GB T 14145-1993 硅外延层堆垛层错密度测定干涉相衬显微镜法.pdf
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1、中华人民共和国国家标准硅外延层堆垛层错密度测定干涉相衬显微镜法Test method for stacking fault density 01 epitaxlal layers 。fsillcon by Interference-contrast microscopy 1 主题内容与适用范围GB!T 14145-93 本标准规定了使用干涉相衬显微镜非破坏性测量硅外延层堆垛层错密度的方法。本标准适用于硅外延层厚度不小于3m、外延层品向偏离lll晶面或100晶面角度较小的试样的堆垛层错密度测量.当堆操层错密度超过15000cm-2或当外延层晶向与111晶面或100晶面偏离角度较大时,测量精度将有
2、所降低。2 引用标准GB 2828 逐批检查计数抽样程序及抽样表(适用于连续批的检查3方法提要用干涉相衬显微镜,根据物体表面微小的高度差或倾斜,呈现出不同明暗衬度或色衬度而显示无明显光吸收的硅表面的精细结构,以一个合适的放大倍数观察外延生长表面9个规定测量位置上的堆垛层错数。在每个测量位置上,对所观察到的层错,包括单条直线、不完整多边形及完整多边形进行计数。测量显微镜的视场直径,从9个测量位置上测得的层错数的总和及显微镜的视场直径可计算出试样的外延层堆垛层错的密度。4 测量仪器4. 1 干涉相衬显微镜,物镜840X.目镜10X左右,带刻度的X-y载物台,刻度精确Jo. 5 mmo 4.2 测微
3、标尺,1mm 1*,最小分度。.01mm;5 mm t去,最小分度0.05mm。4.3 螺旋测微计或游标卡尺,精确到0.1mmo 5 试验样品5. 1 测量试样的选取从一批硅外延片中按GB2828计数抽样方案或商定的方案抽取试样。5.2 参比样品的选取5. 2. 1 在干涉相衬显微镜下观察未腐蚀过的有堆垛层错的硅外延片,从中选取参比样品。5.2.2 按检测步骤6.2.16. 2. 7条,一片至少测5次。计算该片层错密度的平均值及相对标准偏差。5.2.3 将相对标准偏差不大于25%的硅外延片作为参比样品,供校对使用.5.2. 4 重复以上步骤,使得对于每种晶向、每个十进制位的堆垛层错密度至少收集
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