GB T 29504-2013 300mm 硅单晶.pdf

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1、ICS 29.045 H 82 中华人民共和国国家标准GB/T 29504-2013 300阻m桂单晶300 mrn monocrystaHine sHicon 2014-02-01实施2013-05-09发布发布中华人民共和国国家质量监督检验检菇总局中国国家标准化管理委员会飞叮叮俨号屿飞吨乱叫田WJ时回垫rhr呢中华人民共和国国家标准300 mm磕单晶GB/T 29504-2013 4峰中国标准出版社出版发行北京市朝阳区和平里西街甲2号(100013)北京市西城区三里河北街16号。00045)网址总编室:(010)64275323发行中心:(010)51780235读者服务部:(010)68

2、523946中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷各地新华书店经销祷开本880X 1230 1/16 印张0.5字数10千字2013年6月第一版2013年6月第一次印刷* 15号:155066. 1-47271定价14.00元如有印装差错由本社发行中心调换版权专有侵权必究举报电话:(010)68510107G/T 29504-2013 目。昌本标准按照GB/T1. 1-2009给出的规则起草。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。本标准起草单位=有研半导体材料股份有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所、万向硅峰电子股份有限公司、宁波立立电子股份有限公司。本

3、标准主要起草人:同志瑞、孙燕、卢立延、张果虎、楼春兰、刘培东、向磊。I GB/T 29504-2013 300 mm硅单晶1 范围本标准规定了直径300mm，p型、(100)晶向、电阻率0.5n . cm20 n . cm硅单晶的技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于由直拉法制备的硅单品，主要用于制作满足集成电路IC用线宽O.13m及以下技术需求的300mm硅单晶抛光片2 规范性引用文件下列文件对本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注目期的手|用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T 1550 非

4、本在E半导体材料导电类型测试方法GB/T 1551. 2009 硅单111，f!1阻率测定方法GB/T 1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀枪验方法GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法GB/T 1558 硅中代位碳原F含量红外吸收测量方法GB/T 11073- -2007 硅片径向电阻率变化的测量方法GB/T 14140 硅片直径测量)T法GB/T 14264 半导体材料术语YS/T 679 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法3 术语和定义GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。4 技术要求4. 1 直

5、径滚圆后的硅单晶直径为301mm，允许偏差士0.3mm。其他用户要求及未滚圆硅单晶的直径和允许偏差由供需双方商定。4.2 电阻率4.2. 1 硅单晶的电阻率和径向电阻率变化应符合表1的规定。表1硅单晶电学参数项目导电类型掺杂元素指标p 跚电阻率。.cm0.5-20 径向电阻率变化% 10 1 GB/T 29504-2013 4.2.2 径向电阻率变化如要求按照其他方案进行，由供需双方商定。4.3 晶向4.3. 1 硅单晶晶向为(100)晶向。4.3.2 硅单晶晶向偏离度不大于10。4.4 氧含量硅单晶的间隙氧含量应不大于1.0X1018原子数/cm3，氧含量的径向变化具体指标可按需方要求提供。

6、4.5 碳含量硅单晶的碳含量应不大于2X1016原子数/cm3，或由供需双方商定提供。4.6 晶体完整性4.6. 1 硅单晶的位错密度应不大于10个/cm2。4.6.2 硅单晶应元孔洞和裂纹等。4.6.3 硅单晶的其他缺陷要求由供需双方商定。4. 7 体金属(铁)含量硅单晶的体金属(铁)含量应不大于5X1010原子数/cm3，或由供需双方商定提供。4.8 头尾标记滚困后的硅单晶应有区分头尾的标记。5 试验方法5. 1 硅单晶的直径测量按GB/T14140进行。5.2 硅单晶导电类型测量按GB/T1550进行。5.3 硅单品的电阻率测量按GB/T1551-2009中直排四探针法进行。5.4 硅单

7、晶的径向电阻率变化测量按GB/T11073-2007的B方案进行。5.5 硅单晶的晶向及晶向偏离度测量按GB/T1555进行。5.6 硅单晶的氧含量按GB/T1557进行。5. 7 硅单晶的碳含量按GB/T1558进行。5.8 硅单晶的晶体完整性检验按GB/T1554进行。5.9 硅单晶的体金属(铁)含量按YS/T679进行。5. 10 硅单晶的头尾标记采用目视检测进行。6 栓验规则6. 1 检查和验收6. 1. 1 产品应由供方技术(质量)监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准的规定，并填写产品质量保证书。2 G/T 29504-2013 6. 1. 2 需方可对收到的产品按本标准的规定进

8、行检验，若检验结果与本标准(或订货合同的规定不符时，应在收到产品之日起三个月内向供方提出，由供需双方协商解决。6.2 组批硅单品以批的形式提交验收，每批应由按照用户要求的同一规格的硅单晶链组成。6.3 检验项目6.3.1 每根硅单品的检验项目有z直径、导电类型、晶向及晶向偏离度、头尾标记。6.3.2 供需双方协商一致，可对下列项目进行检验:电阻率、径向电阻率变化、氧含量、碳含量、晶体完整性、体金属(铁)含量。6.4 取样关于硅单晶的取样位置及取样数量的规定见表20表2硅单晶取样规定检验项目取样位置取样数量要求的检验或试验方章条号法的章条号直径任意逐根4. 1 5.1 导电类型任意逐根4.2 5

9、.2 +一一, 电阻率单品头尾每批产品随机抽取20%的试样，4.2 5.3 5根9根晶镀抽取2个试样，径向电阻率变化单晶头尾5根品键以下抽取一个试样4.2 5.4 帚嘈品向及品向偏离度任意逐根4.3 5.5 氧含量单品头部4.4 5.6 碳含量单晶尾部每批产品随机抽取20%的试样，4.5 5.7 5很9根晶镀抽取2个试样，晶体完整性单晶尾部或供箭双方协商位置5根晶徒以下抽取1个试样4.6 5.8 体金属(铁)含量单晶尾部或任意位置4.7 5.9 头尾标记任意逐根4.8 5.10 6.5 检验结果的判定6.5. 1 直径、导电类型、晶向及晶向偏离度和头尾标记有一项不合格，判该硅单晶为不合格。6.

10、5.2 电阻率、径向电阻率变化、氧含量、碳含量、晶体完整性、体金属(铁)含量检验结果有一项不合格，判该批产品不合格。7 标志、包装、运输和贮存7. 1 包装、栋志7. 1. 1 硅单晶用聚苯烯(泡沫逐根包装，然后将经过包装的晶键装人包装箱内，并装满填充物，防止晶键松动。7. 1.2 包装箱外侧应有小心轻放、防潮、易碎等标识，并标明=的FON-E可OmmNH闰。GB/T 29504-2013 需方名称、地点z产品名称、牌号z产品件数及重量(毛重/净重); 供方名称。运输、贮存产品在运输过程中应轻装轻卸，勿压勿挤，并采取防震防潮措施。产品应贮存在清洁、干燥的环境中。、，、.J、，J、，aLUCAU 7.2 7.2. 1 7.2.2 4 质量证明书每批产品应有质量证明书，其内容应包括:a) 供方名称:b) 产品名称及规格、牌号;c) 产品批号zd) 产品净重及单品根数;e) 各项参数检验结果和检验部门的印记;f) 出厂日期。8 版权专有侵权必究-A q qL q A哇-EA . pnuE COF AUB EG FKAVA- 号一价书一定14.00 Ji二GB/T 29504-2013 打印日期;2013年7月4HF002A