SJ 2701-1986 3CX673型PNP硅小功率晶体管详细规范.pdf

《SJ 2701-1986 3CX673型PNP硅小功率晶体管详细规范.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《SJ 2701-1986 3CX673型PNP硅小功率晶体管详细规范.pdf（9页珍藏版）》请在麦多课文档分享上搜索。

1、中华人民共和子工业部3CX673型PNP硅中国电子技术标准化研究所电子元器件质量评定GB4936.1-85 半导体分立榻件总3673 z 范PNP硅小功率晶体管订货资料z见本规范第7章。1 机械说明I 2 简略说明SJ2701-86 莞外形符合GB7581-87中AS-07A的|半导体材料z硅(P型求见本规范10.2条)0 I 封装z塑料封SJ2701-86 应用z主要用于彩电同步分离、行、I视放。3 质量评E委参考数据sPtot. ;. 400 mW 1 Ic ;. 500 mA Ir.; 50 IIH. 书华人民共和国电子工业部1986-03-15发布18&6 -1 0-01实1 SJ 2

2、701-86 4 极限值绝对最大值数值最小单位条款号数名称符号大值4.1 |工作环境度I Tamb I - 55 I 125 I oc 4.2 |贮存度I - 55 I 125 I oc 4.3 电极电压大集电极基极连续直流电压IVCBO 35 I V 4.4 电极发射极电压最大电极一发射极连C1分组尺寸5.2 C2a分组fT T- 041 VCB=-10V, IE=10 f = 30MHz C2h分组h21E(2) T- 006 VCE = 8V, Ic =500 mA 1 C BO( 2) T甲001VCB=-25V, IE=O Tamh = 100 oC C3分组GB4987-85 受试

3、引线数:8 拉力(D) 1 .1 .1 外加力z5N 检验限小值最大值见本规范10.250 10 5 无损坏求位E委LTPD 15 要求E委单位LTPD 80 15 MHz 15 ，A 15 7 5J 27 01-86 表条件检验求除非另有规定检或试验引用标准E委Tamb = 25 oC 极, (见总范的4 |最小值大值LTPD C4分组GB4937-85 期为6个月15 耐焊接热(D)1.2.2 本试验采用方法1A后试同B5分组85% 20 热(D2.5B VCB=-28V 最后试时间z168h 同B8分组C8分组工作寿命10 电耐久性GB4938甲85VCE = -25 V 最后试Ptot

4、=400mW 同B8分组时间z1000h C9分组15 高温贮存GB 4937-85 Tstg= 125 oC 后试2.2 时间z1000h 同B8分组C 11分组GB4987-85 按方法2进行30 标志耐久性3.2 C12分组GB4987-S5 易燃性3.1 CRRL分组C2、C3，C4. C7、C9，C11和C12分组的性资料，C 8 分组试前后的数据。一9 D 不适崩10 附加资料1 0.1 可焊性试验的补充要求8 SJ 2701-86 10.1.1 加速老化对于在器件制成后，又进行沾锡或镀锡)的器件，1000C水蒸汽中置放1小时c1 O. 1 .2 试验方法10.1.2.1 优先采用

5、焊槽法。加速老化。其条件是z10.1.2.2 必要时，可采用润湿称量法。按国家标准GB2423.32-85电工电子产品基本环境试验规程中的润湿称量法的可焊性试验方法进行，按使用非活性焊剂肘，在8秒钟内达到理论润湿力的35%。1 0.1外形图且鼻、司、J也AJ I IbJ 唱EC 、。121、R附加说畹s本标准由中国电子技术标准化研究所提出c本标准由上海无线电廿九厂负责起串本标准主要起草人s高维菁、李新华。符号A b 中blC D d .Q E e el L Ll 号A3 -07 A nom 目四ax4.3 5.3 0.3 0.7 0.3 4.3 5.2 1.0 1.7 8.2 /t. 2 .-. 2.54 1. 27 12.7 2.0 -9