GB T 17551-1998 识别卡 光记忆卡 一般特性.pdf

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1、中华人民共和国国家标准识别卡光记忆卡一般特性发布实施国家质量技术监督局发布前言本标准等同采用国际标准识别卡光记忆卡一般特性本标准由中华人民共和国电子工业部提出本标准由电子工业部标准化研究所归口本标准起草单位电子工业部标准化研究所本标准主要起草人冯敬冯惠李韵琴蔡怀忠陈云峰前言国际标准化组织和国际电工委员会建立了世界范围标准化的专门系统或的国家成员团体通过国际组织建立的各个技术委员会参与制定针对特定技术领域的国际标准和技术委员会在共同感兴趣的领域合作其他与和有联系的官方和非官方的各国际组织也参与此项工作在信息技术领域和建立了一个联合技术委员会即由联合技术委员会提出的国际标准草案需分发给各成员团体进

2、行表决作为国际标准的发布至少需要的成员团体投票赞成国际标准由联合技术委员会信息技术的分委员会识别卡及相关设备制定引言本标准是描述光记忆卡的参数以及如何使用这些卡存储和交换数字数据的一系列标准之一这些标准承认用于记录和读取光记忆卡上的信息存在各种不同方法光记忆卡的特性对所采用的记录方式来说是明确的一般而言这些不同的记录方法不能相互兼容因此以一种一致的方式制定这些标准来包容现有的和将来的记录方法本标准是光记忆卡的通用标准适用于某种特定记录方法的特性将出现在一些独立的标准文件中这些文件定义了符合加入和或不符合此相关的基本文件的范围中华人民共和国国家标准识别卡光记忆卡一般特性国家质量技术监督局批准实施

3、范围本标准规定了在卡上存储数据从卡上读取数据以及在信息处理系统中光记忆卡的物理光学和数据交换能力所必需的信息本标准定义了光记忆卡的一般特性包括卡的材料结构特性尺寸和测试环境这些特性已经被确定为适用于所有类型的光记忆卡且与所使用的记录方法无关本标准的意图是为对在光记忆卡上编码的数字信息交换感兴趣的卡制造商发卡者和卡用户提供必要的信息本标准可作为计划开发使用光记忆卡的设备和系统的厂商和用户的指南卡的数据内容及其使用依赖于每个工业组织开发的应用引用标准下列标准所包含的条文通过在本标准中引用而构成为本标准的条文本标准出版时所示版本均为有效所有标准都会被修订使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可

4、能性识别卡物理特性识别卡带触点的集成电路卡第部分物理特性识别卡测试方法定义本标准采用下列定义可访问的光区域可以由所用光系统的读和或写光束进行访问的光记忆卡的任何部分背景反射率以特定波长通过位于相邻光迹导轨中间的透明层所测得的可访问光区域的未写未格式化部分的反射率背景透射率以特定波长穿过卡的有效写和或读位置所测得的可访问光区域的未写未格式化部分的透射率光束直径光层表面上测得的激光束直径的双折射使不同偏振的入射光波通过材料产生不同的折射波的一种材料属性在双折射材料中折射率是各向异性的即光透过这种材料所产生的折射率取决于传播方向和偏振平面见光延迟卡驱动把信息写进光记忆卡和或从光记忆卡检索信息的写和或

5、读机制冒码存入光记忆卡和或从光记忆卡检索过程中的一种差错表现为读出的二进制数字不是先前写入和或预格式化的漏码存入光记忆卡和或从光记忆卡检索的一种差错表现为不能读出先前写入和或预格式化的二进制数字入射面读和或写光束首先照射的卡表面出射面读和或写光束射出的卡表面曝光时间材料被照射或受辐射的时间量就光记忆卡来说它是指写每个比特时激光器接通的时间长度格式化为在使用卡期间向卡驱动提供参考信息而在使用前写入和或预先格式化到卡中的信息例如光迹导轨光迹导轨地址扇区地址地址的差错检测块时钟相位同步基准或上述全部光层位于透明层与保护层之间的光记忆卡的特定层它包含可以通过光学手段写入和或返回读出数字数据的特定的材料

6、光记忆卡含有使用外部光能可以写入和或读出数字数据的可访问光区域的卡光路径长度当通过反射写入和或读出时光线从卡表面到光层表面以及返回的实际通路长度乘以透明层的折射率当通过透射写入和或读出时光束在入射面和出射面之间通过的卡的各种成分的物理通路长度与其折射率的积之和光延迟穿过双折射材料后与给定传播方向相关的两个相互正交的偏振平面波之间相位上发生的变化通常以为单位光延迟双通路通过光记忆卡透明层的入射和反射后测得的光延迟预格式化数据在卡制造过程中所写入的任何数据保护层光记忆卡中相对于透明层位于光层的另一侧的一种材料它能够为光层提供保护和增加机械强度保护层可能是透明的脉冲宽度在写操作期间激光器被供电的时间

7、量见曝光时间读功率通常以为单位表示的激光功率它用来从可访问光区域读出数据最大读功率在保证不损坏可访问光区域的条件下以特定的波长光束尺寸和中等线性速率从可访问光区域读出数据的最大读功率反射率在光记忆卡上的标准入射角处以特定波长穿过透明层所测得的反射光与入射光之比通常以百分比表示光迹导轨预格式化的线通常反射率低在它们之间写入数据透射率在特定写入和或读出位置以特定波长测得的透射光与入射光的强度比通常以百分比表示透明层光记忆卡中让光束透过它写入和或读出数字数据的特定层写功率以特定波长光束尺寸和中等线性速率向可访问光区域写入信息所需要的大约激光功率写入数据的光点大小光层中因一位的写入而引起光学上变化的区

8、域的有效直径结构卡结构在中规定可访问光区域的横截面见图注绘图未按比例图在可访问光区域处光记忆卡的横截面尺寸卡的高度和宽度在中规定卡的厚度在中规定卡的角在中规定卡的边在中规定物理特性注适用于以下特性的某些特殊测试方法正在研究之中在这些测试方法成熟的时候将会加入到本标准中附加物附加的带触点的集成电路芯片分接点凸印磁条材料和或签名条材料应不改变光记忆卡的特性至这样的程度卡在正常使用过程中可访问光区域变得不满足本标准规定的特性变形属性在中规定卡的翘曲在中规定射线在中规定污染卡不应包含使可访问光区域移动和或改变至如下所述程度的成分在卡的正常使用过程中可访问光区域可能变成不满足本标准对其所规定的特性可燃性

9、在中规定注在中定义的测试方法不适用特殊的测试方法正在考虑之中有毒性在中规定紫外线在中规定光透射值本标准中规定了涉及各种应用所要求的光透射值弯曲属性在中规定耐化学性在中规定大气要求当卡处在下列环境中仍能根据本标准工作或的气体浓度低于盐的浓度低于耐用性在中规定在温度和湿度方面尺寸稳定性和翘曲度在中规定缺省试验环境和条件以及下列条件适用大气压力冷凝结露不允许附加特性附加的物理特性可以根据所使用记录方法适用于光记忆卡详见特定记录方法的标准可访问光区域的大小和位置光记忆卡中的可访问光区域的大小和位置根据所用记录方法可以改变详见特定记录方法的标准光属性和特性光记忆卡的光属性和特性依据所用记录方法可以改变详见特定记录方法标准逻辑数据结构在光记忆卡上存储信息所使用的逻辑数据结构定义了在卡上组织和安排信息如何编码数据使用什么样的差错检测和纠错方案如果有的话使用什么样的标记结构来限定这些数据以及使用什么样的信道编码等等的方法为了正确地将写入光记忆卡的数据编码和将从光记忆卡读出的数据解码了解这些结构是必要的所使用的结构与所使用的记录方法的类型是密切相关的一般情况下不同的记录方法是彼此不兼容的详见特定记录方法的标准