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    SJ 50033 154-2002 半导体分立器件.3DG251型硅超高频低噪声晶体管.详细规范.pdf

    • 资源ID:251814       资源大小:282.62KB        全文页数:10页
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    SJ 50033 154-2002 半导体分立器件.3DG251型硅超高频低噪声晶体管.详细规范.pdf

    1、华FL 5961 圭K.,.、3DG251型硅行hSJ 50033/154 2002 分立器细Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3DG251 silicon UHF low-noise transistor 2002-10-30发布2003-03-01实施中华人民共和国信息产业部批准中华人民共和国电子行业军用标准立器件3DG251型硅超高频低瞟声晶体管SJ 50033/154- 2002 详细规3巴Semiconductor discrete devices Detail specification for

    2、 type 300251 silicon UHF low-noise transistor 范围1. 1 主题内容,;机叫圳机飞N问句句k规范规1. 2 适用范围r J气、低息飞气一叫叫川叫q呼气V乙引冉、二旷沪Jkm -A外本规范远用于器件的研制、生产和采购;f 治立飞句分类J fJ 飞、本规范根据器件质差等级进行分类。1. 3 1. 3. 1 器们的等级JB 33A-97 E三级,分另2 3 3. 1 3.2 fLY事J;1川飞?jifa? ivL lf一注11寸了:li 二与ii? 、j 引用文件:LOLKJhWI叫州仁f:i二二二;.11集成Jl.!.$l7部分c,双极;但晶体杖、4;

    3、ihJ j OB厅758l-si斗智每分立时叫鼠主131:TYi仁jjjtJ GJB 33A7半导向卢旺总规品也44主川、;二;二川;L兰JOJB 128A-97、Jit导体分l4:H牛试较方法yvweMUJq斗?巾引419牛/ f f 气e飞二、安、叶飞JL:-,_. _, 飞I可VU J飞-5 要求号.阜气气,/ 何芒专二二飞多号4 7飞飞/ FZ? f 详细要求 仁FJdfvtJJ wyid节、险队咽JJFdT二、;卢志 -m 设计、结构和外形尺寸yzFf hj苦了ff仁TJtL/ 器件的设计、结构和夕阳尺寸应符合GBZM和平规范盟军J3.2.1 引出端材料和镀涂层 发射极、基极和集电极

    4、引出ft/M材料为可伐合金,3.2.2 捺11一结构采用lit平面NPN双极型外延结构。中华人民共和国信息产业部2002-10-30发布引出端表面镀金。2003-03-01实施i 1 SJ 50033/154-2002 3.2.3 外形尺寸外形尺寸按GB厅7581中A4-01C型的规定,见图1.、mrn J 寸Q小标称最大A 5.34 7.23 扭2.54 申&,1.01 目&0.407 0.508 D 5.3 1 5.84 串if)J4.53 4.95 l 0.92 1.1 6 K 0.51 1.2 1 I 12.5 25.0 L, 1.27 叫D, D b, 引出端极性zI发射极2基极3集

    5、电极4地., b, 外形尺寸图最大额定值和主要电特性最大额定值最大额定值见表1 3.3 3. 3. 1 最大表1Ill-4才4参数Ptot VCBO VCEO lc T., 罚mW V V mA C 型号TA-25C 3DG251 100 12 10 20 -65-200 200 当TA25C时,技。当7mWIK线n降额,1) 3. 3. 2 主要电特性主要电特性见表2(TA;25C)。2 SJ 50033/154-2002 主要电特性表2极限值hFEI 1) Vc . h目2ICBOI lCEo fT G F, V A A Mllz dB dB vcr-6V Ic-5 mA Vr6V 1.:

    6、9) 1.=0 产4口。Mllz产600MHz1c-2 mA 1.=1 mA 1c-咀5mAVCB=8 V 几6VYCE-6V V=6 V 1c2mA 1r2mA 最小应大最大最小最大最大最小组小是大3DG251A 2 40 120 0.3 20 0.1 0.1 2000 9 3DG25 1B 1.5 1)直流法测试.号:1立测试要求测试应符合GJB33A及标志3.4 3.5 超, 明mk丁如飞执-俨协二、户户乱阳、川的区auk 表7的规定。器件上应有如F器件11号:? 吃理!可袅问时4av;茅台GJB抽样和检验拍鉴定检验鉴定筛选(筛选应按GJB过本规范表4极限a b. 质量保证规定4. 2

    7、4.3 4 4. 1 2高温寿命3温度循环4恒定加速度7密封a细检源b粗检漏9中间测试电参数10高温反偏筛选要求T】条表32072 1032 1051 选33A表2筛1方向.196000时s2.保持1min要求不适用2006 1071 R,=5XIOPacm/s. P=517 kPa. t=4h P=517 kPa. t=2h 和hmA=150C. Vc=9.6V. t=48h 1039 和h距111中i电参数1 ,., hFEI 1初始值的20%A. 25 C. Vcc= IOV. P,=IOOmW. t=160h AICB01为初始值的100%或0.05A取较大者,1039 12功率老炼1

    8、3终点测试未指明的项目不适用.3 1) SJ 50033/154-2002 4.4 质量一致性检验m量一致性检验应按GJB33A和本规范的规定进行。4. 4. 1 A组检验A组检验应按GJB33A和本规范表4的规定进行.4.4.2 B纽检验B纽检验应按GJB33A及本规范表5的规定进行。4. 4. 3 C组检验C组检验应按GJB33A及本规范表6的规定进行.4.4.4 E组检验E组检验应按GJB33A及本规范表7的规定进行。4.5 检验和试验方法检验和试验方法应按本规范相应的表中规定的方法进行。4. 5. 1 测试直流成交流参数im试按GB厅4587或GJB128A相应方法测试。5 交货准备5

    9、. 1 包装要求包装要求应符合GJB33A的规定。5.2 贮存要求贮存要求按GJB33A的规定。5.3 运输要求运输要求应按GJB33A的规定。表4A组检验OBrr 4587 除非另布规定抽样符可极限值单枪验或试验方案位Tr25 C 方法条件占2小J大1分组GJB 128A LTPfF5 外观及机械检验2071 2分组116 (cO) 集电极基极lV.1.1 0.2 1.:=0 V (8RJ CBO 12 V 击穿屯f如一Ic运10A 集电极一发射极OJB 128A IBO V (BR) CEO 10 V 击穿电压3011 Ic运10A集电极一基极lV.1.2.1 1.:=0 IC801 。I

    10、A 截止I.lMi y臼8V 集电极一发射极lV .1.3 IB lcEO 0.1 A 截止电MtVCEV 正向电流传输比lV.2.7 VC V. Ic2 mA hFE1 40 120 4 检验或试验正向电流传输比集电极一发射极饱和电压3分组高温工作集电板一基极截止屯iAl低温工作正向电流传输比4分组特征频率眼声系数|相关培益1分组可焊性检验和试验耐济剂性2分组方法IV.2.7 IV. 1.4 1 IV. 1.2.1 IV.2!f J 温度循环(空气一笔气密封试验a细检漏b朝l检漏终点到试, SJ 50033/154-2002 续表4GB!T 4587 除非另有规定抽样方案TA25C 条件V白

    11、6V. IrQ.5 mA 10-5 mA IBI mA 2026 1022 1051 1071 116 IEti 条件动;试验条件C.25次试验条件矶,F=517胁.4 h R,运5X 10. Pa. cm 1. 试验条件C.517 kPa. r-2 h 见表S步骤l、3、4符号极限值最小hru 20 VCEa1 h阳320 f飞F-n 10 最大0.3 10 单位V A Mllz J d 致性检验nlc 4/0 6/0 5 SJ 50033/154-2002 续表5GJB 128A 抽样方案检验和试验鉴定检验和大批量小批量的质量一的质量一致性检验致性检验方法条件LTPD nlc 3分组5 1

    12、210 态工作寿命1027 几-25士3C.P(,100mW. VCE1O V. 1=340 h 终点测试见表B步骤2、54分组开何内部tH生2075 目检声l据按鉴定过的设计每批1个器件零失效设计核实)优合强度2037 试验条件ALTP10 (键合线数5分组15 6/0 热阻GBff 4587 VCB6 V. lc 2 mA IV. l.l 1 Rlh /j_a1耳1.75Klm明6分组7 12/0 m丛寿命(不工作1032 TA=200C. 340 h 终点测试见表S步骤2、57分组10 6/0 恒定加速度2006 Xp Y1乙方向.196 000 mJs 粒子碰掩噪声检测2052 条件A

    13、终点测试见表8步骤I、3、4表6cm检验()GJD 128A 抽样方案检验和试验鉴定检验硕大批量小批蓝的质量方法条件的质量一致性检验一致性检验LTPD nlc 1分组15 6/0 物理尺寸2066 技图I规定尺寸2分组10 6/0 热冲击液书一液体1056 试验条件A.15次引tB端强度2036 试验条件A.F斗N.户10s. 每个器件受试引出端数(4 密封1071 a细检漏试验条件町.P斗17kPa. r-4 h R,运5X 10.) Pa.cm Is. b粗检漏试验条件C.P 17 kPa. 1=2 h 耐混1021 不要求预处理外观及机械检验2071 终点测试L 见表8步骤l、3、46

    14、SJ 50033/154-2002 续表6抽样方案鉴定检验和大批盘l、批量的质盟的质量一致性检验I-致性检验GID 128A 检验和试验条件方法nlc 6/0 LTPD 10 不工作.14700 mls. 0.5 ms. 2016 3分组J中击X Y Z每个方向5次2056 1210 IO 见表S步骤1、3、4h. TA25:l:3C 1026 扫频振动终点测试6分组稳态工作寿命h 飞,也寸-一一抽样方案州飞飞俨2iifiJ;旦L斗二朱硝蛊笃守一、吨、弓如气 r 二、唱hb , 终点测试U豆衷jE组检验(仅供鉴定)1) 咐掏吼叫创.号1) 扩GlB 33A表S中条件验主试和验枪LYFob-、扩

    15、乡-epJJ7 吨鸣kel-yhvk-M-214 号:写与吹-川吨飞ij;h si-12: tjj1 0一FL一内一(-环试一泪循测-2如牛皮点-Im-温终-4热阻之:芒q 、! 川削l队 鸣叫# ,apF 协扩旦、交4FFh吨1) 单位A 符去!二:极限值飞/ 最小值.11;.,战大holpJ/二;飞叫C._,-_w J二65jiEfThiJ丢在川171飞去 吁GJB12队/L_;jJi.t叶飞仔777i如衍陈J仇丰州总j仨;飞!?hoit:fi副主运是C.I瞅j:;二JK|脱险公I、3,4 j i立i拧了FfTT?T飞jh!可如33陪我却 检验步lVJ2.t tIJ. VCB8 V 叫:飞

    16、飞N .l.2lJ? . l.岳,8V忽J:仁I.,:飞JLI川vui v t;豆豆叶二/4制时,占三5n-斗叮:.,I骤集电极一基极截止电流A 0.2 集电极一在t2 戳止电流V 0.3 rv. 1.4.1 集电极一发射极3 饱和电压120 40 坠l初始值的30%lL,.hr宦,I VCE6 V. Jc2 mA Kc.6 V. Jc-2 mA rv , 2. 7 正向咆流传输比4 rv.2.7 正向电流传输比5 说明事项6 预定用途符合本规范的器jI供新设备设计使用和供现有设备的后勤保陆朋-6.2 订货资料合同和订货单应规定下列内容:6. t 7 GlB 33A表7于生唱-事a. 本规范的

    17、名称和编号:b. 等级(见1.3.1); C. 数量:d. 需要时,其它要求.SJ 50033/154-2002 6.3 企业型号s 3D0251对应的企业型号为C0391.附加说明:本规范由信息产业部电子第四研究所归口。本规范由信息产业部电子第十三研究所负责起草.本规范主要起卒人:高颖、王于辉、崔波。计划项目代号:B01015. 时。ON-叶飞F凹的。盯,的中华人民共和回电子行业军用标准半导体分立器件3DG251型硅超高频低躁声黑体管详细规范SJ 50033/154-2002 拿版刷行出印发中国电子技术标准化研究所中国电子技术标准化研究所中国电子技术标准化研究所电话:(010) 84029065 传真:(010) 64007812 地址s北京市安定门东大街1号邮编:100007 网址:WWW.ceSl.8C.cn 印张zi2003年4月第一次印刷字数20千字* 1/16 开本:880X 1230 2003年4月第一版版权专有不得翻印举报电话:(010) 64007804 -


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