1、111立R立目目SJ 2572 85 、，量早日日、1985-02-08发布1985-10一01实施中华人民共和国电子工业部发布中华人民共和国电子工业部部标准太阳电池用硅单晶棒、片SJ 2572一-85本标准适用于制造硅太阳电池用的硅单晶棒、片。硅单晶棒是用于制造硅太阳|电池的半导体材料。硅单晶片是用于制造硅单晶硅太阳14:1.池的基片。1 技术要求1. 1 硅单晶棒常规参数见表10表1内用掺杂导电电阻EF-山阳来ri，阻率径向不均匀度(0/0)位错密度寿命晶向中心值偏差范|节|j已素类型Q cm 个/cm2s Q cm (0/0) A B C 扩J可A言(11 1) / 元B P 10 +3
2、0 20 15 10 二80|可(100) 地P N (1 11) 国(100) / / 0.12.0 40 30 20 晶向的偏离方向丑。晶向的偏离方向乱。1 . 5 方片角度:角度为900:tO.5。1 . 6 硅单晶切片的外观要求1 . 6. 1 空间用硅太阳电池的方形，长方形基片要求表面无坑，一面囚JJl无崩边，另面允许崩边，但对崩边的要求为:不超过侧面厚度的二分之一，长度小子O.5mm , 向表面内的宽度小于0.2mm。崩边数为每回米内不大于1个，无掉角，四J:!1无缺口。1 . 6. 2 地面用硅太阳电池的方形，长方形，圆形基片要求一个表面无明显刀痕、凹坑、崩J:!1、掉角、无缺口
3、。1. 7 空间用硅单晶棒、片的其他技术要求如r:1. 7. 1 硅单晶棒、片不得有孪晶线、层错、角网络、IW结构、夹杂、空洞、fZ形结构，j:t宇结构等缺陷，除边缘2毫米国环外，截面其它部分不得有位惜持和小角度晶界。硅单晶棒端截面不应有氏度和宽度超过2mm，深度超过lmm的损伤。1. 7. 2 硅单晶棒、片中的反型杂质浓度规定见表4。表4反型杂质浓度等原子/crn3) 级A B C 单品类别(0 cm CZP型1二三50No 2. 2 x 1 0 1 :1 No 1. 5 x 1 0 1 3 NIJ三l.1x1012 FZP型1 二p二10No 1. 0 x 1 0 1 2 No5x1012
4、ND5x1012FZP型10100 No 1. 0 x 1 0 1 2 No l. OX1012 NIll. OX1012 FZP型100至3000ND2. 2x1012 ND2. 2x1012 ND2.2x10111. 7. 3 硅单晶棒、片中的金属杂质和氧、碳含量规定见表503 SJ 2572 85 表5杂质杂质铜(PPb)铁(PPb)银(PPb):含量中类单晶A B C A B C A 类别当lCZ sl sO. 1 z二O.1 至15s10 三5s10 FZ 三O.5 2二O.1 sO.08 三二5sl 三1三5纳(PPb)年:.()束了. .; cm3) A B C A B C CZ
5、 至5sl sl 至1.2x1018 三6x1017slx1017 FZ s5 至1至1slx1017 三二5x1016lx1016 1. 8 本标准以外的特殊产品，由供需双方协商解决。2 检测项目和测试方法B C 5二5三5至1至1A 至2x1017lx1017 名，1，;:(PPb) A B C 三15s10 2二5s15 至10三5碳()累了俗/cm3)B C E二5x1016lx1016 三5x1016slx1016 2. 1 本标准技术要求中第1.1、1.2、1.3、1.4、1.5、1.6、1.8. 1条为必测项目。2. 2 本标准技术要求中第1.8. 2、1.8. 3条为保证项目。
6、2. 3 儿何尺寸用能测准至0.01mm的任意量具测量。2.4 方片角度用投影仪测。2. 5 外观一般用目测，特殊情况下可用测量显微镜观测。2. 6 导电类刑，按GB1550一79硅单晶导电类型测定方法进行测试。2. 7 电阻率，按GB1552一79硅单晶电阻率直流四探针测试方法或GB1551一79直流探针测量方法或GB6615 86硅单晶片电阻率的直排囚探计测试方法D-X; SJ 2442-84 硅单晶片电阻率的直排四探针测试方法)llX; GB 6616 86 畔，单晶片电阻率的非接触式测试方法或GB6617 86硅单晶片白阻率的扩展电阻探针测试方法进行测试。2.8 少数载流子寿命，按GB
7、1553一79硅单晶寿命直流光电导衰退测量方法或SJ2443-84 硅单晶寿命的直流光电导衰退测试方法进行测试。2.9 位错密度，按GB1554一79硅单晶(111)位错蚀坑腐蚀显示测量方法及其附录硅单晶(100)晶面位错蚀坑腐蚀显示测试方法进行测试。2. 10 晶向，按GB1555-79 硅单晶晶向光图测量方法或GB1556一79硅单晶晶4 SJ 2572一85向x衍射测量方法进行测试。2. 11 旺单晶片的厚度、总厚度变化:按GB6618 -86 (硅单晶片厚度和总厚度变化的测试方法进行测试。2. 12陆单晶片的弯曲度:按GB6619 86 (硅单晶片弯曲度的按触式测试方法进行测试。2.
8、13旺单晶棒、片中的裂纹、损伤、原形结构和1井字结构、六角网络、lfE结构、层惜、孪晶线、夹杂、空洞、位错排丰11小角度晶界用日测和l金相法进行测试。2. 14反刑杂质浓度:按SJ2446-84 (非本征半导体单晶霍尔迁移率的测试方法进行测试。2. 15金属杂质含量:按SJ2445-84 (硅材料中金属杂质含量的堆中子活化分析方法进行测试。2. 16氧、碳含量:氧含量按SJ2444-84 (硅单品中间隙氧含量红外吸收测试方法进行测试。碳含量按GB1558一79(硅单晶碳含量红外吸收测量方法进行测试。3 检验规则3. 1 产品供货方的检验部门按本标准进行检验，并附有检验合格证。3. 2使用方收到
9、产品时，应根据产品发运单及时检查包装质量和l产品的完整性，凡因包装质量而造成的产品损坏，应在到货日起两个月内，向供货方提山交涉。3.3使用方在收到产品后，可按本标准规定进行验收，如发现产品不符合本标准时，在到货之日起三个月内向供货方提出。经双方协商后进行复验或聘请第三者仲裁。3.4 交收试验3. 4. 1 硅单晶棒的必测项目全检，不得有不合格品。3. 4. 2 旺单晶切片的交收试验应按GB2828-81 (逐批检查计数抽样程序及抽样表(适用于连批的检查)采用一次检查抽样方案进行抽样。交收试验项日及其检资水平、合格质量水平应按照表6规定。5 SJ 2572 85 表6项检fi 合格质量水、11.
10、目(lL) CAQL) % 导f类型O. 65 l包阻率l 厚度公差1 总厚度变化1 弯曲度II 缺口l 表崩边2 国JJ痕O. 5 质且扣卦主, l叮坑2 掉角O. 5 注:试验项目顺序不作规定。3.4.3 对判定为不合格批的产品，应将所有产品重新检夜，剔除或修复后才能再次提交。3. 5氧、碳、重金属杂质含量和反型杂质浓度，平年抽测一次。如果超过规定指标。由供需双方分析原因后，协商解决。4 标志、包装、运输、贮存4. 1 产品出厂必须附有合格证，合格证上应注明:a. 产品名称、牌号与编号:b. 各项必测技术指标:C. 片数:d. 直径:e. 检查员签章及检验日期。4. 2硅单晶棒片的包装应具有防损伤、防沾污、防震措施。包装盒附有标签并标明:a. 产品牌号:6 SJ 2572 85 b. 产品编号:c. 出厂日期:d. 制造单位。4. 3产品在运输过程中不能同碱、酸等腐蚀性物质泪装。4. 4产品应保存在无腐蚀气氛的清洁仓库内。7
