SJ 2572-1985 太阳能电池用硅单晶棒、片.pdf
《SJ 2572-1985 太阳能电池用硅单晶棒、片.pdf》由会员分享,可在线阅读,更多相关《SJ 2572-1985 太阳能电池用硅单晶棒、片.pdf(8页珍藏版)》请在麦多课文档分享上搜索。
1、111立R立目目SJ 2572 85 、,量早日日、1985-02-08发布1985-10一01实施中华人民共和国电子工业部发布中华人民共和国电子工业部部标准太阳电池用硅单晶棒、片SJ 2572一-85本标准适用于制造硅太阳电池用的硅单晶棒、片。硅单晶棒是用于制造硅太阳|电池的半导体材料。硅单晶片是用于制造硅单晶硅太阳14:1.池的基片。1 技术要求1. 1 硅单晶棒常规参数见表10表1内用掺杂导电电阻EF-山阳来ri,阻率径向不均匀度(0/0)位错密度寿命晶向中心值偏差范|节|j已素类型Q cm 个/cm2s Q cm (0/0) A B C 扩J可A言(11 1) / 元B P 10 +3
2、0 20 15 10 二80|可(100) 地P N (1 11) 国(100) / / 0.12.0 40 30 20 晶向的偏离方向丑。晶向的偏离方向乱。1 . 5 方片角度:角度为900:tO.5。1 . 6 硅单晶切片的外观要求1 . 6. 1 空间用硅太阳电池的方形,长方形基片要求表面无坑,一面囚JJl无崩边,另面允许崩边,但对崩边的要求为:不超过侧面厚度的二分之一,长度小子O.5mm , 向表面内的宽度小于0.2mm。崩边数为每回米内不大于1个,无掉角,四J:!1无缺口。1 . 6. 2 地面用硅太阳电池的方形,长方形,圆形基片要求一个表面无明显刀痕、凹坑、崩J:!1、掉角、无缺口
3、。1. 7 空间用硅单晶棒、片的其他技术要求如r:1. 7. 1 硅单晶棒、片不得有孪晶线、层错、角网络、IW结构、夹杂、空洞、fZ形结构,j:t宇结构等缺陷,除边缘2毫米国环外,截面其它部分不得有位惜持和小角度晶界。硅单晶棒端截面不应有氏度和宽度超过2mm,深度超过lmm的损伤。1. 7. 2 硅单晶棒、片中的反型杂质浓度规定见表4。表4反型杂质浓度等原子/crn3) 级A B C 单品类别(0 cm CZP型1二三50No 2. 2 x 1 0 1 :1 No 1. 5 x 1 0 1 3 NIJ三l.1x1012 FZP型1 二p二10No 1. 0 x 1 0 1 2 No5x1012
4、ND5x1012FZP型10100 No 1. 0 x 1 0 1 2 No l. OX1012 NIll. OX1012 FZP型100至3000ND2. 2x1012 ND2. 2x1012 ND2.2x10111. 7. 3 硅单晶棒、片中的金属杂质和氧、碳含量规定见表503 SJ 2572 85 表5杂质杂质铜(PPb)铁(PPb)银(PPb):含量中类单晶A B C A B C A 类别当lCZ sl sO. 1 z二O.1 至15s10 三5s10 FZ 三O.5 2二O.1 sO.08 三二5sl 三1三5纳(PPb)年:.()束了. .; cm3) A B C A B C CZ
5、 至5sl sl 至1.2x1018 三6x1017slx1017 FZ s5 至1至1slx1017 三二5x1016lx1016 1. 8 本标准以外的特殊产品,由供需双方协商解决。2 检测项目和测试方法B C 5二5三5至1至1A 至2x1017lx1017 名,1,;:(PPb) A B C 三15s10 2二5s15 至10三5碳()累了俗/cm3)B C E二5x1016lx1016 三5x1016slx1016 2. 1 本标准技术要求中第1.1、1.2、1.3、1.4、1.5、1.6、1.8. 1条为必测项目。2. 2 本标准技术要求中第1.8. 2、1.8. 3条为保证项目。
- 1.请仔细阅读文档,确保文档完整性,对于不预览、不比对内容而直接下载带来的问题本站不予受理。
- 2.下载的文档,不会出现我们的网址水印。
- 3、该文档所得收入(下载+内容+预览)归上传者、原创作者;如果您是本文档原作者,请点此认领!既往收益都归您。
下载文档到电脑,查找使用更方便
5000 积分 0人已下载
下载 | 加入VIP,交流精品资源 |
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- SJ 2572 1985 太阳能电池 用硅单晶棒
