GB T 10118-2009 高纯镓.pdf
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1、ICS 7715099H 66 a雪中华人民共和国国家标准GBT 101 182009代替GBT 10118一19882009-iO-30发布_l Ej同 纯 镓,U,憎High purity gallium20100601实施宰瞀髋鬻瓣警糌瞥星发布中国国家标准化管理委员会促19刖 吾本标准代替GBT i01181988(高纯镓。本标准与GBT 10118一1988相比,主要有如下变动:增加了检出杂质元素的种类;降低了原标准中检出杂质元素的含量;引入了MBE级牌号高纯镓;对原标准的试验方法进行了修改,增加了辉光质谱法等。本标准的附录A为资料性附录。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提
2、出。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。本标准负责起草单位:国瑞电子材料有限责任公司。本标准参加起草单位:南京金美镓业有限公司。本标准主要起草人:于洪国、邢志国。本标准所代替标准的历次版本发布情况为:GBT 10118-1988GBT 101182009高 纯 镓GBT 1011820091范围本标准规定了高纯镓的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存及订货单(或合同)内容等。本标准适用于以纯度不小于9999的工业镓为原料,经电解精炼、拉制单晶或其他提纯工艺制得的纯度不小于99999 9的镓。产品供制备化合物半导体材料和高纯合金。2规范性引用文件下列文件
3、中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。YST 474 ICPMS分析法测定高纯镓中的痕量元素3要求31产品分类产品按纯度分为Ga一06、Ga-07、MBE级三个牌号:Ga一06:表示镓含量不小于99999 9的高纯镓;Ga一07:表示镓含量不小于99999 99的高纯镓;MBE级:表示镓含量大于99999 999的高纯镓。32化学成分产品的化学成分应符合下列各表的规定:表1高纯镓Ga-06
4、化学成分化学成分(质量分数)牌号 Ga 杂质含量(10“),不大于不小于 Fe Si Pb Zn Sn Mg Cu Mn Cr Ni 总和Ga_06 99999 9 3 5 3 3 3 3 2 3 3 3 100注1:表中镓百分含量为100减去表中所列杂质含量(质量分数)的总和;注2:表中未列的其他杂质元素,可由供需双方协商确定。表2高纯镓Ga-07化学成分化学成分(质量分数)牌号 Ga 杂质含量(10-6),不大于不小于 Fe Si Pb Z11 Sn Mg Cu Mn Cr Ni Na Ca 总和Ga_07 99999 99 05 05 05 05 05 05 02 03 05 05 05
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