GB T 17574.11-2006 半导体器件 集成电路 第2-11部分 数字集成电路 单电源集成电路电可擦可编程只读存储器 空白详细规范.pdf

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1、ICS 3 1. 200 L 56 中华人民圭t-、不日国国家标准GB/T 17574. 11-2006/IEC 60748-2-11 : 1999 QC 790108 半导体器件集成电路第2-11部分:数字集成电路单电源集成电路电可擦可编程只读存储器空白详细规范Semiconductor devices-Integrated circuits Part 2-11 : Digital integrated circuits一Blank detail specification for single supply integrated circuit electrically erasable

2、and programmable read-only memory (IEC 60748-2-11:1999 ,IDT) 2006回12-05发布中华人民共和国国家质量监督检验检瘦总局中国国家标准化管理委员会,-, 2007-05-01实施发布中华人民共和国国家标准半导体器件集成电路第2-11部分:数字集成电路单电蘸集成电路电可擦可编程只读存储器空白详细规范GB/T 17574.11-2006/IEC 60748-2呵11，1999铃中国标准出版社出版发行北京复兴门外三星河北街16号邮政编码，100045网址电话，6852394668517548 中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷各地新华书店经销

3、4峰开本880X 1230 1/16 印张1字数25千字2007年3月第一版2007年3月第一次印刷4峰书号，155066 1-28947 定价16.00元如有印装差错由本社发行中心调换版权专有僵权必究举报电话:(010)68533533G/T 17574. 11-2006/IEC 60748-2-11 : 1999 前言系列国家标准半导体器件集成电路中的数字集成电路部分分为如下几部分:一-GB/T17574-1998(半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路)(idt IEC 60748-2: 1985) 一-GB/T5965-2000( A IIIl2J A IIL(I) A Iu_, 2

4、 A IOH A GB/T 17574. 11-2006/IEC 60748-2-11 : 1999 续表特性条件4)符号最小值幡最大使囊单位输出低电平电流VCCm. , VOLA IOL mA 输出高电平电流(漏电流)2) VCCm础，VOHA IoHx A 输出低电平电流(漏电流)2) V CCmax , V OLB IoLx A 一态输出的输出高电平漏电流(若适用)V CCmax , V OHn IoHZ A 一态输出的输出低电平漏电流(若适用)V CCmax , V OLA IoLz A 输出短路电流3】VCC旧，VO=OVIos mA 1) 适用时。2) IoHx和IoLx仅适用于集

5、电极开路或源极/漏极开路)的输出，这种情况下它代替IoH;fIlIOL。3) 应规定持续时间和最多可允许同时短路的输出端。4) 应规定电源电压使相关特性测量处于最坏情况下。5) 对于某些参数的测试对器件编程是必要的。4峰代数值。适用时，下列信息应加以规定:有些端子既可做输入端也可做输出端，应规定相应的条件。6.2 动态特性特性条件1)符号最小值最大值单位地址有效时间ta(AJ ns 片选允许有效时间t.(E) ns 读操作有效时间2)t. ns 一一地址有效到输出一一允许到输出一一一离开备用态后到输出输出有效时间2)tv ns (数据保持有效时间)一一允许后输出一一地址不再有效后一一输出允许结

6、束后一一进入备用态后禁止及允许时间幻tdis ns 对于三态输出ten 二态输出及关断状态从输出允许转换开始读周期时间盯ta(Rl ns 时钟频率Z】 MHz 1) 应规定测试条件及负载电路。2) 适用时。6.3 时序固应给出时序图，包括完整信号集表明每个电路模式的操作。应注明需要用户了解的任一时间间隔5 GB/T 17574. 11-2006/IEC 60748-2-11: 1999 以确保存储器正常工作。所有6.2规定的参数都应在时序图中给出。6.4 电窑特性条件输入电容(适用时)Vcc=O V 输出电容(适用时)Vcc=O V 6.5 写/擦除耐久性一一-编程周期的次数l 特性写/擦除耐

7、久性1) 对每个可寻址单元6.6 数据保持时间操作特性数据保持时间7编程的操作如果编程时陆最电压，输7. 1 特地址建立时间写脉冲宽度地址保持时间数据建立时间数据保持时间写周期时间7.2 页擦除及页写操作(适用特性地址建立时间写脉冲宽度地址保持时间数据建立时间数据保持时间写周期时间字节负载周期时间6 一一t，(n1 t f.dm tsu(Al tw(Wl th(Al tsu( Q) thDJ t ,(Wl t ,DLl 符号最小值最大值单位Cin pF COt pF 最大值单位周期1)单位y 同，则应规是最是或最小值。最大值单位噩剧lns 黯醒1ns 皇宫盟ns 草草i国ns , ns , n

8、s 最小最大值单位 ns ns ns ns ns ms s GB/T 17574. 11-2006/IEC 60748-2-11: 1999 7.3 擦除/编程详细规范应给出擦除(使存储器为初始逻辑状态)及编程(写存储器)的方法及条件。8 机械和气候的额定值、特性和数据见分规范12.209 附加资料作为最少设计数据可选下列附加资料。一一热阻。应包括对应于推荐最严酷一一抗扰度(输入、电参考点产生的最高温度。一一一电源电压。应给出控制信号括脉冲电摞)内的电掘电流(或者;辑用时随电压)的典型变化(适用时)。一一负载一一电源-一一频率;11. 1 鉴定批准程见总规范3.1 11. 2 能力批准程序高工

9、作温定值，除见总规范3.11.J12 结构相似性程序C见分规范第6章13 试验条件和检验要求13. 1 总则13. 1. 1 电气和功能测试的通用条件见总规范4.3.1.测试程序是产品规范的一部分。制造厂应向NSI(国家标准机构证明功能测试程序是充分的，参照制造厂给出的定义(功能、试验范围等LJ该资料应在制造厂和NSI间保密，没有制造厂允许不得公开。7 GB/T 17574. 11-2006/IEC 60748-2-11: 1999 13. 1. 2 功能验证13.1.2.1 总则见总规范。13.1.2.2 功能定义和验证在详细规范第3章中应尽可能详细地描述集成电路实现的功能。应用制造厂的测试

10、程序进行功能验证，这个测试程序是产品规范的一部分。制造厂应向NSI保证程序对于该目的是充分的，另外，还应向其保证通过测试程序的功能验证在整个电掘电压和工件幅度范围内是有效的。NSI可以要求制造厂说明测试程序及其任一变化，但该资料是保密的。NSI有权向被制造厂的认可的专家咨询。t在诙程序中，功能验证不在详细规范中描述。13.1.2.3 编程能力和擦除能力的评定这些试验在A2分组按下列条件进行:在编程和擦除条件有效时对器件样品进行编程并且再进行擦!垛，由详细规范规定(见本空白详细规范7.1和7.2)。在擦除后，用于编程的图形在变化状态中至少对50%的二进制单元进行编程，已编程的二进制单元应均匀地分

11、布在芯片的整个存储器区域。判据:当存储单元之一受到一个编程/擦除操作，而编程操作没有改变其逻辑状态，则认为该器件不合格。13.2 抽样要求和检验批构成抽样要求:见分规范第9章和总规范3.7DA组试验应选AQL体系。检验批:见分规范第9章。13.3 检验表除另有规定外，试验在25DC下进行。标有(D)的试验是破坏性的。标有(ND)的试验是非破坏性的。表1A组逐批检验分组检验或试验试验条件A1 外部目检见IEC60747-10 ,1 99 1, 4.2. 1. 1 A2 2S.C的功能验证(除另有规定外)按本规m13.1 A2a 最低和最高工作温度下的功能验证(不适用于I类)1)2S.C下静态特性

12、见本规范6.1 A3 对于输出参数，应给出预置顺序和负载。若需要应规定未用输人端电平最低和最高工作温度下静态特性IlT,mb = T,mb max和T，mbminA3a 2S.C下动态特性见本规范6.2(除另有规定外)2) 在规定的控制序列图中给出电压、输入信号A4 的序列和组合及由此产生的输出波形。规定基本时序条件的适当值及输出负载8 极限值见本规范6.1极限值可以与A3分组不同见本规范6.2 GB/T 17574. 11一2006/IEC60748-2-11: 1999 表1(续)分组检验或试验试验条件极限值最低和最高工作温度下动态特性T,mh = T，ml】hmax和T，mmin极限值可

13、以与A4分A4a (不适用于I类)1)条件同A4组不同1) 如果制造厂能定期证明2个极限温度下的试验结果与25C下的试验结果相关，则可使用250C下的结果。2) 当需要对未编程的器件进行检验时，需要使用检验巳编程器件的下列方法之一:a) 要对足够多的样品编程，以满足囚的分组条件，进而符合A组检验的样品数量要求。或b) 如果通过另外的测试路径(行、列)，可使存储器电路的输出级在高低电平间切换，也是允许的。制造商应对这种附加的测试路径(行、列)加以充分的说明。表2B组逐批检验分组检验或试验引用标准详细条件极限值B1 尺寸IEC 60747-10 , 1991, 4. 2. 2 见本规范机械描述(N

14、D) 和i附录BB2c 电额定值验证不适用B4C D) 可焊性lEC 60749 :1 984 , 2 ,2. 1 按规定浸润良好B5 温度快速变化CND) a)空封器件温度快速变化，随后:IEC 60749 , 1984.3 ,1. 1 10次循环电测试(A2，A3)同A2和A3同A2和A3密封细检漏I配60749:1 fJ1-1. 3 ii. 2或5.3按规定密封粗检漏lEC 60749 , 1984 , 3 ,5.2.6 按规定(D) b)非空封和环氧封接IEC 60749 , 1984 , 3 ,1. 1 10次循环的空封器件外部目检IEC 60747-10 , 1!川)1.-1.2.

15、1.1稳态?显热lEC 60749 :1 98 -1, 3 , 4C 严酷度3，变化度为C电测试A2和A3同A2和A3同A2和A3B8 可编干1 I 见本规范14.3 对于H类和皿类见本规范第14条(ND) 器件应按特定图形编程，至少应选择两种图形，以便使每个位置都被编程一次，这是棋盘图形及其位置。最终测试，A2 , A3 (D) 电耐久性见分规范12.3168 h.按分规范12.3 见分规范12.3 和(适用时)12.4CRRL 按剖，固和B8分组提供计数检查结果。1) 编程能力测试是作为电耐久性测试的预处理。9 GB/T 17574.门-2006/IEC60748-2-11: 1999 妇

16、z检验或试验C1 C2c(D) l瞬态能最额定值C3(D) I 31出端强度C4(D) 1 i耐焊接热C5(ND) |温度快速变化a)空封器件温度快速变化，随后:电测试(A2、A3)密封细检漏密封粗检漏(D) 1 bl非密封和环的空封器件验一检期一周一组一一准C一一标3一用表一寻详细条件极限值ob n, 1马，肉u内udVA 叮44。rHB一创录一定C附一规田和一按按规定按规定按规定-。，。咽A白，句，-nLAA-，往哩。-oondnMU l-AUdvn叫A哇ahqt巧nunu nhU庐huCC EE -同A2和A3C7(四|稳，3，5.2或5.3C6C D) C8(D) 1 000 h qF

17、 A一和nru-A一性试一久后测一耐随电一电同A2和A3见分规范12.3C9 D) 高温储存IEC 60749 , 1984 , 3, 2 Cll(ND) I标志耐久性C12(ND) I输入电容C13 I输出电容(适用时)(ND) IEC 60749 , 1984 , 4, 2 按规定且本规范6.4见本规范6.4见本规艳6.4见本规范6.4CRRL I按C3，C4，C5，C6，C7.C8.C9和C11分组提供计数检查结果。10 G/T 17574. 11-2006/IEC 60748-2-11 : 1999 表4D组周期检验分组检验或试验引用标准D8a(D) 电耐久性u见分规范12.3D8b

18、写/擦耐久性见分规范12.3及本规(0) 范14.2D8c 数据保留检验见本规范14.1(D) 1) D组成验应在鉴定批准后立即进行，其后一年进行一次。13. 4 延迟交货见IEC60747-10:1991中3.6. 7的规定。14 附加测量方法14. 1 数据保持试验(破坏性试验)按试验系按照D8c分组实施，抽样为n=8,c=l 0 一一在整个存储器写入测试图形。一一试验在动态条件下完成，器件加电。一一持续时间:1 000 h，温度:150.C。一一最终测试t检查存储器内容是否丢失。试验条件应在详细规范中描述详细条件I类器件:不适用E类器件:2000h E类器件:3000h 条件:按分规施1

19、2.3和(适用时)12.4I类器件:不适用E类器件:10 皿类器件:105 见本舰在1;14.114.2 写入(擦除)耐久性试验z编程的次数(破坏性试验)。该试验按D8b分组施行，抽样为:n=8，c=la一一-试验过程:向整个存储器写入测试图形。.擦除存储内容。在详细规雨中规定循环次数一一终点测试:验证功能(分组A2)。14.3 编程能力测试该试验系按分规m:分组B8依下列条件施行:极限值见分规范12.3 见分规范12.3 见本规植14.1 对参与电老炼的样品进行编程，样品的数量随PDA(允许不合格品率)而增加，器件制造厂应选择编程测试的状态，使每一项参数处于编程模式的允许范围之内，按真值表编

20、程并将其写人存贮器应能够使至少50%的二进制单元的状态改变，应注意的一点应使内部地址译码电路，将编程单元均匀分布在存储芯片表面。编程样本大小(即样品数量)由下式确定:设:SE=电老炼样品数目PR=PDA百分数Sp=计算出的考查编程能力的样品数ggJTNt叮ho国DON-二.寸hmhFH阁。G/T 17574. 11一2006/IEC60748-2-11 : 1999 5,= 主L一向上取整，(如果不是整数)(1-Pj) 设上式向上取整的结果为5，则可接收的判据为(计算值)编程以后最大的失效数=PjX 5(允许的数)如果结果不是整数，向下取整为可接收的数目，向上取整为拒收数目。注:如果一个器件的一个单元经编程以后，该处的逻辑状态不发生改变，则该器件被认为失效则:版权专有侵权必究4峰n AaAnud oom nru-句占四国nhum nhu AUE RUm FUM14帽2 号一价书一定16.00元G8/T 17574. 11町2006