SJ 50033 154-2002 半导体分立器件.3DG251型硅超高频低噪声晶体管.详细规范.pdf
《SJ 50033 154-2002 半导体分立器件.3DG251型硅超高频低噪声晶体管.详细规范.pdf》由会员分享,可在线阅读,更多相关《SJ 50033 154-2002 半导体分立器件.3DG251型硅超高频低噪声晶体管.详细规范.pdf(10页珍藏版)》请在麦多课文档分享上搜索。
1、华FL 5961 圭K.,.、3DG251型硅行hSJ 50033/154 2002 分立器细Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3DG251 silicon UHF low-noise transistor 2002-10-30发布2003-03-01实施中华人民共和国信息产业部批准中华人民共和国电子行业军用标准立器件3DG251型硅超高频低瞟声晶体管SJ 50033/154- 2002 详细规3巴Semiconductor discrete devices Detail specification for
2、 type 300251 silicon UHF low-noise transistor 范围1. 1 主题内容,;机叫圳机飞N问句句k规范规1. 2 适用范围r J气、低息飞气一叫叫川叫q呼气V乙引冉、二旷沪Jkm -A外本规范远用于器件的研制、生产和采购;f 治立飞句分类J fJ 飞、本规范根据器件质差等级进行分类。1. 3 1. 3. 1 器们的等级JB 33A-97 E三级,分另2 3 3. 1 3.2 fLY事J;1川飞?jifa? ivL lf一注11寸了:li 二与ii? 、j 引用文件:LOLKJhWI叫州仁f:i二二二;.11集成Jl.!.$l7部分c,双极;但晶体杖、4;
3、ihJ j OB厅758l-si斗智每分立时叫鼠主131:TYi仁jjjtJ GJB 33A7半导向卢旺总规品也44主川、;二;二川;L兰JOJB 128A-97、Jit导体分l4:H牛试较方法yvweMUJq斗?巾引419牛/ f f 气e飞二、安、叶飞JL:-,_. _, 飞I可VU J飞-5 要求号.阜气气,/ 何芒专二二飞多号4 7飞飞/ FZ? f 详细要求 仁FJdfvtJJ wyid节、险队咽JJFdT二、;卢志 -m 设计、结构和外形尺寸yzFf hj苦了ff仁TJtL/ 器件的设计、结构和夕阳尺寸应符合GBZM和平规范盟军J3.2.1 引出端材料和镀涂层 发射极、基极和集电极
4、引出ft/M材料为可伐合金,3.2.2 捺11一结构采用lit平面NPN双极型外延结构。中华人民共和国信息产业部2002-10-30发布引出端表面镀金。2003-03-01实施i 1 SJ 50033/154-2002 3.2.3 外形尺寸外形尺寸按GB厅7581中A4-01C型的规定,见图1.、mrn J 寸Q小标称最大A 5.34 7.23 扭2.54 申&,1.01 目&0.407 0.508 D 5.3 1 5.84 串if)J4.53 4.95 l 0.92 1.1 6 K 0.51 1.2 1 I 12.5 25.0 L, 1.27 叫D, D b, 引出端极性zI发射极2基极3集
5、电极4地., b, 外形尺寸图最大额定值和主要电特性最大额定值最大额定值见表1 3.3 3. 3. 1 最大表1Ill-4才4参数Ptot VCBO VCEO lc T., 罚mW V V mA C 型号TA-25C 3DG251 100 12 10 20 -65-200 200 当TA25C时,技。当7mWIK线n降额,1) 3. 3. 2 主要电特性主要电特性见表2(TA;25C)。2 SJ 50033/154-2002 主要电特性表2极限值hFEI 1) Vc . h目2ICBOI lCEo fT G F, V A A Mllz dB dB vcr-6V Ic-5 mA Vr6V 1.:
6、9) 1.=0 产4口。Mllz产600MHz1c-2 mA 1.=1 mA 1c-咀5mAVCB=8 V 几6VYCE-6V V=6 V 1c2mA 1r2mA 最小应大最大最小最大最大最小组小是大3DG251A 2 40 120 0.3 20 0.1 0.1 2000 9 3DG25 1B 1.5 1)直流法测试.号:1立测试要求测试应符合GJB33A及标志3.4 3.5 超, 明mk丁如飞执-俨协二、户户乱阳、川的区auk 表7的规定。器件上应有如F器件11号:? 吃理!可袅问时4av;茅台GJB抽样和检验拍鉴定检验鉴定筛选(筛选应按GJB过本规范表4极限a b. 质量保证规定4. 2
7、4.3 4 4. 1 2高温寿命3温度循环4恒定加速度7密封a细检源b粗检漏9中间测试电参数10高温反偏筛选要求T】条表32072 1032 1051 选33A表2筛1方向.196000时s2.保持1min要求不适用2006 1071 R,=5XIOPacm/s. P=517 kPa. t=4h P=517 kPa. t=2h 和hmA=150C. Vc=9.6V. t=48h 1039 和h距111中i电参数1 ,., hFEI 1初始值的20%A. 25 C. Vcc= IOV. P,=IOOmW. t=160h AICB01为初始值的100%或0.05A取较大者,1039 12功率老炼1
8、3终点测试未指明的项目不适用.3 1) SJ 50033/154-2002 4.4 质量一致性检验m量一致性检验应按GJB33A和本规范的规定进行。4. 4. 1 A组检验A组检验应按GJB33A和本规范表4的规定进行.4.4.2 B纽检验B纽检验应按GJB33A及本规范表5的规定进行。4. 4. 3 C组检验C组检验应按GJB33A及本规范表6的规定进行.4.4.4 E组检验E组检验应按GJB33A及本规范表7的规定进行。4.5 检验和试验方法检验和试验方法应按本规范相应的表中规定的方法进行。4. 5. 1 测试直流成交流参数im试按GB厅4587或GJB128A相应方法测试。5 交货准备5
- 1.请仔细阅读文档,确保文档完整性,对于不预览、不比对内容而直接下载带来的问题本站不予受理。
- 2.下载的文档,不会出现我们的网址水印。
- 3、该文档所得收入(下载+内容+预览)归上传者、原创作者;如果您是本文档原作者,请点此认领!既往收益都归您。
下载文档到电脑,查找使用更方便
5000 积分 0人已下载
下载 | 加入VIP,交流精品资源 |
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- SJ 50033 154 2002 半导体 分立 器件 DG251 超高频 噪声 晶体管 详细 规范

链接地址:http://www.mydoc123.com/p-251814.html