SJ 20016-1992 半导体分立器件GP、GT和GCT级3DG182型NPN硅小功率高反压晶体管.详细规范.pdf

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1、一1 范围1-, 中华人民共和国电子行业军用标准半导本分立器件GP、GT和GCT级3DG182型NPN硅小功率高反压晶体管详细规范内容Semiconductor discrete device Detail specification for NPN silicon low-power hiht-reverse-voltage tlansistor for type 3DG 182 GP、GTand GCT classes SJ 20016 92 一一本规范规定了3DG182型NPN硅小功率高反压晶体管以下简称器件)的详细要求。该种器件均按GJB33 85b2 D Dl mm 6. 10 0.

2、407 8.64 8.01 引出端极性z1.发射极2.基极3.集电极A3-02B nom 5.08 单位:mmmax 6.60 1. 01 0.508 9.39 8.50 j I O. 712 I O. 187 I 0.863 K 0.740 L 12.5 Ll VEBO (V) 5 Ic (mA) 300 1. 14 25.0 1. 27 7 &.tll和Tj(C) 一一-一SJ 20016 92 1.4 主要电特性CTA=25C) 参数型号-_.-符号(单位)-一丁割试条件hFE1 3DG182 lc=lmA -一一一一-一一一hFE2 VcE-2V 3DG182 lc-50mA hFE3

3、 VcE-2V 3DG182 Ic=100mA 一-一一hFEt VcE-2V 3DG182 I Ic -200mA VcE-I0V fr (扎在Hz)Ic =20mA 3DG182 王三30MHzVCEMd (V) Ic-200mA 3DG182 J!I =20mA V BE:.t)1 (V) |Ic 200mA 3DG182 In-20mA 注:1)脉冲法(见4.5. 1) 2 引用文件3 GB 4587 84 GB 7581-87 GJB 33 85 GJB 128 86 3. 1 详细要求极型晶体管测试方法半导体分立器件外形尺寸半导体分立器件总规范半导体分立器件试验方法各项要求应按GJ

4、B33和本规范的规定。3.2 设计、结构和外形尺寸极最小值12 35 30 25 70 器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3. 2. 1 引出端材料和涂层限值180 1 1. 2 引出端材料应为柯伐。引出端表面涂层应为镀金、镀锦或程锡。对引出端材料和涂层要求选择或另有要求时，在合同或订单中应明确规定(见6)。3.3 标志-3一SJ 20016 92 器件的标志应按GJB33的规定。4 4. 1 抽样和抽样和检验应按GJB33和本规植的规定。4.2 鉴定鉴定栓验应按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级)选应按GJB33表2和本规范的规定下列测试应按本规范表1进

5、行，超过规定极限值的器件不应接收。选见GJB33表2)试GT和GCT级试-4副部阴一数一化一试参一老一测间一率一后中一功一最-h nxUudICol和hFE4见4.3.1 按本规范表1的A2分组;1 .lcBo1 =初始值的100%或O.1p.A，取其较大者F.hFE4 =士20%4.3.1 功率老化条件功率老化条件如下zTA-25士3CVcB=40VC3DG182A) Vc=70V(3DG182B、C)VcB=125VC3DG182D、E)P tc.t = 700m W 4.4 质注2不允许性捡风冷.一致性检验应按GJB33的规定进行。4.4. A组检验A组检验应按GJB33和本规范表1的规

6、定进行。4.4.2 B组检验B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量(1)要求应按本规范表4的步骤进行。4.4.3 C组检验C组检验应按GJB33和本规施表3的规定进行。最后测试和变化量(.)要求应按本规范4的步骤进行。4.5 检验甜试验方法检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定。一-4一句一一一8J 20016 -22 咱4. 5. 1 脉冲测试陈冲测试应按GJB128的3.3.2.1的规定。表1A组检捡! 丫极眼值;TPD!符号一一一斗单位一;芝堕j更芝便iL 中Tdai GB 4581 条法i方检验或试验一一GJB 128 卜一一一E 飞J2071 Al分组外观

7、和机械检验一一V V(BR!CBO 5 292li发射极基极开路A2分组电极-基极击穿电Ic=100A 压60 3DG182A V V 飞f100 3DG182B 140 3DG182C V 180 3DG 182D 220 3DG182E V(BR)CEO 发射极由基极开路本规植集电极白发射极击穿Ic=lmA 附录A电压V 60 3DG182A V V 100 140 3DG182B 3DG182C V V 180 220 V A r u hMmi 电极-基极开路2. 2 3DGIR2D 3DG182E 发射极因基极击穿电压Icl IE= 100A 发射极基极开路2. 1 集电极-基极截止电

8、流VcB=60V 3DG182A Vcn= 100V 3DG182B Vcn=140V ! VcB=180V 3DG182C 3DG182D Vcn=220V A 一-._j- -_._. 一一一i一，_.-2 ICE01 发射极-基极开路2. 14 3DG182E 集电极-发射极截止电流5 l VCEE叫OVVcE=lOOV 3DGl&?A VcE=140V 3DG182B 3DG182C VcE=180V -巴旦兰2坐一止一3DG:t 82D 3DG182E SJ 20016 92 一续表1A组GB 4587 检验或试验一一一一一一一发射极基极载止电正向电流传输比正向电流传输比正向电流传输

9、比正向电流传输比集电极-发射极饱和压降基极【发射极饱和压降A3分组高温工作:集电极如基极3DG182A 3DG182B 3DG182C 3DG182D 3DG182E 低温工作:止电流正向电流传输比一-6 -一方法i条件2.2 电VEn 2. 8 I VCE lc= 2.8 I V CE lc= 2.8 I V CE lc= 2.8 I VCE lc-脉冲2.3 Ic= 11n= 脉冲2.41Ic= ln= 脉冲极基极开路=5V =10V lmA =2V 50mA =2V 100mA =2V 200mA 法(见4.5. 1) 200mA 20mA 法(见4.5. 1) 1 WOmA 20mA

10、法(见4.5. 1) |TA=+150 2. 1 发射极-基极开路Vcn=40V Vcn=65V Vcn=90V Vcn=150V TA= 55C 2.8 i Vcn=2V ,lc=2J Om 脉冲法(见4.5. 1) 极限值LTPD 符号|最小值1最大值单位IEBO 1 A hFE1 12 hFE2 35 hFE3 30 hFE4 25 180 V CE(.t) : l V VnE(剧1.2 V -刷一甲一一句一句-5 ICB02 100A hFE5 12 一一一二SJ 20016驼A组检验1 续GB 4587 鞋限值l或试验号单位-.一|最小值最大值方法条件一寸一一一-A4分组5 开路输出

11、电容2. ll. 3 VCE -lOV .Ic= 0 Cobo 15 pF f-1MHz 恃2. ll. 2 lcE-10V./c=20m队fT 70 MHz f=30MHz A5，A6和A7分组不适用LTPD B组检验GJB 128 表2检验或试验件条方法15 2026 B1分组可焊性标志的耐久性10 F U 一一斗一见表4，步骤i、3和41051 107 :. 1027 T，=-25C土3C/1飞or=100mW.Vcll=40V 3DG182A VclI=70V I VCll = 125V |不允许器件加散热器或强迫风拎u见表4，步骤2有150 下一一一一一-一一一2075 I 3DG1

12、82B、ClJ qJ 9 nu i B2分组热冲击温度密封:a.细b.粗检捕试z的分组搓、态工作寿命l每批一个器件.0失效20(C=O) 7 -一一牛一一一自检标准按鉴定时的设计3DG18ZD、E最后测试!- t 圳分组 开帽内部日检设讨验证合强度I 2037 一一一一一-一一一一一牛_.L一一叫一一一SJ 20016-92 续表2B组检验GJB 128 检验试验LTPD !方法条件-一一B5分组不适用一一.B6分组高温寿命1032 TA=2000C 7 (不工作见表4.步2和5试:表3C组检验GJB 128 检验或试验LTPD 方法条件C1分组15 外形尺寸206C 见图1C2分绍，10 热

13、冲击玻璃应力)1056 试验条件A引出强度2036 试验条件E密封:1071 a.细检b.粗检漏综合温度/温度1021 周期试验外观及机械检验2071 后测试:见表4.步1、3和4C3分组10 冲击2016 振动2056 亘定加速度2006 最后试:见表4.步骤1、3和4C4分组15 E用时)1041 一一一-C5分组不适用吁一一一L一一一一一一8一检验或C6分组态工作3DG182A 3DG182B、CSJ 20016 92 3 C组方法1026 件TA 25士3C,Ptot 700mW V40V VCB 70V 3182D、EI I VCB 125V 不允后测试:1. I 见表4，步骤2和5

14、表4B组和C组的最后测试步GB 4587 极限符号方法|条件1 I 电极电I 2. 1 1;发射极基极3DG182A I VcE-60V 3DG182B I VCE 100V 3DG182C I VCE 140V 3DG182D I VcE-180V 3DG182E VCE 220V 2 I 电极基极电流2. 1 发射极基极开路lCBOl 3DG182A IV-60V 3DG182B I VcE-100V 3DG182C I VcE-140V 3DG182D I VCE= 180V 3DG182E VcE-220V 3 I 电极发射极饱和压2. 3 Vc 200mA I lcE(川l18 20

15、mA LTPD =10 位1 |A 2 A 1 V 4 I正向电比2.8 VcE-2V hFE( 25 180 I lc=200mA 冲法(见4.5.1) 5 I正向电比I 2. 8 I v，俨2VMFE(l) 初始值的lc 200mA 士25%冲法见4.5. 1) 注，1)对于本A 应接收.9一SJ 20016 92 5 交货包装要求应按GJB33的规定。6 说明事项合同或订货定要求的引出见3.2.1)0一10一A1 目的SJ 20016一-92附录A电极-发射极击穿电压测试方法(补充件本测试的目的是为了在规定的条件下，确定晶体管的击穿电压是否大于规定的最低极限值。A2 测试电路见图AlRI 电压源乓E十lc 图A1集电极-发射极击穿电压测试电路A3步电阻器Rl为限流电阻，应足够大，以避免过度的电流流过晶体管和电流表。在发射极-基极开路的条件下，增加电压直至达到规定的测试电流。如果在规定的测试电流下所加的电压大于V(BR)CEO的最低极限值，则晶体管为合格。附加说明1本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出。本规范由中国电子技术标准经研究所归口。本规范由中国电子技术标准化研究所和国营八二三一厂共同负责起草。本规范主要起草人g王长福、龚云、葛毅妮。计划项目:B 91022。一-11一-