SJ 1624-1980 微波铁氧体隔离器、环行器.总技术条件(暂行).pdf
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1、中华人民共和四机械工部标(暂行)SJ1624 80 1 9 8 0 、( s 中华人民共和国第四机械Z业部标准波铁氧体隔离器环行器总技(暂行)FHU-HH-. SJ1624 80 : 件牛t 1.二.- . .J 一一一、本总技术条件(以下简称总技)适用(以下简称器件),该器件可用于微波系统及设备中本总技分为( 1 )总则:( 2 )技术要求和试验方法:( 3 )验收规则1(4 )标志、包装4贮存和运m木总投贯彻下列标准( 1 )磁性材料与器件术语及定义2)电子元器件基本环境技术要求等级和试验方法总川( 3 )电子元、器件温度循环技术要求5J1258 77 5 Jt069 76 (暂行)等级和
2、试验方法5JI073 76 ( (4)电子元、器件恒定湿热技术要求等级和( 5 )电子元、器件和试验方法( 6 )电子元、和试验方法5J107576 ( 动技术要求等级5JI077一76(暂行)技术要求等级5JI078 76 (暂行( 7 ,)被导元件型号命名方法1.总则5J1632 80 1.1总技是制订产品标准的依据,产品标准是总挂的补充.产品标准中应包括下列内容:1.1.1特征及用途 -九J-华三月-自费4 共7页第2页SJ1821-80 由1.1. 2环撞条件i.1.3结构、外形尺寸和主要参数1.1.4技术要求和试验方法的补充规定1.1. 5验收规则的补充规定2.技术2.i本总技若无特
3、别规定,则所有试蹬均应在SJt069一76中规定的正常大气条件下进行i正常大气条件为12度:15 C,._, 35 C 相对湿度:45% ,.,80% 气压:650mmHg800mmHg 2.2结构、外形尺寸和重由2.2.1要求z器件的结掏、外形尺寸和重量应符合产品标准的规定.2.2.2.检查方法z用适当的量具、及观察法进行.2.3 2.3; 1要求z器件外表涂层应完好、清洁、无锈蚀、结构件应元松动,但允许有轻微的缺陷与损伤。2.3.2检查方法z2.4正向损糙+。2.4.1要求zzJ器件在规定的频率范围内,正向损槌应符合产品标准的规定.、F2.4.2试验方法s测量正向损耗时,系统按图1联接二测
4、量第i端口到第j端口的正向损耗时,器件其余各端口应接匹配负载,对同轴系统,匹配负载的电压驻披比应小于1.08,对披导系统,飞匹配负载的电压驻波比应小于1:05.被测器件未接入前,应先调整仪表及测试系统,测试系统应满足下列要求:从被测器件向负载端的电压驻波比应小于1. 05; 从被测器件向信号源端的电压驻波比应小于1.25.同轴测量线的剩余驻波比应小于1.06.波导测量线的剩余驻波比应小于1.02.调节信号度,使测量放大器的指示器指示在近满度处,设读数为A,然后接入被器件,设此时指示器读数为A,则测得第i端日军第j端口的正向耗为2也SJ1624 . 80 共T页第3页20. A fi+(叫)-;
5、 19丁( dB ) 、.,aE品,.、式中K为检波系统中检波晶体的检旋律.正I句损耗也可用其官适当的方法削且信号源隔离器器件l呻l检波系放图12.5反向损耗-2.5.1要求器件在规定的频率泡围内,反向损糙应符合产品标准的规定。2.5.2试验方法:测量反向损艳时,系统按图1联接.测量第j端口到第i端口的反向损耗时,器件其余各端口应接匹配负载,对同轴系,匹配负载的电压驻波比应小于1.08;对波导系统,.匹配负载的电压驻波比应小于1.050器件未接入之前,先调整测试系恤,足下列要求:从被测器件向负载端的电压驻波陆应小于1.0576协从被测器件向信号:原端的电压驻波比应小于1.250同轴测量线的剩余
6、驻波比应小于1.06,议导测量线的剩余驻波比应小于1.020接入被测器件,将精密可变衰减器置于某一衰减值,调节信号强度,使测量放大器指示读数,然后从系统中取出被测器件,调整精密衰减器,使测量放大器的读仍为原来读数,此时,精密器衰减的器二次衰减量之差即为被测器件节g端口至第r端口的反向损超反向损耗也可用其它适当的方法2.6电压驻波比s,( v . S. W. R ) 2.6. 1要求:器件在规定准的规定. 围内,电压驻波比应符合产品标2.6.2试验方法:测量也压驻波出时,系统按图2联接.在测量第i端口的电压驻波比时,其余各端均接匹配负载,对同轴系统,四配负的电压驻波比应小于1.饵,对被导系统I)
7、.匹配负载的电压挥披比应小于1. 05.测量之前,调节测试系统,测试系统应满足下列要求g同 共T页第4页SJHZ4 80 的剩余驻被比应小于1.06,披导测量线的剩余驻波比应小于1.02.测放大器分压系数取X10挡.测量时,移动测量线探针,使其置于驻点,调节信号强度,使测量放大器指示在近满度处,设读数为Amax,然后移动测量线探针至驻波节点,记下测量放大器读数为AmirI,则第i揣口的电压驻波比为:S4ZKV二担担Amln 式中K为检波晶体的检波律.信图22.7温度特性( 2 ) I ;被测.L t. . 量放大器画一一2.7.1要求:器件在规定的温度范围内有关技术指标的变化应符合产品都准的规
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