GB T 21548-2008 光通信用高速直接调制半导体激光器的测量方法.pdf

《GB T 21548-2008 光通信用高速直接调制半导体激光器的测量方法.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《GB T 21548-2008 光通信用高速直接调制半导体激光器的测量方法.pdf（28页珍藏版）》请在麦多课文档分享上搜索。

1、ICS 31260M 31 镭亘中华人民共和国国家标准GBT 2 1 548-2008光通信用高速直接调制半导体激光器的测量方法Methods of measurement of the high speed semiconductor lasersdirectly modulated for optical fiber communication systems2008-03-3 1发布 2008-1卜01实施宰瞀鹘鬻瓣訾矬瞥星发布中国国家标准化管理委员会“”1目 次前言引言1范围2规范性引用文件3缩略语、符号、术语和定义4分类-5测量方法附录A(规范性附录)载噪比的测量方法附录B(规范性附

2、录)组合二阶互调和组合三阶差拍的测量方法一附录C(资料性附录) 激光器组件可靠性试验分类和试验方法附录D(资料性附录)激光器组件产品检验方法(或规则)GBT 2 1548-2008111-89-t2021t“22-24刖 舌GBT 2 15482008本标准是根据我国光通信用高速数字直接强度调制半导体激光器及其组件的实际研制和使用情况而制定的。附录A、附录B是规范性附录，附录C、附录D是资料性附录。本标准中的跗录C非等效采用了美国标准Telcordia GR一468-CORE中表6“激光组件的可靠性试验要求”，但作了部分修改；其修改如下：根据我国实际情况，删去了表6中热冲击和内部湿度试验项目；

3、由于本标准主要是规定光通信用激光器及其组件的测量方法，不涉及要求。因此删去了表6中抽样及失效判椐规定。本标准还参考了：YDT 11112-2001 SDH光发送光接收模块技术要求2488 320 Gbs光发射模块。本标准由中华人民共和国信息产业部提出。本标准由信息产业部(通信)归口。本标准起草单位：武汉邮电科学研究院。本标准主要起草人：丁国庆、郑林、丁方肪。GBT 21548-2008引 言随着微电子、光电子器件所用材料、制作技术、工艺设备和检测设备的不断进步，光通信用半导体激光器的性能指标、可靠性水平日益提高。应变量子阱分布反馈激光器的出现，标志着激光器水平达到了新的高度。这种激光器阈值可达

4、亚毫安量级，动态光谱线宽可小于01 nm，上升、下降时间可小于03 ns、一3 dB模拟带宽可大于10GHz，这种激光器可直接用于高速数字(622Mbits10Gbits)直接强度调制。它具有性能优越、调制简单、成本较低等特点，在SDH、WDM、以太网等光通信系统中具有广泛的应用。目前，国内还没有一个关于光通信用高速脉码直接强度调制半导体激光器及其组件测量方法的规范性文件。虽然1993年有一个光通信行业标准YDT 701一1993(半导体激光二极管组件测试方法，但它主要描述和规范激光二极管的直流参数及测试，没有涉及高速脉码直接强度调制情况下激光器及其组件的光电特性测量问题。为此，制定一个高速脉

5、码直接强度调制半导体激光器及其组件测量方法的规范性文件，是非常必要的。它可用于激光器及其组件的光电特性测量、产品检验和质量等级评对高速脉码直接强度调制激光器及其组件而言，除一般光电特性外，其高速动态特性无疑是非常重要的。它包括动态光谱特性、光功率一驱动电流非线性特性、调制特性、噪声特性、频率啁啾效应等。本标准对激光器及其组件主要技术参数进行了定义(或描述)、分类，重点对高速脉码直接强度调制下的光电特性测量方法进行了规定。caT 2 15482008光通信用高速直接调制半导体激光器的测量方法范围本标准规定了高速(622 Mbits10 Ghits)脉码光纤通信系统中采用非归零码直接强度调制半导体

6、激光器(主要是多量子阱分布反馈激光器)及其组件的术语、定义、分类、主要技术参数测量方法。此外，考虑到激光器测量方法以及相关试验、检验方法的完整性，作为附录，也规定了激光器在模拟系统中常用的几个参数的测量方法以及可靠性试验方法和产品检测方法(或规则)。本标准适用于SDH、WDM、以太网等高速脉码光纤通信系统中所用直接强度调制半导体激光器及其组件的光电特性测量；模拟光通信系统和其他光系统中激光器及其组件的光电特性测量或检测也可用作参考。2规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注目期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修改版均不适用于本标准，然而，鼓励

7、根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。GBT 1762621998电磁兼容试验和测量技术 静电放电抗扰度试验(idt IEC 6100042：1995)GBT 176263 1998 电磁兼容 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验(idt lEC 61000-43：1995)GBT1762641998 电磁兼容 试验和测量技术 电快速瞬变脉冲群抗扰度试验(idt IEC 6100044：1995)GBT 1762661998电磁兼容 试验和测量技术 射频场感应的传导骚扰抗扰度试验(idt IEC 610004-6：1996

8、)YDT 7011993半导体激光二极管组件测试方法YDT 7671995 同步数字系列设备和系统的光接口技术要求YDT 111122001 SDH光发送光接收模块技术要求一2488 320 Ghs光发射模块ITUT G691：2000具有光放大器的单通道SDH系统光接口和STM一64及STM一256系统IEC 620072光纤系统中所用的半导体光电子器件第g部分测量方法Telcordia GR一468一coRE(1998) 用于通信设备中的光电子器件的一般可靠性保证要求3缩略语、符号、术语和定义下列缩路语、符号、术语和定义适用于本标准。31缩略语和符号缩略语 英文名称或符号ABW Analo

9、g BandwidthBER Bit Error Rate(or Ratio)CNR CarriertoNoise RatioCP ChirpingCTB Composite Triple Beat中文名称模拟带宽比特差错率载噪比啁啾(或频率扫动)组合三次差拍GBT 21548-2008CSoDFBDIMDSLMESDEXFWHMLDMLMLMMQWDFBNRZOIS0MAORLPCMPJPINPDPRBSRINSDHSMSRTETECWDMLpqjkIthImodP。SISnSzlT。tffUfAc32术语和定义Composite Second Order intermodulatlonDi

10、stribution Feed-BackDirectly Intensity ModulationDynamic Single Longitudinal ModeElectrostatic DischargeExtinetion RatioFull Wide at Hall MaximumLaser DiodeMedian LifeMulti-Longitudinal ModeMultiple Quantum Well Distribution FeedBaekNon Return to ZeroOptical IsolationOptieal Modulation AmplitudeOpti

11、cal Return LOSSPulse-Code ModulationOptical Power VSCurrent CurvePIN-PhotodiodePseudo Random Binary SequenceRelative Intensity NoiseSynchronous Digital HierarchySide Mode Suppression RatioTracking ErrorThermo-Electric CoolerWavelength Division MultipleOptical Power-Driving Current LinearityCurrent a

12、t The Kink of P-I curveThreshold CurrentModulation Current0utput Optical PowerLinearity of the P-I of LDReflection Coefficient of S parameterTransmission Coeffieient of S parameterCase operating TemperatureRiseFall time between(1090)of maximumForward voltage at rated power of LDCentral WavelengthOpt

13、ical Spectrum Width of LD组合二阶互凋分布反馈直接强度调制动态单纵模静电放电消光比半高全宽度激光器(或激光二极管)中值寿命多纵模多量子阱分布反馈非归零光隔离光调制幅度光回损脉码调制光功率一电流曲线PIN型光探测器伪随机码序列相对强度噪声同步数字序列边模抑制比跟踪误差制冷器波分复用P-I曲线线性度P-I曲线扭折处电流阈值电流调制电流输出光功率激光器P-I曲线线性度反射系数传输系数管壳温度上升下降时闯激光器正向电压中心波长激光器光谱宽度321半导体激光器及其组件LD and LD assembly采用一V族化学物半导体多薄层异质结构材料(如GaAIAsGaAs、InGaAs

14、PInP、InAIGaAsInP)制作的激光器，称为半导体激光器。它主要由有源层、光波导层、光谐振腔和电接触层构成。这种2GBT 21548-2008结构实际上是激光器管芯(或芯片)。相对于波长为980 nm以下的激光器而言，通常把辐射中心波长在1 100 nm以上的激光器称为长波长激光器。激光器管芯不便测试和使用。只有制成组件才能应用和测试。由半导体激光器、背光探测器、微透镜、光隔离器、耦合光纤、外围电路元件、管壳等组成的混合集成件，称为半导体激光器组件。322多量子阱一分布反馈激光器multiple quantum-well distributed feed-back laser有源层为多

15、个量子阱(MQW)结构、光波导层为分布反馈(DFB)结构的激光器。所谓多个量子阱结构，通常指每层由24种元素(或组份)组成且厚度不同的材料交替生长而成的多薄层结构，其薄层厚度小于德布罗意波长(约12 nm)。按能带隙宽度和薄层厚度不同，薄层分为两类。一类为阱层，一类为势垒层。有源层具有多个这种结构的激光器，称为多量子阱激光器。它具有阈值电流低、光谱宽度窄、温度特性好等一系列优点。所谓分布反馈结构，是指材料组分呈空问周期性分布、从而使折射率也呈空间周期性分布的结构。该结构可起光反馈腔的作用。激光器光波导层具有分布反馈结构的激光器，称为DFB-LD。它其有光谱宽度窄、线性度好、可实现动态单纵模等优

16、点。作为例子，MQWDFBLD结构示意图如图1所示。圈1 MQW-DFB-LD结构示意图DFB结构MQW结构323峰值波长和中心波长peak wavelength and center wavelength在发射光谱中，辐射强度(或光功率密度)最大的波长，称为峰值波长。在发射光谱中，最高强度(或幅度)的so处两点中心所对应的波长，称为中心波长。324光强度直接调制directly modulation of optical power density调制电信号直接控制激光器驱动电流，使激光器输出光强度随调制电信号的幅度而变化的一种调制方式。325光功率一电流曲线optical power-cu

17、rrent curve激光器输出光功率和其驱动电流之间关系(P-I)的曲线，如图2所示。其中，B处为光功率电流3GBT 21548-2008曲线扭折(the kink)点。P-I曲线与激光器中PN结温度紧密相关。温度越高，J。h越大。二坦互圄2激光器-1曲线326阈值电流threshold current物理上，把激光器发射荧光和激光的交界点相对应的电流称为阈值电流；数学上，它为光功率一电流(PLf)函数二阶导数(d2Pd12)极值处所对应的电流。其示意图如图3所示。圈3激光器阈值电流定义示意图工程上，把与PLj曲线急剧变化的拐点相对应的电流称阈值电流。327斜率效率(或差分效率) slope

18、 efficiency激光器输出光功率差与其相应驱动电流差之比。即：S；PAI一(P。1一P。2)(101一102)斜率效率示意图如图4所示，它反映了激光器电光功率转换效率。4圈4激光器斜率效率示意圈GBT 215482008328调制电流modulation current加于激光器偏置电流之上的、与传输信号相关的控制电流(J。d)。它等于激光器总驱动电流与偏置电流之差。调制电流与时间(1modT)、光功率与驱动电流(P。一J)关系曲线如图5所示。图5 J。od-T、只-I关系曲线329光功率一驱动电流线性度optical power-driving current linearity激光器

19、光功率一驱动电流曲线通常存在不同程度的非线性。光功率一驱动电流线性度定义为，在10lmod处的光功率(P1)至100Imod处的光功率(P。)范围内，实际输出光功率(P实际)与拟合线性光功率(Prom)的最大偏差(P)，与拟合线性光功率(P线性)的比值LPI(绝对值)，即：LpI一(P宴际一P墁性)P拽性=APP线性LpI示意图如图6所示。GBT 21548-2008。*Z夕，*7lIh! Id ，厂L_J白图6光功率一驱动电流线性度示意图3210动态单纵模dynamic single longitudinal mode由于激光器谐振腔的作用，在垂直和平行于光传输方向上存在横模和纵模。横模表现

20、为横向光斑分布，纵模表现为光谱分布。在激光器光谱中，若光强度仅存在一个极大值，就称为单纵模。如果激光器在高速直接调制情况下仍然保持单一纵模，就称为动态单纵模(DSLM)。在工程应用中，常把在高速直接调制下其边模抑制比大于35 dB的激光器，称为动态单纵模激光器。MQW-DFB-LD就是这种动态单纵模激光器。3211光谱宽度spectral width激光器光谱宽度有几种不同的定义；均方根谱宽(RMS)、FWHM谱宽和20 dB下谱宽。对于MQW-DFB-LD，主要采用FWHM谱宽和一zO dB下谱宽。在标准工作条件下，用测得的比峰值波长幅度下降一半或下降20 dB处光谱曲线上两点间的波长间隔来

21、表征其光谱宽度。前者称之为FWHM谱宽(或称一3 dB谱宽)，后者称之为-20 dB下谱宽。3212边模抑制比side mode suppre镕ion ratio在最坏反射条件时、全词制条件下，激光器光谱中主纵模光功率峰值强度(Pmo)与最大边模光功率峰值强度(P。1)之比的对数，即：SMSR=10 lg(P。0P。1)SMSR示意图如图7所示。图7边模抑制比示意图GBT 2 1548-20083213消光比 extinction ratio激光器在逻辑“1”高电平时的输出光功率A与逻辑0低电平时的输出的光功率B之比的对数，即：EX=10Ig(AB)3214相对强度噪声relative int

22、ensity noise半导体激光器由于伴随激光辐射时的自发发射和非均匀澈射、反射等原因，输出光功率会产生随机波动。这种随机波动可用相对强度噪声(RIN(w)来表示。即光强度随机波动的均方根值与平均光强度之比。理论上，可通过求解具有噪声项的速率方程而近似得出强度自相关函数C。，(r)，经傅立叶变换可求山RIN()：rRIN(o)一I Cpp(r)exp(iar)drJ这里，Cp，(r)为强度自相关函数。注；除上述原理性R1N(表式外，还有多种简化处理后的R1N(m)表式，如IEC 620072中35e)中RIN(m)表式为：RIN=(。一Na)(RLG，NIR(H)3215啁啾参数chirp

23、parameter单纵模激光器(如MQWDF昏LD)由于在高速调制时电流急剧变化，将导致激光器有源层中的载流子浓度急剧变化和激光器腔长变化，从而产生激光器发射波长的瞬时动态偏移。这种波长的瞬时动态偏移(亦即频率瞬时动态偏移)称为频率啁啾。频率啁啾可用啁啾因子a来衡量，其定义为：a一(d中dt)E(12P)(dPdt)这里中为光信号的相位，P为光功率。正啁啾参数相应于脉冲上升边的正频率漂移(蓝移)，而负啁啾参数相应于脉冲下降边的负频率漂移(红移)。3216载嗓比carrier noise ratio所传输的载波信号功率与相应带宽内的噪声功率之比。在多路复用的传输系统中，要直接测量每路信号的载波功

24、率，在最有利的条件下也是很麻烦的。因此，在CATV行业标准中，载噪比定义为载波电平的有效值与规定带内系统噪声电平的均方根之比，用dB表示。3217跟踪误差tracking error半导体激光器是温度敏感器件，温度不同，输出光功率也会有所不同。对半导体激光器来说在驱动电流相同、但管壳温度不同(T1、Tz)时激光器所发射并耦合输出的光功率(Pt、P2)比的对数，定义为跟踪误差(TE)，即：TE=10 lg(PlT1Pzr2)3218组合二阶互调composite second order intermodulaion由于激光器P-I曲线和探测器P一，的非线性，在模拟调制系统中将导致多个载波射信号

25、的失真。其中，组合二次互调失真定义为，落在被测频道内某频点上的所有二阶互调产物的总功率与该频道载波功率之比。7GBT 21548-20083219组合三阶差拍composite fiple beat由于激光器P-J曲线和探删器PiJ，的非线性，在模拟调制系统中将导致在多个载波射频信号的失真。其中，组合三次差拍定义为，落在被测频道内某频点上的所有三阶差拍产物和三阶互调产物的总功率与该频道载波功率之比。3220光回波损耗optical return loss入射光功率与反射光功率之比的对数。3221背光检测电流monitor response current采用PIN光探测器监测激光器背面发出的光

26、并转换的电流。激光器背面发出的光功率与正面发出的光功率有确定的比例关系。3222光线路码型optical line code根据ITUT G691和YDT 1017-1999，数字光通信系统光接口的线路码型，规定为加扰二进制不归零码(NRZ)。其扰码器要求参照YDT 7671995中相关规定。3223散射参数S11、s21在超高频和微波领域，一般不适用电流、电压、开路、短路等概念，而用“波”和“场”的概念来定义、测量和分析网络参数或特性。通常采用的网络参数是散射参数，即s参数，它分为s-。、sz。、s。z和s：，能直接地反映出网络的传输特性和反射特性。sll定义为，4端口网络的输出端口匹配时，

27、输入端口的反射系数，SZl定义为，4端口网络的输出端口匹配时，输入端口至输出端口的传输系数lSlz定义为，4端口网络的输入端口匹配时，输出端口至输入端口的传输系数；$22定义为，4端口网络的输入端口匹配时，输出端口的反射系数。对激光器等效网络测量而言，一般只测量S、S2t。其中S2t包含了传输损耗、带宽和带内平坦度等信息。3224静电放电防护阈值ESD threshold器件或电路所能承受的最大静电电压。4分类根据发射波长、传输速率、封装形式的不同，MQW-DFB-LD及其组件分类如表1所示。表1 MQW-DFB-LD及其组件分类分类方法 包古类别 注 释WDM光系统中通常有432个不同的按发

28、射波长 1 310IITi、1 550 nm、特定波长特定波长按传输速率 622 MWs、125 Gbs、25 Gbs、10 Gbs等按封装结构 蝶形等5测量方法GBT 21548200851 被测激光器组件形式光通信用高速脉码直接强度调制激光器一般做成组件进行测量或试验。根据内部元件数的多寡和封装外形，被测激光器组件形式分为同轴型组件形式和蝶形组件形式两类。激光器同轴型组件比较简单。它主要由激光器芯管、背光探测器、耦合光纤、电路元件、同轴底座和管帽构成。激光器蝶形组件内含较多元件。它主要由激光器芯管、背光探测器、徽透镜、光隔离器、热敏元件(热敏电阻和制冷器)、滤波和控制电路元件、耦合光纤和管

29、壳构成。被测激光器组件结构示意图的一个例子如图8所示。1光纤2后透镜l3光隔离器；4前微透镜5激光器芯管；6背光探涮器7热敏元件(热敏电阻和制冷器)I8控制电路I9管壳。围8被测激光器组件结构示意图52激光器特性(或技术参数)及分类激光器特性包括电学特性、光学特性、电一光特性、调制特性、噪声特性、温度特性。其技术参数分类如下：a)电学特性卜【，曲线、阈值电流、正向电压、串联电阻等。b)光学特性发射功率、峰值波长、光谱宽度、光场模式(横模、纵模)、边模抑制比、近场分布、光发散角度等。c)电一光特性p-!曲线、光电转换效率(包括功率转换效率、内量子效率、外量子效率、斜率效率)、PJ曲线线性度等。d

30、)调制特性(或瞬态特性)电光延迟时间、脉冲上升下降时间、张弛振荡、自脉动、脉冲过冲、跳模、眼图、码型效应(光脉冲幅度和宽度变化)等。e)噪声特性9GBT 21548-2008相对强度噪声(包括f)温度特性光功率(或阈值)一口激光器技术参数很多。i_一；N结发热藏凋制激光器及其表2 c制激光器的主要t 1j声等。温度、中值寿命等。要技术参数如表2所示。参数 符 参数 符号 单位阈值电流 I 动态光谱 出输出光功率 P 或dBm 消光比 EX dB峰值波长 Ac nm 一3 dB模拟带宽 BW MHz边模抑制比 SMSR dB 回波损耗 LB dB光谱宽度 FWHM、从(-20 dB下) 口_参数

31、(碉嗽) radians斜率效率 S0 相对强度噪声 RIN dBHz前向电压 Uf V 眼图串联电阻 Rs n 波长一温度瀑移 nmAT*上升下降时间 f，tf 光功率一温度变化 dBm&T*光过冲 跟踪误差 TE dB*自脉动频率 ， MHz 背光监涮电流 ，。 nA*电光延迟时间 光功率线性度 S1 dB载噪比 CNR dB*等效输，一 k pArtHz 组合_二阶互调CSO dBc电流密度组合三阶差拍 CTB dBc注：以上带“*”者工程上通常小测53测量条件及测量步骤531测量条件测量结果的精确性与测量条件紧密相关，测量前必须认真做好测量条件的各项准备。测量条件是指：被测物件及相关物

32、件的完好性；测量设备(或仪表)的准备和校准；测量环境条件的符合性等。5311环境条件要求半导体激光器是静电和温度敏感器件。测量时应采取防静电措施，如设备和仪表接地、触摸激光器时应佩带放静电腕带等；测量环境温度为1535CI湿度为25RH75RH：气压为正常大气压。5312测量设备和仪表要求测量前，应检定或校准所有测量设备和仪表的技术指标；检定或校准过的测量设备和仪表应在有效期内使用。本标准所用测量设备和仪表的主要技术指标见以下各条中规定。532光谱宽度、峰值波长、边模抑制比的测量5321测量设备和仪表本测量所用测量设备和仪表：a)光谱分析仪入射光波长范围：1 100 rlrfl1 700 nm

33、光波长分辨精度：小于02 rim!输入光功率范围：一40 dBm35 ps。c)光电(OE)转换器响应波长范围：1100 nm1 700 nm；带宽：根据实测速率选择适当带宽的OE转换器。d) 时钟恢复单元倍频器变频损耗：30Gb)标准光接收机见533id)；c)脉冲图形发生器见5351b)；d)光可变衰减器见532ic)；e)光功率计见5331b)；f)驱动电源见5321b)。5372测量框图眼图、消光比测量框图如图14所示。GBT 2 1548-2008图14高速激光器眼图消光比测量框图5373测量步骤a)按图14设置，连接好线路b)开启驱动电源，调节驱动电流到适当数值，加入脉冲图形发生器

34、#c)根据示波器的显示适当调整器件工作状态，使有显示正常的跟图d)从示波器上观察眼图，当眼图稳定后，按眼图标准模板来评估并读取消光比数值。538 s参数的测量5381测量设备和仪表本测量所用测试设备和仪表：a) 高速光波器件分析仪频率范围：130 MHz20 GH。；b)光可变衰减器见532ic)；c)光功率计见533Ib)；d)驱动电源见532ib)。5382测量框图S参数测量框图如图15所示。GBT 21548-2008图15高速激光器S参数测量框图5383测量步骤a) 按要求分别校准高速光器件分析仪的$21和sn程序；b)按图15配置，连接好线路；c)开启驱动电源，调节驱动电流到适当数值

35、ld)选取光器件分析仪的$11挡，记录测试结果；e)选取光器件分析仪的S21挡，调整驱动电流值，记录测试结果。539光回波损耗的测量5391测量设备和仪表本测量所用测试设备和仪表：a) 光回波损耗测试仪工作波长：1 310 nml 550 lgm；功率范围：6 dBm70 dBm；反射损耗：60 dB70 dB。5392测量框图回波损耗测量框图如图16所示。图16回波损耗测量框图5393测量步骤a)校准光回波损耗测试仪；b)按图16配置，连接好线路；c)记录光回波损耗测试仪上的数值。5310背光监测和跟踪误差的测量53101测量设备和仪裹本测量所用测试设备和仪表：】6a)温度循环箱控温范围：-

36、40100：温度精度：士3b)光功率计见5331b)c)背光取样电路d)电压表测量精度：土01 V，e)驱动电源见53Z1b)。53102测量框图背光监测和跟踪误差测量框图如图17所示。厂 温度循环箱 l IGST 21548-2008图17高速激光器背光监测和跟踪误差测量框圈53103测量步骤a)按图17配置，连接好线路；b)开启驱动电源，根据光功率计读数调节驱动电流到适当数值；c)记录光功率计读数并记录此时电压表的读数，经换算电压表读数即为激光器件的背光检测电流值Id)将被测器件放入温度循环箱中并设置相应温度值e) 当设定温度稳定后，调节驱动电流使此时电压表读数与先前记录的读数一致，并记录

37、调整后的光功率计读数；f) 比较两次光功率计读数，计算跟踪误差。53I 1 波长和光功率的温度变化的测量53111测设备和仪表本测量所用测试设备和仪表：a)脉冲图形发生器见53。51b)，b)光谱分析仪】7GBT 21548-2008见5321a)；c)光可变衰减器见5321c)；d)温度循环箱见53101a)；e)光功率计见5331b)f)驱动电源见5321b)。53112测量框图波长和光功率的温度变化测量框图如图18所示。曰昌j 9叵号l曰日图18高速激光器波长和光功率的温度变化测量框图53113测量步骤a)按图18配置，连接好线路；b)开启驱动电源，调节驱动电流到适当数值加入脉冲图形发生

38、器c)调整光谱分析仪，通入被测光，调节光可变衰减器到适当值，记录光谱信息和激光器件输出功率值；d)将被测器件放人温度循环箱中并设置相应温度值；e) 当设定温度稳定后，再次记录光谱信息和激光器件输出功率值；f) 比较两次测量数据，计算结果。5312相对强度噪声的测量53121测量设备和仪表本测量所用测试设备和仪表：a)光波信号分析仪工作频率范围：100MHz20GHz，工作波长：1 200 nm1 650 nm；b)驱动电源见5321b)。1 853122测量框图相对强度噪声测量框图如图19所示。GBT 2 15482008图19高速激光器相对强度噪声测试框图53123测量步骤a)按图19配置，

39、连接好线路fb)开启驱动电源，调节驱动电流到适当数值c)记录光波信号分析仪数据。GBT 215482008附录A(规范性附录)载噪比的测量方法A1激光器载噪比的测量A11测量条件所用测量设备和仪表为：多路信号发生器；光发射单元(光发射模块)；标准光接收机；频谱分析仪光功率计；滤波器；可变衰减器上述测量设备和仪表的技术指标，见第5章中相关规定。环境条件为：环境温度1535；环境湿度 25RH75RH；王境气压正常大气压。A12测量框图激光器组件载噪比的测量框图如图A。1所示，图A1 激光器载嗓比的测量框图A13测量步骤a)分别连接电源线，校准仪器设置各仪器和仪表初始状态然后按框图相互连线。b)把

40、多路信号作为调制信号接人被测激光器，把激光器或组件的输出信号接入标准光接收机调谐频谱分析仪找到被测载波，读出并记录载波峰值电平(记为A)。c)关掉被测载波，然后用频谱分析仪Mark游标测量并记录频道内能量的最小点(记为B)。d) 计算未修正的载噪比cNRl：CNRl一AB。e) 由于频谱分析仪测试中使用的中频分辨率带宽比载波的等效噪声带宽小，所以CNRl比实际CNR要小c，因此对CNRl要作出修正。如载波信号等效噪声带宽为575 MHz，频谱分析仪中频分辨率带宽为300 kHz，通过简单计算，CNRl比CNR小128 dB。f)频谱分析仪成形误差的修正。由于频谱分析仪通常都用对数放大器之类的成

41、形电路处理信号，噪声峰值相对其余部分噪声有所减小，应作出修正。一般修正值D为25 dB左右。g) 计算载噪比CNR：CNRCNRl一C=ABcD。20附录B(规范性附录)组合二阶互调和组合三阶差拍的测量方法B1 组合二阶失调和组合三阶差拍的测量B11测量条件所用测量设备为：多路信号发生器I多个激光器组件；标准光接收机；光衰减器；频谱分析仪；光功率计；上述测量设备和仪表的技术指标见第5章中相关规定。环境条件为：环境温度1535；环境湿度25RH75RH；环境气压正常大气压。B12测量框圈激光器及其组件的组合二阶互调和组合三阶差拍参数测量框图如图B1所示。GBT 2 1548-2008圈B1 激光

42、器组件的组合二阶互调和组合三阶差拍测量配置框图B13测量步骤激光器及其组件的组合二阶失调和组合三阶差拍测量方法和步骤如下：a)按图中所示进行电气连接和光路连接。b)给激光器及其组件适当施加偏置电流。注意，偏置电流不能超过其极限电流(一般小于200 mA)；用光功率计测量激光器组件的出纤光功率。c) 将多路信号发生器的射频信号作为调制信号，接入驱动电路中。d)调节光衰减器，使其光输出在标准光接收机所需的范围内。e) 将标准光接收机的输出接人频谱分析仪中。f)通过频谱分析仪测量相应频道的载噪比。g) 调节输入电平，使其载噪比大于规定值I然后根据频谱分析仪的读数，算出组合二阶互调和组合三阶差拍数值。

43、2】GBr 21548-2008跗录C(资料懦附录)激光器组件可靠性试验分类和试验方法c1可靠性试验分类激光器组件可靠性试验项目分为机械完整性试验、耐久性试验，特殊试验和电磁兼容试验。C2机械完整性试验、耐久性试验和特殊试验条件激光器组件可靠性试验条件见表c1所示。寝C1 激光器组件可靠性试验条件试验类别 试验项目 依据标准 试验条件条件B：对具有热敏电阻或温度补偿电路的PIN(或APD)前放组件为：5009，10 ms，5次轴机械冲击 MIL-STD-883E：2002向；对不具有热敏电阻或温度补偿电路的组件为：l 5009，0，5 ms，5攻轴向机械完整性条件A：209，振动频率20 Hz

44、2 000 Hz之间变变频振动 MIL-STD-883E：2007 化，4 min周期，在X、y、z三个方向各进行4次循环Telcoraia 8SC，85RH，1 000 hf或50C，85蹦RH，恒定湿热 GR一468一CORE3500 hTelcordia 环境温度85C，额定光功率或工作电压，时间高温寿命GR一468CDRE 2 000 h耐久性Telcordia 一40C85C，组件不加电100次循环，要求温度循环 温变率大于10Crain，高低温保持时间各大于GR一468一CORE30minTelcordia低温存储 一20。2 000 hGR一468一CORETelcordia特殊

45、试验 ESD防护 500VGR一468一COREC3机械完整性试验、耐久性试验和特殊试验方法激光器组件的可靠性试验方法参照Te|cordia GR一468一CORE等标准中相关项目进行。C4机械完整性试验、耐久性试验和特殊试验的失效判据机械完整性试验、耐久性试验和特殊试验的各项试验完成后，在相同测试条件下，出现以下任意一种情况，即判定试验不合格。a) 组件外壳封装破裂或有裂纹、尾纤折断或脱落等；b) 激光器组件不能正常工作；22GBT 21548-2008c) 激光器组件光接口或电接口技术指标不能满足行标、企标或其他相关的规范性文件中规定的要求。C5关于电磁兼容试验激光器组件的电磁兼容试验，可

46、参考：GBT 1762621998GBT 1762631998GBT 1762641998OBT 176266 1998电磁兼容电磁兼容电磁兼容电磁兼容试验和测量技术试验和测量技术试验和测量技术试验和测量技术静电放电抗扰度试验；射频电磁场辐射抗扰度试验；电快速瞬变脉冲群抗扰度试验；射频场感应的传导骚扰抗扰度试验。CnT 215482008附录D(资料性附录)激光器组件产品检验方法(或规则)激光器组件产品检验分为出厂常规检验、抽样检验与型式检验。D1出厂常规检验所有出厂的激光器组件产品都应该进行常规检验，检验项目如下。D11光电指标测量激光器组件在额定工作条件下工作，其测量指标应符合相应的行标、企标或其他规范性文件中规定的光接口及电接口技术指标要求。D12高温老化检验在最大额定工作环境温度下，激光器组件于正常工作状态，老化时间至少应为24 h。老化后测试指标，其测量结果应该符合相应的规范性文件中规定的光接口及电接口技术要求。D2抽样检验批检验抽样方法按GBT 2829进行