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    SJ 50033 107-1996 半导体分立器件.2EY621、2EY622、2EY623型体效应二极管详细规范.pdf

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    SJ 50033 107-1996 半导体分立器件.2EY621、2EY622、2EY623型体效应二极管详细规范.pdf

    1、FL 5961 SJ 50033/107 96 、吕Semiconductor discrete device Detail specification for Gunn diodes for type 2EY621 , 2EY622, 2EY623 1996-08-30发布1997-01-01实施中华人民共和国电子工业部批准中华人民共和国电子行业军用标准半导体分立器件2EY621、2EY622、2EY623型体效应二极详细规范Semiconductor discrete device Detail specification for Gunn diodes for type 2EY621 ,

    2、 2EY622, 2EY623 1 范围1. 1 主题内容SJ 50033/107 96 本规范规定了2EY621、2EY622、2EY623型体效应二极管(以下简称器件)的详细要求。1. 2 适用范围本规范适用于器件的研制、生产和采购。1. 3 分类本规范根据器件质量保证等级进行分类。1. 3. 1 器件的等级按GJB33 -85(半导体分立器件总规范)1.3条的规定,提供的质量保证等级为普军级、特军级、超持军级、分别用GP、GT、GCT表示。2 引用文件GB 6570 86 微波二级管测试方法GJB 33 85 半导体分立器件总规范GJB 128 86 半导体分立器件试验方法3 要求3.

    3、1 详细要求各项要求应符合GJB33和本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2. 1 引出端材料和涂层引出端材料应为铜,表面涂层应为金。3.2.2 器件结构本器件采用n+-n-n+呻化嫁外延材料,电镀热沉,台式结构,同轴管壳封装。3.2.3 外形尺寸中华人民共和国电子工业部1996.08.30发布1997.01.01实SJ 50033/107 96 外形尺寸按GJR17的W10-01型,如图。+0 .2 A +Dl + M 3.3 最大额定值和主要电特性3.3. 1 最大额定值工作电压型号VOD V 2EY621 2EY622 4

    4、.0 2EY623 3.3.2 主要电特性(TA = 25C) 输入功率特性和条件Po mW 型2EY621 二三52EY622 二三15号2EY623 二注253.4 电测试要求 4 4 图1外形困工作电流IOD mA 1000 工作频率工作电压f v GHz V 90-100 3-4 电测试应符合GB6570和本规范的规定。一2一mm 主号W10 -01 4D1 0.60 0.62 h 5.70 6.30 h1 0.37 0.43 M M2 工作温度贮存温度T T . 坦r -40-85 - 65-175 工作电流低场电阻I Ro mA 。1000 0.5-2.0 SJ 50033/ 10

    5、7 96 3.5 标志件极性标志按图1识别,器件包装盒上的标志应符合GJB33的规定。4 质量保证规定4. 1 抽样和检验抽样和检验按GJB33和本规范的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验按GJB33和本规范的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级)筛选应按GJB33表2和本规范的规定,其测试应按本规范3.4条规定进行,超出本规范表1极限值的器件应予剔除。筛选试验方担测试和试验见CJB33表2CJB 128 2 命温寿命1032 200t:, 72h 3 热冲击1051 除循环20次外,其余同试验条件F5 密封1071 不适用6 高温反偏不适用7 中间测试Ro、.Ro8 电老炼1038 见4.3.

    6、19 最后试I .Rol Rol 5% 其它参数按本规范表1的A2和A4分组要求4.3. 1 电老炼电老炼条件如下:TA=100C, VoD=4.2V,t=lh,将器件安装在90rnrnX 90rnrn X 4rnrn的铝板上。4.4 质量一致性检验性检验应按GJB33的规定。4.4.1 A组检验A组检验应按GJB33和本规范表1的规定。4.4.2 B组检验B组检验应按GJB33和本规范表2的规定。4.4.3 C组检验C组检验应按GJB33和本规范表3的规定。4.5 检验和试验方法检验和试验方法应按本规范相应的表。3一SJ 50033/107 96 表1A组检验GB 6570 极限值或试验LT

    7、PD 符号单位方法条件 最小值最大值A1 分组5 外观及机械GJB 128 2071 A2 分组5 低场电阻B.1 10= 10mA Ro 0.5 2.0 。A4 分组5 工作电流I 1000 mA 工作频率B.5 V=3-4V foo 90 100 GHz 出功率2EY 621 Po 5 mW 2EY622 15 mW 2EY623 25 m飞71表2B组检验GJB 128 检验或试验LTPD 方法条件B2 分组10 热冲击1051 试验条件F1, 25次循环,(温度循环)t(极限值)二10min.25t:上,不要求有规则的停最后测试见表4.步骤1、2B3 分组5 TA = 25t:. VO

    8、D= 2.5V 稳态工寿命1027 器件安装在90mmX 90mm X 4mm 的铝板上最后测试见表4.步骤2、3B6 分组7 凸寿命T A = 175t: , t = 340h 1032 !可(不工作)最后测试见表4.步2、3表3C组检验试验检验分组GJB 128方法条件LTPD Cl分组15 外形尺寸2066 按图1要求一4一SJ 50033/107 96 续表3试验检验分组GJB 128方法条件LTPD C2分组10 热冲击(玻璃应力)1056 试验条件A综合i度/温度周期试验1021 省略预处理外观及机械试验2071 最后测试见表4,步骤1、2C3 分组10 冲击2016 不工作,按1

    9、4700ml三(1500g)0.5ms,在X、Y、z-=:个方向各冲击5次变频振动2056 恒定加速度2066 196000mfs2 (20000g) 最后测试见表4,步骤2、3C6 分组 = 10 稳态工作寿命1036 TA =25t:, V= 3. 5V, 件安装在90mmX 90mm X 4mm的铝板上最后测试见表4.步骤2、3表4B组和C组检验的电测试GB 6570 中及限步试符号单位方法条件最大值最小值1 低场电阻B.l TA =25t: Ro 0.5 2.0 。0= 10mA 2 低场电阻B.l TA = 25t: 初始值的1)。变化量0= 10mA .Ro :t 25% 输出功率

    10、B.5 TA =25t: 初始值的1)mW 3 变化量Von= 3-4V .Po 士30%注:1)本测试超过A组规程值的器件不应接收。5 交货准备5. 1 包装要求包装要求应按GJB33的规定。5.2 贮存要求贮存要求应按GJB33的规定。5一5.3 运输要求应按GJB33的规定。6说明6. 1 预定用途符合本规范的器件作为W用。6.2 订货文件内容合同或订单中应载明下列内容a. 本规范的名称和编号;b. 等级(见1.3.1);C. 数亘;d. 需要时,其它要求。SJ 50033/107 96 荡,供新设备设计使用和供现有设备的后勤保6.3 对引出端材料和涂层有特殊要求时,应在合同或订单中规定(见3.2.1)。如使用单位需要时,典型特性曲线等可在合同或订单中规定。6.4 型号对本产品应企业型号为WT621、WT622、WT623。附加说明:本规范由中国电子技术标准化研究所归口。本规范由电子工业部第五十五研究所负责起草。本规范主要起草人:吴透、朱世年。计划项目代号:B41020。6一


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