SJ 20012-1992 半导体分立器件GP、GT和GCT级CS4型硅N沟道耗尽型场效应晶体管.详细规范.pdf
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1、1范中华人和子行业军用标准半导体分立器件GP、GT和GCT级CS4型硅N沟道耗尽型场效应晶体详细规范Semiconductor discrete device Detail specification for silicon N-channel deplition mode field effect transistor of type CS4 G p , G T and GCT c1asses 1. 1 主题内容SJ 20012 92 本规范规定了CS4型硅N沟道结型场效应晶体管以下简称器件的详细要求,按GJB33 8525C时,按1.33mW /.C的速。-. 2一A a #1 b2 D
2、D1 J K L L1 VG吕(V) 30 引出端极性:1.摞极2.漏极3.栅极单位:mmA3-01B 口11nnom 口lax4.32 5.33 2.54 L 01 O. 407 O. 508 5. 31 5.84 4.53 4.95 O. 92 1. 04 I 1. 16 0.51 1.21 12. 5 25.0 1. 27 句_. lcF l.mb和T町一J一一.-一-一一-(mA) (C) 一一-10 55+175 SJ 20012. 92 1.4 主要电特性(TA-25C) 参数型号极限值_.-_ 符号(单位测试条件值大值/ossl) (mA) Vos-10V CS4C 1 3.5
3、V一0CS4D 3 10 CS4E 8 20 CS4F 18 30 CS4G 28 40 V GS(off) (V) Vos-10V CS4C 4 /D=lA CS4D 4 CS4E 8 CS4F 8 CS4G 8 Vos=10V /D-3mA F2) (dB) 所有型号5 f=30MHz RG=lMO Vos=10V CS4C 2000 5000 IYfoll1) (S) /D=3mA f=lkHz 其他型号3000 8000 Vos=lOV C Z , . CpF) /D=3mA 所有型号6 f-1MHz Vos=10V c.2、r . (pF) /D=3mA 所有型号3 f=lMHz V
4、os=10V CS4C 12 Gn.2) CdB) /D=3mA CS4D P f-30MHz 其他型号15 注:1)脉冲法(见4.5. 1). 2) C档,在VGS=O条件下测试。2 引用文件3一GB 4586 84 GB 7581 87 GJB 33 85 GJB 128 86 3 要求3. 1 详细要求SJ 20012 92 场效应晶体管测试方法半导体分立器件外形尺寸半导体分立器件总规范半导体分立器件试验方法各项要求应按GJB33和本规艳的规定。3.2 设计结构和外形尺寸件的设计结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3. 2. 1 引出端材料和涂层引出端材料应为柯伐。引出端表面涂层
5、应为镀金、镀锡或浸锡。对引出端材料和涂层要求选择或另有要求时,在合同或订货单中应明确规定(见的。3.3 标志器件的标志应按GJB33的规定。4 证4. 1 抽样和检验抽样和检验应按GJB33和本规范的规定。4.2 鉴定检验鉴定检验应按GJB33的规定。4.3 筛选(仅对GT和GCT级)选应按GJB33表2和本规范的规定。下列测试应按本规范表1进行,超过规定极限值的器件不应接收。选测试试GJB33表2GT和GCT级3.热冲击低温应为55C,南温应为十175C 5.密封不要求6.高反不要求_._.-. 7.中间测试IGSS1、Inss和/YI.L一一一8.电老化见4.3. 1 一一一一一.-.-一
6、-_-后测试本规范表1的A2分组;9. b.1nss=初始值的士10%; b./YI/l一初始值的士20%4. 3. 1功条件VGS- 24V; V凶=0;TA=150C 4.4 致性检验4一SJ 20012 92 质量一致性检验应按GJB33的规定进行。4. 4. 1 A组检验A组检验应按GJB33和本规范表l的规定进行。4.4.2 B组检验8组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。表4的步骤进行。4.4.3 C组检验C组检验应按GJB33和本规程表3的规定进行。表4的步辄且川。4. 5 检验和试验方法检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定。4.5. l脉冲测试脉冲测试应按GJB12
7、8的3.3.2.1的规定。表1A组GB 4586 检验或试验LTPD 方法条件A1分组GJB 128 5 外观和机械检验2071 -一一一一一A2分组5 栅,惊击穿电压G1 漏惊短路IGs=lA Vns=O 源截止电流2. 1 漏源短路Vn5=0 VGS= -10V 零栅压极电流3 源短路Vns= 10V VGS=O 脉冲法(见4.5. 1) CS4C CS4D CS4E CS4F CS4G 栅F摞止电压5 Vns=10V Ins=lA 一._.-后测试和变()要求应按本规范后测试和变化量()要求应按本规范极值符号位小值V(BR)s 30 V IGSS1 10 nA lre电1 3.5 mA
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