GB T 13592-1992 表面分析术语.pdf

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1、中华人民共和国国家标准G8/T 13592 -92 表面分析术语Terms relating to surface analysis 1 主题内容与适用范围本标准规定了表团分析四种常用技术(俄歇电子能谱术、X射线光电子能谱术、-次离f质i古术何离子散射谱术)的基本术语。本标准适用于制订表面分析标准与编写技术文件和书刊时使用。2 俄歇电子能谱术2.1 俄歇电子能谱术Aug盯clectron叩ectroscopy用电f或其他激发源使样品原于的内电子壳层形成空位并发牛俄歇过程，测量俄歇电子能hl分11i的技术。取英文字首简称AESo2.2 俄歇过程Auger process 内电子壳层有空位的原子通

2、过发射电子的弛豫过程。2.3 俄歇电子Auger electron 俄歇过程所发射的电子。2.4 俄歇电子产额Auger e1 ectorn yield 在特定的内电子壳层有空忱的原子，经俄歇过程而她豫的几率。2.5 俄歇跃迁Auger transition 俄歇跃迁以有关的电子壳层标志。一般用三个字母，第一字母表示初始空位所在的先后，),j iMi 1 B非表示发生俄歇发射后形成的两个空位所在的壳层如KLL，LMN当跃迁涉及键合电F时，用宇母V表示(如LMV，KVVl。如果知悉跃迁有关的特定电f亚壳层，则可加亚壳层标志(如lKL，L，如果搁合项己知，则也可注明精合项(如L3M4.SM1.5，

3、lD对复杂的俄歇过程(如多珉赳始电离、附加的电子激发l，可将初态和终态用短划气分开(如LL-VV、K-VVVJ。2.6 Coster-Kroni日跃迁Coster-Kronig transition 俄歇过程涉及的电于中有一个电子与初始空位在同一主壳层(虫如日川L刊_，1Kro【on，m丑19跃迁囚如果两个电于都与初始空位在同-主壳层(如M】M，MJ，则称为超Co川t肝A吁r-Kr刊川川n阳Ll跃迁。2.7俄歇跃迁速率Auger transition rate 单佼时间内，两个束缚电子发生能量状态跃迁的几率。在此跃迁中，_. i电r填入内电f先层IM 始空位，而另一个电子则进入能量为lE的连续

4、区终态。2.8 电离截面IOntzatlon cross-sectlOn 一入射粒子穿越气体或固体时发生电离碰撞的几率。总电离截面包括由初级电离碰撞和随I(的Coster-Kronig或俄歇衰变过程所产生的所有电子空位，分电离截面则仪含某一特定过程产生的电f空位，例如在一特定壳层产生一初始内壳层空位的初级碰撞、产生特定电f空位分布的俄歇国家技术监督局1992-08-20批准1993-0.01实施G8/T 13592-92 电f发射过程或Coster-Kroni日过程。2.9 俄歇电流Augcr currcnt 发射俄歇电f所形成的电f电流。2. 10 二次电子secondary electro

5、ns 由入射束经由各种能量传渔村L理产生的脱离表面的电子。通常将能量小于或等于50电T伏的脱雨表面的电F认作为二次电手。2. 11 背散射电Tballlrgy . 2.19 .t II只lrprocess . 2.2 G/T 13592-92 Auger signal strengths . . . . 2. 18 Auger spectrum . . . . 2. 17 Auger transition 2. S Auger transition rate 2. 7 B background 5. 13 background , inelastic . . J. 14 background

6、,instrumental S. 16 background ,secondary ion 5.15 background signal (SIMSJ . . . . . . . . . . . . . 1.32 backscattered dectrons 2. 11 backscattering factor 2.12 beam current 2.38 beam current density . 2.39 beam diameter . 2. :l beam energy . 2.36 binary elastc scattcring cvcntS. binary clastic sc

7、attering peak 5. 12 billding ellcr目y.3.7 C channeling 1. 21 characteristic electron loss phenomena H . 2. 13 charge ncutralization l. 55.5.18 charge reference . 3.25 chemical shift . 3.21 collection angle(SIMSJ 4. 43 collision cascade 1.20 m归positionaldepth pro白Ic2.29CQnstant energy resolution 3.40

8、Costcr-Kronig transition 2. 6 crater edgc cffect(SIM.1.38 curvt resol ving . 3.27 D deconvolution 3. 28 dcpth resolution 2. 33.4.:l9 detection limit . . 4.31 dynamic SIMSH.山4.3 E electron energy analyrer . :!. ,1 I GB/T 13592-92 electron escape depth 2. 15 electron retardation 3.38 electron spectros

9、copy for chemical analysis . 3.2 elemental sensitivity factors 3.31 equilibrium surface composition(SIMS) 4.11 extra-atomic relaxation encrgy . 3.15 F Fermi energy level . 3.9 fixed analyzcr transmission . 3.39 fixed retarding rati。.3.41 fr盯1ionnlion yield . 4.15 fractional只put1(ringyicld 4.8 ncidln

10、t particlc cnergy(SIMS). 4. 44 inel川Licelectron rncan free path length . . . . . . . . . . . . . . . 2. 14 inclastic scattering correction to backgn川nd.3.29 itlclastj( scattering Coss-section . 3.30 nelastc scattering event . 5.4 111叫rumentaldetection efficiency(SIMS) 4.57 interatomic Auger process

11、3.17 interference旧gnal(SIMS)4.33interface width ,observed H40 ion lifctim( . 3.18 山nbeam 4. 5 ion bcam current 4.47 ion beam current density 4.48 ion beam encrgy 4.46 lon lmage . . . 4.41 ion implantation 4.22 ion neutralization 4.26.5.6 lon speclt只.2.32 lOntZatlon cross-sectlon 2. 8 lOn-scattermg s

12、pectrometer . 5.19 ion-scattering spectrometry (spectroscopy) 5.1 lOn-scattcnng spec1rum . 5.11 K knock-on 4.23 Koopmans energy 3.11 M n川、创凡nalyzer.啕4.56G/T 13592-92 mass resolution . . 4.29 mass resolving power . . . 4. 30 mass叩时trum. .m matrix effect (SIMS)17 modified Augcr parameter 3. 33 modulat

13、ion 2. 40 multiplet or exchange splitting . 3. 21 multiple scattering event 2.5 。orbital energy 3. 12 F pass cnergy 3.37 peak width(FWHM) 3.26 photoelectric cross-section ;J. ) photoelectrc dfect 3. j photoemis时on.3. ti polarization energy . 3. 1日polyalomic ion 4. 25 positive(negative) ion yield 4.

14、H preferential sputtering10 primary beam(SIMS) 4.1 primary beam energy . 4.15 primary ion beam profile H 1. 19 probe ion 4.27.5.2 Q quantitative analysis 2. 25 R raster(SIMS) . . 4. 53 relative Auger elemental sensitivity faclor 2.24 relaxation energy 3.13 s scattered ion energy 5. scattered ion ene

15、rgy ratio . 5. 10 scattered ion intensity，已.xperimentalH.5.9 scattered ion intensity , theoretical 5.8 screenmg en乓rgy. 3.11 secondary electrons 2. 1 () secondary ion . s. t GB/T 13592-92 secondary ion(SIMS) . . 4.12 secondary ion energy distribution 4.19 secondary ion mass spectrometry (spectroscop

16、y) 4.1 sccondary ion signal gating . 4.51 secondary in yield . . .,. . . . . . .,. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4. 13 selected area aperture 4.52 seoslt1v此yfactor(SIMS) . . . . . . . . . . . . . 4. 36 shakeoH process . . . . .,. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3. 20 shakeup lines (s

17、hakeup satellites) 3. 19 signal to background ratio 2.43.3.34.4.34 signal to noise ratio 2.42.4.35 smoothing .,. 3.36 specimen charging 4.54 叩ectrometerdispersion 2. 45 叩ectrQmeterenergy resolution 2.47 spectrometer transmission . 2.46 sputter depth profile 2.30 ,4.37 spu. ttermg . 4.6 sputtering ra

18、te . 4.9 sput tering yield . 2.31.4.7 static SIMSm.2 statistcal noise .- 3.35 surface roughness 2.16 r t1me constant . . ., . . 2.41 U ultra-violet photoelectron spectroscopy 3.3 useful ion yield (SIMS) 4. 16 V vacuum level . 3.8 valence band spectrumH.吨3.23w work function R. 3. 10 x X-ray ghost line . ,. 3.22 X-ray photoelectron spectroscopy 3.1 GB(T 1 3592 - 9 2 z zone of mixing.(SIMSl H . 1. 21 附加说明:本标准由上海市技术监督局提出并归口。本标准由上海市测试技术忻究所负责，复rt大学及机械电子工业部上海材料研究所协作共同起草。本标准起草人罗兴华、刘德中、张强基、吴贝IJi、吴洪朽、邹崽良。本标准等效采用美国材料试验学会CASTM)标准E673-85b表面分析术语ii:义。