GB T 13178-1991 金硅面垒型探测器.pdf
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1、UDC 539.1.074.5 F 88 -昌中华人民共和国国家标准GB/T 1 31 78- 91 金硅面垒型探测Partially depleted gold silicon surface barrier detectors 哭1991-04-11发布1992-05-01实施国家技术监督局发布中华人民共和国国家标准金硅面垒型探测器1 主题内容与适用范围Partially depleted gold silicon surface barrier detectors GB/T 13178-91 本标准规定了部分耗尽金硅面垒型探测器(简称探测器)的分类、技术要求、测试方法、检验规则等。本标准
2、适用于部分耗尽金硅面垒型探测器不包括位置灵敏探测器。铿漂移金硅面垒型探测器也可参照执行。2 引用标准GB 5201 带电粒子半导体探测器测试方法GB 10257 核仪器与核辐射探测器质量检验规则3 术语、符号、代号3. 1 术语3. 1. 1 面垒型半导体探测器surface barrier semiconductor detectoJ 由表面上的反型层产生的结形成势垒的半导体探测器。3.1.2 耗尽层灵敏层)depletion lanyer 半导体探测器中构成灵敏体积的一层半导体材料,粒子在其中损耗能量的绝大部分对输出信号均有贡献。3.1.3 部分耗尽partial depletion 耗尽
3、层深度小于半导体材料基片的厚度。3. 1. 4 灵敏面积sensitive area 探测器中辐射最易进入耗尽层的那部分面积。3.1.5 半高宽(FWHM)full width at half maximum 在仅由单峰构成的分布曲线上,峰值一半处两点的横坐标之间的距离。3. 1. 6 能量分辨率energy resolution 探测器对能谱高度分布FWHM的贡献包括探测器漏电流噪声以能量单位表示。3.2 符号、代号3.2.1 对Z41Am源5.486MeV的粒子,使用标准电子学设备,成形时间常数为0.5s时,表示整个系统的分辨率(keV)。3. 2. 2 在3.2.1同样条件下,表示由脉冲
4、产生器信号峰的半高宽(FWHM)近似的R粒子的分辨率(keV)。3.2.3 EJ、Ez国家技术监督局1991-04-11批准1992-05-01实施1 GB/ T 13178-91 分别代表能量为5.486MeV及5.443MeV。3. 2.4 N1, N2 分别代表能量EJ、E2所对应的道数。3.2. 5 N. 以道数表示的241Am源5.486MeV粒子峰的半高宽。3.2.6 N 以道数表示的产生器信号峰的半高宽。4 产品的分类4.1 产品的外形及结构尺寸产品按外形和结构的不同分成A型、B型和C型。产品的外形见图1,结构尺寸见表1。 A型结构B型结构C型结构图1部分耗尽金硅面垒型探测器表l
5、部分耗尽金硅面垒型探测器结构尺寸口1口1灵敏面积标称值A型结构B型结构C型结构mm2 w C H D C H D C H D 7 3. 0 16 25 5.6 18 19. 4 50 8.0 15 18 19. 4 100 11.3 19 25 26.1 12 7.0 150 13. 8 22 6.0 25 26. 1 7. 6 9. 9 200 16.0 24 30 31. 6 16. 5 300 19. 5 29 30 31.6 450 23. 9 37 36 34. 8 600 27.6 42 7.5 38. 4 900 33.9 52 4. 1.1 产品B型、C型结构中所用电缆插座与国
6、际Microdot电缆插座相同。GB/T 13178- 91 W公差为士0.5mm, C、H、D公差为士0.3mm。环形探测器孔直径通常为4mm,也可为6mm.8 mm或其它。4. 2 产品的标记产品的标记由型号及技术特性代号两部分组成,其表示方法如下:GMIA-一一xx一一一xxx一一一xxxI 叫器的度表示探测器灵敏面积表示的数值表示部分耗尽金硅面垒型探测器加A表示环形,不加A表示圆形注z技术特性代号中的位数可根据实际情况扩展.4.3 产品的规格及系列部分耗尽金硅面垒型探测器系列由圆型和环型部分耗尽金硅面垒型探测器系列组成。产品按其不同的灵敏面积,耗尽层深度及对粒子的分辨率而分类,圆形和环
7、形探测器的分类分别列于表2与表3。3 表2见原文。目叶44叫-2环形部分耗尽金硅面垒型探测器的分类及主要性能保证的最保证的最总面积大分辨率最小耗尽层深度,m大分辨率最小耗尽层深度,m(包括keV keV 孔面积mm2 100 300 500 1 000 1500 2000 自 。标记标记标记标记标记标记50 17 9 GM1A-17-050-100 GM1A-17-050-300 GM1A-17-050-100 18 10 GM1A-18-050-1 000 GMIA-18-050-1500 GM1A- 18-050-2 000 100 18 10 GM1A-18-100-100 GMIA-1
8、8-100-300 GM1A-18-100-500 19 11 GM1A-19-100-1000 GM1A-19-100-1 500 GM1A-19-100-2 000 150 19 12 GM1A-19-150-100 GM1A-19- 150-300 GM1A-19-150-500 20 12 GM1A-20-150-1 000 GM1A-20-150- 1 500 GMIA-20-150-2 000 200 20 14 GM1A-20-200-100 GM1A-20-200-300 GM1A-20-200-500 21 14 GM1A-21-200-1 000 GM1A-21-200-1
9、 500 GM1A-21-200-2 000 300 21 14 GM1A-21-300-100 GM1A-21-300-300 GM1A-21-300-500 22 15 GM1A-22-300-1 000 GMIA-22-300-1 500 GM1A-22-300-2 000 450 25 20 GMIA-25-450-100 GM1A- 25-450-300 GMIA-25-450-500 25 20 GMIA-25-450-1 000 GM1A-25-450-1 500 GM1A-25-450-2 000 表3注:表中、R值是孔径4mm探测器的.u、GB/T 13178-91 5 技术
10、要求5. 1 外形、尺寸与外观要求5. 1. 1 探测器的外形、尺寸应符合4.1。5. 1. 2 探测器的灵敏面应光滑平整,所涂胶环应均匀美观,不应有拉丝,胶环宽度应不影响有效面积。金层要完整、无划痕,灵敏面上应有保护盖。5.1.3 对A型结构探测器,软引线应完整,焊点要牢固,无虚焊、脱焊现象。硬引出电极应清洁光亮并配有固定螺丝。5.1 . 4 对B和C型结构的探测器,电缆插座应拧紧并无破损。5.2 主要技术性能5.2.1 圆形和环形部分耗尽金硅面垒型探测器在基准条件下的主要技术性能分别见表2和表3。5.2.2 探测器的电流-电压特性、电容电压特性、噪声、死层能量损耗、灵敏层厚度等性能由各制造
11、厂家给出。5. 3 探测器对环境条件的适应性5.3.1 探测器工作的温度范围探测器工作的温度范围为一20+300C,在此温度范围内分辨率值不超过基准条件下的20%。5.3.2 探测器的真空性能探测器可在1.4X 10-4 Pa条件下工作,分辨率值不超过基准条件下的20%。5. 3. 3 探测器在非工作状态下般经下列环境条件之后,仍能稳定工作。a. 温度:在一300C和+50C下,分别放置4h; b. 湿度:在湿度为(85:!:D%,温度为28+20C下放置24h。包膜、灌封的探测器的湿度可提高到(95=D %; c. 振动:加速度10g,频率50Hz,试验时间20min; d. 冲击:加速度1
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