SJ 20011-1992 半导体分立器件GP、GT和GCT级CS1型硅N沟道耗尽型场效应晶体管.详细规范.pdf

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1、FL 5961 、，、型L回1 ，晶Semiconductor discrete device SJ 20011 92 Detail specification for silicon N channel depIition mode field effect transistor of types CSl、CS4、CS10GP ,GT and GCT cI asses 1992-02-01发布1992-05-01实施中国电子工业总公司批准1范中华人民共和国电子行业军用标半导体分立器件GP、GT和GCT级CS1型硅N沟道耗尽型场效应晶体详细规范Semiconductor discrete de

2、vice Detail spcification for silicon N channel deplition mode field effect transistor of type cS1 GP. GT and GCT classes 1. 1 主题内容SJ 20011 92 本规程规定了CSl型硅N沟道结型场效应晶体管(以下简称器件的详细要求，该种器件按GJB33 8525C时，按O.66mW;-C的速率线性降酬。n - ;, 一一SJ 20011 92 1.4 主要电特性(TA=2SC)参数型号符号单位试条件CS1A loss1) (mA) Vns=10V CSlB Vos一0CS1

3、C CS1D CS1A Vos坦10VCS1B V GS(of) (V) lD=1A CS1C CS1D Vos=10V lD-0.3mA F2) (dB) J听布型号f 1kHz RG=1MO CS1A Vos-10V CSlB 1 Yb 11 1) (S) Vos=O CS1C f-1MHz CS1D V凶-10VCi.(pF) VGS=o 所有型号f 1MHz 、Vns=10V C,.(pF) VGS 。所有型号f=1MHz 注:1 )脉冲法(见4.5.口。2) A档，在VGS=O条件下测试。2 引用文件GB 4586-84 GB 1581-87 GJB33-85 GJB128-86 场

4、效应晶体管测试方法半导体分立器件外形尺寸半导体分立器件总规范半导体分立器件试验方法极值小值大值0.03 0.35 0.3 1. 2 l 3.5 3 10 4 4 4 6 5 300 2000 500 3000 1000 4000 1500 5000 4 2 一3SJ 20011-92 3 3.1 详细要求各项要求应按GJB33和本规范的规定。3.2 设计结构和外形尺寸的设计结构和外形尺寸应按GJB33和本规范的规定。3.2.1 引出端材料和涂层引出端材料应为柯伐.引出端表团涂层应为镀金、镀锡或漫锡。对引出端材料和涂层要求选择或另有要求时，在合同或订货单中应明确规定(见6)3.3 标志器件的标志

5、应按GJB33的规定。4 ，足，4.1 抽样和检验样和检验应按GJB33和本4.2 鉴定检验鉴定G!B33的规定。4.3 (仅对GT和GCT级范的规定。筛选应按GJB33表2和本规艳的规定。下列测试应按本规范表1进行，超过规定极限值的器件不M接收。筛选i则试或试验GJB33表2GT和GCT级3.热冲击低550C，高温应为+175(;5.密封不要求6.高温反偏不要求-t 7.中间试hSS1、lres和1YI. 11 8.电老化见4.3. 1 9.最吕试本规范表1的A2分组;/:;.1 DSS =初始4.3. 1 功率老化条件VGS- 24V; Vos=O; TA=150C 4.4 质量一致性检验

6、检验应按GJB33的规定进行。4.4.1 A组检验的士10%; A组检验应按GJB33和本规范表1的规定进行。4.4.2 B组检验/:;.1 YI. 11 =初始值的士20%B组检验应按GJB33和本规范表2的规定进行。最后测试和变化量(/:;.)要求EE按本规觅一4一SJ 20011 92 表4的步。4.4.3 C组C组检验应按GJB33和本规范表3的规定进行.表4的步骤进行。4.5 检验和测试和变化量()要求应按本规拖方法应按本规施相应的表和下列规定。4.5. 1 脉冲测试脉冲测试应按GJB128的3.3. 2. 1的规定.表1A组极限一一一小值GB 4586 检验或试验符号单位方法条件A

7、1分组外观和机GJB 128 2011 5 A2分组5 击穿电压G1 短路V (R)(.SS I 30 I V lGs=一1A Vns=O 止电流2. 1 短路1 hSSl 10 I nA Vns=O VGS= 10V 压极电流|3 I 栅摞短loss Vos=lOV VGS=o 脉冲法(见4.5. 1) CS1A 0.03 o. 35 mA CSlB 0.3 1. 2 mA CSIC 1 3.5 mA CS1D I 10 mA 截止电压5 Vr、s=lOVI V GS(of) IDs= l1LA CS1A 4 V CS1B CS1C CS1D aaXA哇hu-一VVV A3分组高温工作g电5

8、 2. 1 .mb = 125 C 10岱Z-10 A DS-O，V-lOV 一5一SJ 20011一92牛世.一一一一一一一一一一续表lA组检验一一四皿事_._哑巴一十一检3金或试验A4分组止向跨导CSIA CSlB 巳SlCCSID 小倍号共源短路输入电容小信号共源短路反贺电容共摞点一一-A5和A6分组不适用一一一-A7分组低温工作:个信号共摞短路正向跨导CSIA CSIB CSIC CS1D 一6一j GB L586I I一一一丁一一一一一一-jLTPDi符号!为法!条件一一一一一5 10 Vns= l:V VGS一。1 Y. 11 f=lkHz 脉冲法见4.5.1) 7 Vns=lOV

9、 C蛐VGS一0f=lMHz 11 Vos=lOV Cr抽VG3口。f=lMHz 12 Vns= 101 F f= 1kHz R c; =lMf. A档:VGS=OB、C、D档:1n=0.3 mA T.mb= -55C 10 VDS=lOV 1 Yf.12 VGS=O f=lkHz 脉冲法见4.5. 1) 一一一一一一一一一一-一一一一极限小值一一一300 500 1000 1500 2000 3000 4000 5000 4 2 5 3000 4500 6000 7500 -单位S S S S pF pF dB S S S S SJ 20011 92 验一检-m组-lB-R 一Gq&田表一检

10、验或试验LTPD 方法条件B1分组可标志的耐久性2026 1022 15 B2分组10 热冲击温度循环1051 |试验条件C，为TA 55C TB一+175C 密封a.盟检1071 b.粗检试:见表4.步1、3和4B3分组态工作寿命高温反偏)5 试:1027 I TA=150C Vos=O VGS-一24V见表4，步骤2、3、4、5和6B4分组开帽内部观检(设计核实2075 每批一只器件，0失效2037 I试验条件A所有的内部引分别进行拉力试验20(C 0) B5分组不适用一一一B6分组寿命(不工作后测试7 1032 TA=175C 见表4，步骤2和6.一7一SJ 20011 9 验-1检-m

11、组-GC-检验LTPD 方法条件C1分组外形尺寸15 2066 见图1C2分组应力度10 1056 2036 1071 试验条件A条件E1021 周外检验2071 试见表4.1、3相4C3 10 冲击变频振动恒定后测试:2016 2056 2006 见表4.步骤1、3和4C4分组15 盐气(当需要进行时1041 C5分组不适用C6分组稳态工作寿(高温反偏) 10 TA=150C Vos=O VGS= 24V 见表4.步骤2.3.4.5和61026 试-8一SJ 20011 92 表4B组和C组的最后测试步GB 4586 极限值测试符号位方法条件小值1 栅源截企电2. 1 Iossl 10 nA

12、 Vns=O VGS= lOV 2 止电流2. 1 漏摞短路IGSS3 20 nA Vns=O VGS= 一，10V 3 零压电流3 摞短路Inss VD.= 10V VGS=O 脉冲法(见4.5. 1) CS1A 0.03 O. 35 mA CS1B 0.3 1. 2 mA CS1C 1 3.5 mA CS1D 3 10 mA 4 小信号共源10 V凶=lOV正向跨VGS=O ! YII 1 f=1kHz 脉冲法(见4.5. 1) CSIA 300 2000 S CS1B 500 3000 S CS1C 1000 4000 S CS1D 1500 5000 S 5 压极电流3 短路!1DSS

13、 Vns=lOV VGS=O 韧始值的士15%脉冲法(见4.5. 1) 6 小信号共摞短路10 Vns=lOV 正向导VGS=o f-1kHz I YI.ll 初始值的士25%脉冲法(见4.5. 1) 一9一SJ 20011 92 5 交货准包装要求应按GJB33的规定。6说明合同或订货单应规定要求的引出端材料和涂层(见3.2. 1)。如使用单位需要时，典型特性曲线可在合同或订货单中规定。CSl与厂用型号3DJ6对照:CSIA 3DJ6D CSIB 3DJ6E CSIC 3DJ6F CSID 3DJ6G、H附加说明:本规范由中国电子工业总公司科技质量局提出。本规拖由中国电子技术标准化研究所归口。本规拖由中国电子技术标准化研究所负责起吁，。本规范主要起草人:王长福、吴志龙、刘美英、张宗国。计划项目代号:B91017。一10一