃。.0四骨7.8飞。.090严 11 _I 0 , 的.D忖m N 。-ry 、-,骨0.45-一-69。-图2A6 01B Z1尺寸3 4 性能3.4.
4、 1 镀层厚度管座、管帽金属表面全部镀金或镀镇,其厚度分别为:金层厚度:1. 27 -3.0m 镇层厚度:1.3-.8.9m。3.4.2 绝缘电阻管座极间绝缘电阻分为两级:A级不小于lO11.o,;B级不小于1012.0.。3.4.3 密封封帽前进行核质谱检漏,底座和管帽的漏气速率不大于1X10-3Pacm3/s。3.4.4 耐压强度底座两极板之间的耐压强度不小于1000V,加压时间:10s。3一臼50923/1一95注:若无特殊要求,全部测试应在标准测试条件下进行。3.5 外观质3.5. 1 金属表面的角或边上,不允许有明显的缺边、缺角。3.5.2 金属表面不允许有明显的裂纹。3.5.3 有
5、效区不允许有明显的凹坑、凸起、起皮及机械戈1)展。3.5.4 引线压焊端面应平整、光洁。3.5.5 任一引线根部不允许有径向腐蚀而造成的细颈伫3.5.6 透镜光窗应透明无明显杂质、裂肢,透镜里无色或相应的颜色,透镜表面应光滑无凹坑,透镜光轴与管帽轴线无明显偏离。透镜内部不允许有正常视力下可见和明显气泡。3.5.7 玻璃绝缘材料表面应光洁、致密,不允许有明显的孔洞、麻坑,封接玻璃不允许!席座的上底面,但允许向底平面内凹O.2mm,非破璃封接而不允许有残留玻璃。3.5.8 金属层应呈镀层本色,且致密、均匀、清洁,不允吁有明显发花、锈蚀。3.6 标志标志应按照GJB923中3.6条规定并作以下补充:
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