SJ 50033 107-1996 半导体分立器件.2EY621、2EY622、2EY623型体效应二极管详细规范.pdf
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1、FL 5961 SJ 50033/107 96 、吕Semiconductor discrete device Detail specification for Gunn diodes for type 2EY621 , 2EY622, 2EY623 1996-08-30发布1997-01-01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件2EY621、2EY622、2EY623型体效应二极详细规范Semiconductor discrete device Detail specification for Gunn diodes for type 2EY621 ,
2、 2EY622, 2EY623 1 范围1. 1 主题内容SJ 50033/107 96 本规范规定了2EY621、2EY622、2EY623型体效应二极管(以下简称器件)的详细要求。1. 2 适用范围本规范适用于器件的研制、生产和采购。1. 3 分类本规范根据器件质量保证等级进行分类。1. 3. 1 器件的等级按GJB33 -85(半导体分立器件总规范)1.3条的规定,提供的质量保证等级为普军级、特军级、超持军级、分别用GP、GT、GCT表示。2 引用文件GB 6570 86 微波二级管测试方法GJB 33 85 半导体分立器件总规范GJB 128 86 半导体分立器件试验方法3 要求3.
3、1 详细要求各项要求应符合GJB33和本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2. 1 引出端材料和涂层引出端材料应为铜,表面涂层应为金。3.2.2 器件结构本器件采用n+-n-n+呻化嫁外延材料,电镀热沉,台式结构,同轴管壳封装。3.2.3 外形尺寸中华人民共和国电子工业部1996.08.30发布1997.01.01实SJ 50033/107 96 外形尺寸按GJR17的W10-01型,如图。+0 .2 A +Dl + M 3.3 最大额定值和主要电特性3.3. 1 最大额定值工作电压型号VOD V 2EY621 2EY622 4
4、.0 2EY623 3.3.2 主要电特性(TA = 25C) 输入功率特性和条件Po mW 型2EY621 二三52EY622 二三15号2EY623 二注253.4 电测试要求 4 4 图1外形困工作电流IOD mA 1000 工作频率工作电压f v GHz V 90-100 3-4 电测试应符合GB6570和本规范的规定。一2一mm 主号W10 -01 4D1 0.60 0.62 h 5.70 6.30 h1 0.37 0.43 M M2 工作温度贮存温度T T . 坦r -40-85 - 65-175 工作电流低场电阻I Ro mA 。1000 0.5-2.0 SJ 50033/ 10
5、7 96 3.5 标志件极性标志按图1识别,器件包装盒上的标志应符合GJB33的规定。4 质量保证规定4. 1 抽样和检验抽样和检验按GJB33和本规范的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验按GJB33和本规范的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级)筛选应按GJB33表2和本规范的规定,其测试应按本规范3.4条规定进行,超出本规范表1极限值的器件应予剔除。筛选试验方担测试和试验见CJB33表2CJB 128 2 命温寿命1032 200t:, 72h 3 热冲击1051 除循环20次外,其余同试验条件F5 密封1071 不适用6 高温反偏不适用7 中间测试Ro、.Ro8 电老炼1038 见4.3.
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